47V
CY62147CV25/30/33
的MoBL
256K ×16静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
电压范围：
- CY62147CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62147CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62147CV33 ： 3.0V - 3.6V
引脚兼容CY62147V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
着80％的地址时降低功耗
不切换。该设备还可以置于待机模式
dese-时功耗降低了99％以上的
lected （ CE为高或都BLE和BHE是HIGH ） 。在 -
把/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被放置在一个高im-
，输出取消（CE HIGH ）：当pedance状态
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在写能操作
通报BULLETIN （ CE LOW和WE低）。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该CY62147CV25 / 30/ 33个在48球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62147CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
RAM的16位组织为256K字。这些设备
采用先进的电路设计，提供超低电流活跃
租。这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。 DE-的
恶习也有显自动断电功能
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
2048 x 2048
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
POW
-
唐氏儿
电路
BHE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05202修订版**
3901北一街
A
17
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年4月24日
CY62147CV25/30/33
的MoBL
引脚配置
[1, 2]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
FBGA （顶视图）
4
2
3
5
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
A
17
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
cc
V
ss
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位...- 0.5V至V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62147CV25
CY62147CV30
CY62147CV33
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
工作，我
CC
V
CC
范围
产品
CY62147CV25
CY62147CV30
CY62147CV33
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[4]
V
CC （最大）
2.2V
2.7V
3.0V
2.5V
3.0V
3.3V
2.7V
3.3V
3.6V
速度
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
7毫安
7毫安
7毫安
马克斯。
15毫安
15毫安
15毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
[4]
5
A
7
A
8
A
马克斯。
15
A
15
A
20
A
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05202修订版**
第14页2
CY62147CV25/30/33
的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62147CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CY62147CV25-70
分钟。
2.0
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
15
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
分钟。
2.0
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
15
I
CC
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 2.7V
I
SB2
CY62147CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CY62147CV30-70
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
7
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
7
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
I
CC
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
文件编号： 38-05202修订版**
第14页3
CY62147CV25/30/33
的MoBL
电气特性
在工作范围（续）
CY62147CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CY62147CV33-70
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
8
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
20
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
8
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
20
I
CC
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
.
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05202修订版**
第14页4
CY62147CV25/30/33
的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16.6
15.4
8
1.20
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75
3.3V
1.216
1.374
0.645
1.75
单位
K
K
K
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[5]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
3
典型值。
[4]
马克斯。
V
CCmax
10
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
注意：
6.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s或稳定在V
CC（分钟）
>100
s.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05202修订版**
第14页5
47V
CY62147CV25/30/33
的MoBL
256K ×16静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
电压范围：
- CY62147CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62147CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62147CV33 ： 3.0V - 3.6V
引脚兼容CY62147V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
着80％的地址时降低功耗
不切换。该设备还可以置于待机模式
dese-时功耗降低了99％以上的
lected （ CE为高或都BLE和BHE是HIGH ） 。在 -
把/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被放置在一个高im-
，输出取消（CE HIGH ）：当pedance状态
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在写能操作
通报BULLETIN （ CE LOW和WE低）。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该CY62147CV25 / 30/ 33个在48球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62147CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
RAM的16位组织为256K字。这些设备
采用先进的电路设计，提供超低电流活跃
租。这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。 DE-的
恶习也有显自动断电功能
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
2048 x 2048
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
POW
-
唐氏儿
电路
BHE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05202修订版**
3901北一街
A
17
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年4月24日
CY62147CV25/30/33
的MoBL
引脚配置
[1, 2]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
FBGA （顶视图）
4
2
3
5
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
A
17
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
cc
V
ss
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位...- 0.5V至V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62147CV25
CY62147CV30
CY62147CV33
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
工作，我
CC
V
CC
范围
产品
CY62147CV25
CY62147CV30
CY62147CV33
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[4]
V
CC （最大）
2.2V
2.7V
3.0V
2.5V
3.0V
3.3V
2.7V
3.3V
3.6V
速度
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
7毫安
7毫安
7毫安
马克斯。
15毫安
15毫安
15毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
[4]
5
A
7
A
8
A
马克斯。
15
A
15
A
20
A
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05202修订版**
第14页2
CY62147CV25/30/33
的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62147CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CY62147CV25-70
分钟。
2.0
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
15
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
分钟。
2.0
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
15
I
CC
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 2.7V
I
SB2
CY62147CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CY62147CV30-70
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
7
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
7
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
I
CC
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
文件编号： 38-05202修订版**
第14页3
CY62147CV25/30/33
的MoBL
电气特性
在工作范围（续）
CY62147CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CY62147CV33-70
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
8
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
20
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
分钟。
2.4
典型值。
[4]
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
8
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
20
I
CC
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
.
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05202修订版**
第14页4
CY62147CV25/30/33
的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16.6
15.4
8
1.20
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75
3.3V
1.216
1.374
0.645
1.75
单位
K
K
K
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[5]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
3
典型值。
[4]
马克斯。
V
CCmax
10
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
注意：
6.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s或稳定在V
CC（分钟）
>100
s.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
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