CY62138VN的MoBL
256K ×8静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
低电压范围：
— 2.7–3.6V
超低有功功率
低待机功耗
易于扩展内存与CS
1
/ CS
2
和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供的在标准的非无铅36球FBGA
包
功能说明
该CY62138VN是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可降低功耗
99 ％的消费时，地址不切换。该
设备可置于待机模式时，取消（CS
1
高或CS
2
LOW ） 。写入设备被实现的
以芯片启用一个（ CS
1
）和写使能（ WE）输入
LOW和芯片使能两（ CS
2
）高。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
）从.Reading
该装置通过利用芯片使能的一个实现（CS
1
)
和输出使能（ OE ）低，而强迫写使能（ WE）
和芯片使能两（ CS
2
）高。在这些条件下，该
由地址引脚指定的存储单元的内容
将出现在I / O pins.The 8输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被置于高阻抗状态时的
取消选择器件（ CS
1
高或CS
2
低） ，则输出
禁用（ OE为高电平） ，或在写操作期间（CS
1
低，
CS
2
高，和WE为低电平） 。
逻辑框图
1
A
0
I / O
4
数据驱动因素
针
CON组fi guration
FBGA
顶视图
2
A
1
A
2
3
CS
2
WE
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
NC
OE
A
10
CS1
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
2
I / O
3
A
14
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
0
I / O
1
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
行解码器
A
4
A
5
检测放大器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
6
A
7
A
8
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
256K ×8
ARRAY
CS
2
CS
1
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
产品组合
功率耗散（工业）
V
CC
范围
产品
CY62138VN
V
CC（分钟）
2.7V
V
CC （典型值）
[1]
3.0V
V
CC（ MAX）的
3.6V
速度
70纳秒
工作（我
cc
)
典型值。
[1]
7毫安
最大
15毫安
典型值。
[1]
1
A
待机（我
SB2
)
最大
15
A
注意：
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06513修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月2日
[+ ]反馈
CY62138VN的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
设备
范围
CY62138VN工业
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
电气特性
在整个工作范围
CY62138VN
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC ，
CMOS电平
I
OUT
= 0 mA时，
F = 1MHz时，
CMOS电平
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 3.6V
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–1
±1
+1
7
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+1
+1
15
典型值。
[1]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
1
2
mA
100
A
I
SB2
V
CC
= 3.6V
1
15
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06513修订版**
第2页8
[+ ]反馈
CY62138VN的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
V
CC
典型值
10%
GND
＆ LT ; 5纳秒
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
戴维南等效
RTH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
价值
1105
1550
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.0V
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V
没有输入可能超过
V
CC
+0.3V
0
100
条件
[4]
分钟。
1.0
0.1
典型值。
[1]
马克斯。
3.6
5
单位
V
A
t
CDR[3]
t
R
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ms
数据保存波形
[5]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC
指定的典型值，和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.行政长官既是CS的结合
1
和CS
2
.
文件编号： 001-06513修订版**
第3页8
[+ ]反馈
CY62138VN的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[4]
CY62138VN
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[6, 7]
我们前高后低-Z
[6]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高来高-Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
0
70
10
25
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 001-06513修订版**
第4页8
[+ ]反馈
CY62138VN的MoBL
开关波形
（续）
读周期2号
[5., 11, 12]
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
高
阻抗
数据输出
I
CC
50%
I
SB
写周期号1 （我们控制）
[5, 8, 13, 14]
t
WC
地址
CE
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HD
数据
IN
有效
t
HZOE
写周期号2 （ CE控制）
[5, 8, 13, 14]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
AW
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
IN
t
HD
t
HA
t
SCE
注意事项：
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号： 001-06513修订版**
第5页8
[+ ]反馈
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