CY62146CV30的MoBL
256K ×16静态RAM
特点
高速：
- 55 ns到70 ns的可用性
电压范围：
- CY62146CV30 ： 2.7V - 3.3V
与CY62146V 引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 7毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
功耗降低80％时的地址不
切换。该设备还可以置于待机模式
取消时，功耗降低99 ％ （ CE
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
- I / O
15
）被放置在一个
，输出取消（ CE HIGH ） ：在高阻抗状态
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
- I / O
7
） ，被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
– A
17
） 。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（ I / O
8
- I / O
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
– A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
- I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
真值表9页的阅读完整的说明
写模式。
该CY62146CV30是48球FBGA封装可供选择。
功能说明
该CY62146CV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池Life （ MoBL ）
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K × 16
RAM阵列
2048 × 2048
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05203牧师**
3901北一街
A
14
A
15
A
16
A
17
A
11
A
12
A
13
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年12月17日
CY62146CV30的MoBL
引脚配置
[1,2]
FBGA （顶视图）
4
2
5
3
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
A
17
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
cc
V
ss
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
产品组合
功率耗散（工业）
产品
V
CC（分钟）
CY62146CV30
2.7V
V
CC
范围
V
CC （典型值）。
[3]
V
CC （最大）
3.0V
3.3V
55纳秒
70纳秒
速度
工作，我
CC
F = 1 MHz的
典型值。
[3]
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[3]
7毫安
马克斯。
15毫安
12毫安25毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
[3]
7
A
马克斯。
15
A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位...- 0.5V至V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[4]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62146CV30
范围
产业
环境
温度
V
CC
-40 ° C至+ 85°C 2.7V至3.3V
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
文件编号： 38-05203牧师**
第12页2
CY62146CV30的MoBL
电气特性
在整个工作范围
参
TER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
-55
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE Pow-
ER-下电流 -
CMOS输入
自动CE Pow-
ER-下电流 -
CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
-70
马克斯。
0.4
分钟。
2.4
0.4
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
mA
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–1
–1
典型值。
[3]
I
CC
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
12
1.5
25
3
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0 ， VCC = 3.3V
7
15
7
15
A
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 × 1.125英寸， 4层
印刷电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05203牧师**
第12页3
CY62146CV30的MoBL
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
开关特性
在整个工作范围
[7]
-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[9]
t
HZBE
写周期
[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8, 10]
WE高到低Z
[8]
5
55
45
45
0
0
45
50
25
0
20
5
70
60
60
0
0
50
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高到高Z
[8,10]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[8, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
BHE / BLE高到高阻
5
20
0
55
25
5
25
10
20
0
70
35
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
-70
最大
单位
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
为
任何给定的设备。
9.如果两个字节使能触发在一起，此值是10纳秒。
10. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起和写入
所有这些信号都可以通过变为无效终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿即
结束写入。
文件编号： 38-05203牧师**
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