47V
CY62146BV18 MoBL2
TM
256K ×16静态RAM
特点
低电压范围：
- CY62146BV18 ： 1.65V - 1.95V
超低工作，待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该CY62146BV18是48球FBGA封装可供选择。
功能说明
该CY62146BV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为262,144字。这些器件具有
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的por-提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
表的应用，如蜂窝电话。该器件
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
逻辑框图
数据驱动因素
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
2048 x 2048
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
的MoBL ， MoBL2和更多的电池寿命是赛普拉斯半导体公司的商标。
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2001年5月2日
CY62146BV18 MoBL2
引脚配置
FBGA
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
顶视图
4
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 2.4V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62146BV18
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.65V到1.95V
产品组合
功率耗散（工业）
V
CC
范围
产品
CY62146BV18
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[2]
V
CC （最大）
1.65V
1.80V
1.95V
动力
标准。
工作（我
CC
)
典型值。
[2]
3毫安
最大
7毫安
典型值。
[2]
5
A
待机（我
SB2
)
最大
20
A
注意事项：
1. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
2
CY62146BV18 MoBL2
电气特性
在整个工作范围
CY62146BV18
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
,
CMOS电平
V
CC
= 1.95V
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.95V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.5
–1
–1
±1
+1
3
分钟。
1.5
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
7
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
OUT
= 0 mA时， F = 1MHz时，
CMOS电平
I
SB2
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
V
CC
=
1.95V
标准。
1
5
2
20
mA
A
.
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[3]
热阻
（结点到外壳）
[3]
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
3
CY62146BV18 MoBL2
开关特性
在整个工作范围
[5]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[8]
t
HZBE
写周期
[9, 10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
10
70
60
60
0
0
50
60
30
0
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6, 7]
OE高到高Z
[7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
BHE / BLE高到高阻
5
25
0
70
70
10
25
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.如果两个字节使能切换起来这个数值为10ns
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
5
QQ：2881677436 复制
