CY62146EV30的MoBL
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
引脚与CY62146DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 7
A
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
易于扩展内存通过CE ， OE和特点
取消时自动断电
CMOS最佳的速度和力量
提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
功耗降低80％时的地址不
切换。该设备还可以置于待机模式
功耗降低时的99％以上
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过
IO
15
）被置于高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作处于活动状态（低CE和WE LOW ）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
） ，被写入到
在地址引脚指定位置（A
0
至A
17
） 。如果字节
高使能（ BHE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
如果字节低使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
“真值表”第9页
一
读写模式，完整的描述。
功能说明
[1]
该CY62146EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
民
CY62146EV30LL
2.2
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
45纳秒
速度
（纳秒）
典型值
[2]
2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[2]
15
最大
20
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
最大
7
注意事项：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
on
http://www.cypress.com 。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05567牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月26日
[+ ]反馈
CY62146EV30的MoBL
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
14
销刀豆网络gurations
[3, 4]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
NC
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
NC
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
16
A
17
44引脚TSOP II
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
注意事项：
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
文件编号： 38-05567牧师* C
第12页2
[+ ]反馈
CY62146EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.............................- 0.3V至+ 3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
................- 0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[5, 6]
........... -0.3V至3.9V （V
CC MAX
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62146EV30
范围
产业
环境
温度
V
CC
[7]
-40 ° C至+ 85°C 2.2V至3.6V
电气特性
（在整个工作范围内）
45纳秒
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
输出低电压
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70V
输入高电压
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
输入低电压
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
F = 1 MHz的
I
SB1
CE自动断电
电流 - CMOS输入
V
CC
= V
CC（ max）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
15
2
1
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
20
2.5
7
A
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
工作电流f = F
最大
= 1/t
RC
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ） ，V
CC
= 3.60V
I
SB2 [8]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
1
7
A
注意事项：
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全面的设备交流操作假定至少100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
cc
稳定。
8.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05567牧师* C
第12页3
[+ ]反馈
CY62146EV30的MoBL
电容
（对于所有的软件包）
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
VFBGA
包
75
10
TSOP II
包
77
13
单位
° C / W
° C / W
热电阻静止空气，焊接在一个3 × 4.5英寸，
（结点到环境温度）的双层印刷电路板
热阻
（结点到外壳）
交流测试负载和波形
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
R1
V
CC
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
产量
R
TH
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR [8]
t
CDR的[9]
t
R [10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V ， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.5
0.8
7
典型值
[2]
最大
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
注意事项：
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
10.完整的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05567牧师* C
第12页4
[+ ]反馈
CY62146EV30的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[11, 12]
45纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[15]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高来高-Z
[13, 14]
CE低到低Z
[13]
CE高来高-Z
[13, 14]
CE低到通电
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[13]
BLE / BHE高来高-Z
[13, 14]
5
18
0
45
22
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
单位
注意事项：
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
12. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。请参见应用笔记AN13842进一步
澄清。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何的
这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05567牧师* C
第12页5
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
