CY62146E的MoBL
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5V - 5.5V
超低待机功耗
典型待机电流： 1
μA
最大待机电流： 7
μA
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2毫安
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅44引脚TSOP II封装
模式时由99％以上的降低功耗
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过
IO
15
）被置于高阻抗状态时：
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
■
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。看
表1
的完整描述
读写模式。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62146E是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这是
理想提供更多的电池Life （的MoBL
）在便携式应用程序
阳离子，例如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可降低功耗
当地址不切换。将器件置于备用
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
14
A
16
A
17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07970修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年2月1日
[+ ]反馈
CY62146E的MoBL
引脚配置
图1. 44针TSOP II （顶视图）
[1]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62146ELL
Ind'l /自动-A
4.5
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
5.0
速度
（纳秒）
最大
5.5
45
我的操作
CC
（毫安）
F = 1 MHz的
典型值
[2]
2
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[2]
15
最大
20
待机情况下，我
SB2
(μA)
典型值
[2]
1
最大
7
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 001-07970修订版* D
第11 2
[+ ]反馈
CY62146E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位..................- 0.5V至6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3, 4]
..........................................- 0.5V至6.0V
设备
CY62146ELL
范围
直流输入电压
[3, 4]
.......................................- 0.5V至6.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
环境
温度
V
CC
[5]
4.5V–5.5V
Ind'l /自动在-40°C至+ 85°C
电气特性
在整个工作范围
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [6]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
4.5 < V
CC
< 5.5
4.5 < V
CC
< 5.5
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0 mA时， CMOS电平
2.2
–0.5
–1
–1
15
2
1
测试条件
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
20
2.5
7
μA
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
自动电源CE认证
CE > V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
断电流 - CMOS F = 0 ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
输入
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
TSOP II
77
13
单位
° C / W
° C / W
笔记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。
4. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定最低100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
6.只有芯片使能（ CE）和字节使能（ BHE和BLE）是依赖于CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入悬空。
文件编号： 001-07970修订版* D
第11 3
[+ ]反馈
CY62146E的MoBL
图2.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
单位
Ω
Ω
Ω
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
5.0V
1800
990
639
1.77
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR [6]
t
CDR的[7]
t
R [8]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
图3.数据保存波形
V
CC
= 2V ，CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
2
1
7
典型值
[2]
最大
单位
V
μA
ns
ns
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2.0V
V
CC（分钟）
t
R
CE
笔记
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
8.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
文件编号： 001-07970修订版* D
第11 4
[+ ]反馈
CY62146E的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[9, 10]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[13]
描述
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
45
45
10
45
22
5
18
10
18
0
45
22
5
18
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
10
最大
单位
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高来高-Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE为高电平
高-Z
[11, 12]
CE低到通电
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
BLE / BHE高来高-Z
[11, 12]
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 12]
我们前高后低-Z
[11]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
9.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
为0 3V，并指定I的输出装
OL
/I
OH
如图
交流测试负载和波形第4页。
10. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
11.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ， BLE或两者= V
IL
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 001-07970修订版* D
第11个5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
