CY62146DV30
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62146CV30引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 8毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存通过CE ， OE和特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
软件包提供48焊球BGA和44引脚TSOPII
无铅封装也可
自动断电功能，可显著降低
功耗。该装置还可以将其置于待机
模式，功耗降低，当超过99％的
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该CY62146DV30是采用48球VFBGA ， 44针
TSOPII封装。
功能说明
[1]
该CY62146DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05339修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年2月2日
CY62146DV30
引脚配置
[2, 3, 4]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
VFBGA （顶视图）
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
44 TSOP II （顶视图）
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
注意事项：
2. NC引脚内部没有连接上的芯片。
3. DNU引脚都被悬空或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
分钟。
2.20V
2.20V
2.20V
典型值。
[5]
3.0
3.0
3.0
马克斯。
3.60
3.60
3.60
速度
（纳秒）
45
55
70
F = 1MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
10
8
8
马克斯。
20
15
15
待我
SB2
(A)
典型值。
[5]
2
2
2
马克斯。
12
8
12
8
12
8
文件编号： 38-05339修订版**
第11 2
CY62146DV30
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................- 0.3V至+ V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7]
.........................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[6, 7]
..................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
范围
环境温
perature （T
A
)
V
CC
[8]
工业-40 ° C至+ 85°C 2.20V到3.60V
电气特性
在整个工作范围
CY62146DV30-45
参数说明
V
OH
V
OL
V
IH
测试条件
MIN 。 TYP 。
[5]
2.0
2.4
0.4
0.4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
马克斯。
输出高我
OH
= -0.1毫安V
CC
= 2.20V
电压
I
OH
= -1.0毫安V
CC
= 2.70V
输出低电平我
OL
= 0.1毫安V
CC
= 2.20V
电压
I
OL
= 2.1毫安V
CC
= 2.70V
输入高
电压
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低
电压
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
CY62146DV30-55
MIN 。 TYP 。
[5]
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
马克斯。
CY62146DV30-70
MIN 。 TYP 。
[5]
MAX 。 UNIT
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
输入漏GND < V
I
＆ LT ; V
CC
当前
产量
泄漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
自动
CE
掉电
电流=
CMOS
输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
f = f
最大
=
1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
10
1.5
2
20
3
12
8
8
1.5
2
15
3
12
8
8
1.5
2
15
3
12
8
mA
mA
A
I
SB1
CE > V
CC
0.2V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V ） LL
f = f
最大
（地址和数据
只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和
BLE ） ，V
CC
= 3.60V
I
SB2
CE > V
CC
– 0.2V,
自动
L
CE
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; LL
掉电0.2V ，
电流=
F = 0，V
CC
= 3.60V
CMOS输入
2
12
8
2
12
8
2
12
8
A
注意事项：
6. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.全面的设备交流操作假定一个100 μs的斜率时间为0至V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
文件编号： 38-05339修订版**
第11 3
CY62146DV30
电容
（对于所有的软件包）
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸， 4层
印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[10]
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
该
蛇毒等效
R
TH
产量
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
L
LL
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
9
6
ns
ns
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[9]
t
R[11]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
V
CC
CE
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
注意事项：
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
为45 ns的一部分10.测试条件是30 pF的负载电容。
11.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05339修订版**
第11 4
CY62146DV30
开关特性
在整个工作范围
[12]
45纳秒
[10]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[15]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高到高Z
[13, 14]
CE低到低Z
[13]
CE高到高阻
[13, 14]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[13]
BLE / BHE高到高阻
[13, 14]
10
15
0
45
25
10
20
10
20
0
55
25
10
25
5
15
10
20
0
70
35
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
55纳秒
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/2,
0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05339修订版**
第11个5
CY62146DV30
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62146CV30引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 8毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存通过CE ， OE和特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
软件包提供48焊球BGA和44引脚TSOPII
无铅封装也可
自动断电功能，可显著降低
功耗。该装置还可以将其置于待机
模式，功耗降低，当超过99％的
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该CY62146DV30是采用48球VFBGA ， 44针
TSOPII封装。
功能说明
[1]
该CY62146DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05339修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年2月2日
CY62146DV30
引脚配置
[2, 3, 4]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
VFBGA （顶视图）
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
44 TSOP II （顶视图）
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
注意事项：
2. NC引脚内部没有连接上的芯片。
3. DNU引脚都被悬空或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
分钟。
2.20V
2.20V
2.20V
典型值。
[5]
3.0
3.0
3.0
马克斯。
3.60
3.60
3.60
速度
（纳秒）
45
55
70
F = 1MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
10
8
8
马克斯。
20
15
15
待我
SB2
(A)
典型值。
[5]
2
2
2
马克斯。
12
8
12
8
12
8
文件编号： 38-05339修订版**
第11 2
CY62146DV30
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................- 0.3V至+ V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7]
.........................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[6, 7]
..................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62146DV30L
CY62146DV30LL
范围
环境温
perature （T
A
)
V
CC
[8]
工业-40 ° C至+ 85°C 2.20V到3.60V
电气特性
在整个工作范围
CY62146DV30-45
参数说明
V
OH
V
OL
V
IH
测试条件
MIN 。 TYP 。
[5]
2.0
2.4
0.4
0.4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
马克斯。
输出高我
OH
= -0.1毫安V
CC
= 2.20V
电压
I
OH
= -1.0毫安V
CC
= 2.70V
输出低电平我
OL
= 0.1毫安V
CC
= 2.20V
电压
I
OL
= 2.1毫安V
CC
= 2.70V
输入高
电压
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低
电压
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
CY62146DV30-55
MIN 。 TYP 。
[5]
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
马克斯。
CY62146DV30-70
MIN 。 TYP 。
[5]
MAX 。 UNIT
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
输入漏GND < V
I
＆ LT ; V
CC
当前
产量
泄漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
自动
CE
掉电
电流=
CMOS
输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
f = f
最大
=
1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
10
1.5
2
20
3
12
8
8
1.5
2
15
3
12
8
8
1.5
2
15
3
12
8
mA
mA
A
I
SB1
CE > V
CC
0.2V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V ） LL
f = f
最大
（地址和数据
只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和
BLE ） ，V
CC
= 3.60V
I
SB2
CE > V
CC
– 0.2V,
自动
L
CE
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; LL
掉电0.2V ，
电流=
F = 0，V
CC
= 3.60V
CMOS输入
2
12
8
2
12
8
2
12
8
A
注意事项：
6. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.全面的设备交流操作假定一个100 μs的斜率时间为0至V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
文件编号： 38-05339修订版**
第11 3
CY62146DV30
电容
（对于所有的软件包）
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸， 4层
印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[10]
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
该
蛇毒等效
R
TH
产量
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
L
LL
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
9
6
ns
ns
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[9]
t
R[11]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
V
CC
CE
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
注意事项：
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
为45 ns的一部分10.测试条件是30 pF的负载电容。
11.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05339修订版**
第11 4
CY62146DV30
开关特性
在整个工作范围
[12]
45纳秒
[10]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[15]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高到高Z
[13, 14]
CE低到低Z
[13]
CE高到高阻
[13, 14]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[13]
BLE / BHE高到高阻
[13, 14]
10
15
0
45
25
10
20
10
20
0
55
25
10
25
5
15
10
20
0
70
35
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
55纳秒
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/2,
0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05339修订版**
第11个5
QQ：2881677436 复制
