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CY62138F的MoBL
2兆位（ 256千× 8 ）静态RAM
2兆位（ 256千× 8 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
功能说明
该CY62138F是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
比时取消99％ （ CE
1
高或CE
2
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到指定的位置
在地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在
当取消选择器件为高阻抗状态（CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5 V至5.5 V
引脚兼容CY62138V
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 5
A
超低有功功率
典型工作电流：2.6毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅32引脚SOIC和32引脚薄型小尺寸
封装（ TSOP ）二包
■
■
■
■
■
逻辑框图
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-13194修订版* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一一年六月二十〇日
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义......................................... 11
包图................................................ .......... 12
与缩略语................................................. ....................... 13
文件约定............................................... 13
计量单位............................................... ........ 13
文档历史记录页............................................... .. 14
销售，解决方案和法律信息...................... 15
全球销售和设计支持....................... 15
产品................................................. ................... 15
的PSoC解决方案................................................ ......... 15
文件编号： 001-13194修订版* E
分页： 15 2
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
引脚配置
图1. 32引脚SOIC / TSOP II引脚（顶视图）
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
产品组合
功耗
产品
民
CY62138FLL
4.5 V
V
CC
范围（V ）
典型值
[1]
5.0 V
最大
5.5 V
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[1]
1.6
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[1]
13
最大
18
待我
SB2
(A)
典型值
[1]
1
最大
5
记
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-13194修订版* E
第15 3
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在............................. -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2, 3]
............. -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
直流输入电压
[2, 3]
......... -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................ > 2001年V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62138FLL
范围
产业
环境
温度
V
CC
[4]
-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [6]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
45纳秒
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
典型值
[5]
–
–
–
–
–
–
13
1.6
1
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
18
2.5
5
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
目前CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
笔记
2. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
3. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4.全面的设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
6.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-13194修订版* E
第15 4
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
电容
参数
[7]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[7]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸
2层印刷电路板
32引脚SOIC
44.53
24.05
32引脚TSOP II组
44.16
11.97
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图2.交流测试负载和波形
R1
3.0 V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
V
CC
产量
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
R
TH
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
5.0 V
1800
990
639
1.77
单位
V
记
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-13194修订版* E
第15个5
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
2兆位（ 256K ×8 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
功能说明
[1]
该CY62138F是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
比时取消99％ （ CE
1
高或CE
2
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到指定的位置
在地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在
当取消选择器件为高阻抗状态（CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5 V - 5.5 V
引脚兼容CY62138V
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 5
A
■
超低有功功率
- 典型工作电流：2.6毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅32引脚SOIC和32引脚薄型小尺寸
封装（ TSOP ）二包
■
■
■
■
逻辑框图
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-13194修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年10月15日
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性
（在工作范围） ... 4
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ .......... 4
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性
........................................ 5
数据保存波形............................................... 5 ..
开关特性
（在工作范围） 。6
读周期1 （地址转换控制） ............... 7
读周期2号（ OE控制） ................................ 7
写周期号1 （我们控制） ................................ 7
写周期2号（ CE1或CE2控制） .................. 8
写周期第3号（我们控制， OE低） ............... 8
真值表................................................ ........................ 9
订购信息................................................ ...... 10
订购代码定义........................................... 10
包图................................................ .......... 11
与缩略语................................................. ....................... 12
文件约定............................................... 12
计量单位............................................... ........ 12
文档历史记录页............................................... .. 13
销售，解决方案和法律信息...................... 14
全球销售和设计支持....................... 14
产品................................................. ................... 14
的PSoC解决方案................................................ ......... 14
文件编号： 001-13194修订版* C
第14页2
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
引脚配置
32引脚SOIC / TSOP II引出线
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
产品组合
功耗
产品
民
CY62138FLL
4.5 V
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
5.0 V
最大
5.5 V
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
典型值
[2]
1.6
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[2]
13
最大
18
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
最大
5
笔记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-13194修订版* C
第14页3
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在............................. -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3, 4]
............. -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
直流输入电压
[3, 4]
......... -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................ > 2001年V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62138FLL
范围
环境
温度
V
CC
[5]
工业-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [7]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
Outputcleakage电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
45纳秒
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
13
1.6
1
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
18
2.5
5
A
单位
V
V
V
V
A
A
mA
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V
目前CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
电容
参数
[8]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[8]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸双层印刷
电路板
SOIC
44.53
24.05
TSOP II
44.16
11.97
单位
C
/ W
C
/ W
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C
7.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-13194修订版* C
第14页4
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
3.0V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
R
TH
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
5.0 V
1800
990
639
1.77
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR [10]
t
CDR的[9]
t
R [11]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
条件
民
2.0
–
0
45
典型值
[9]
–
1
–
–
最大
–
5
–
–
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[12]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2.0V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能影响这些parameters.Typical值包括仅供参考，不保证
或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C
10.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
11.全面的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
12. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
文件编号： 001-13194修订版* C
第14页5
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
2兆位（ 256K ×8 ）静态RAM
特点
高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5 V - 5.5 V
引脚兼容CY62138V
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 5
A
超低有功功率
- 典型工作电流：2.6毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅32引脚SOIC和32引脚TSOP II
套餐
功能说明
[1]
该CY62138F是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE
1
高
或CE
2
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据
IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置上出现
IO引脚。
八个输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）置于
在当设备被取消选择一个高阻抗状态（CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
数据驱动因素
IO0
IO1
行解码器
256K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
A13
A14
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A16
A17
A12
A15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-13194修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月26日
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
引脚配置
[2]
32引脚SOIC / TSOP II引出线
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
产品组合
功耗
产品
民
CY62138FLL
4.5V
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
5.0V
最大
5.5V
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
典型值
[3]
1.6
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[3]
13
最大
18
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
最大
5
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 001-13194修订版**
第10 2
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................- 0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
................- 0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
直流输入电压
[4, 5]
............ -0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62138FLL
范围
环境
温度
V
CC
[6]
工业-40 ° C至+ 85°C 4.5V至5.5V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
2.2
–0.5
–1
–1
13
1.6
1
45纳秒
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
18
2.5
5
A
典型值
[3]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB2 [7]
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
目前CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
电容
（对于所有的软件包）
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸
2层印刷电路板
SOIC
44.53
24.05
TSOP II
44.16
11.97
单位
° C / W
° C / W
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V的脉冲持续时间小于20ns 。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-13194修订版**
第10 3
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
交流测试负载和波形
R1
3.0V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
V
CC
产量
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
R
TH
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
5.0V
1800
990
639
1.77
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR [7]
t
CDR的[8]
t
R [9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
2.0
1
5
典型值
[3]
最大
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2.0V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
10. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
文件编号： 001-13194修订版**
第10 4
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[12, 13]
我们前高后低-Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高来高-Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[12]
CE
1
高或CE
2
从低到高-Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
交流测试负载和波形第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 001-13194修订版**
第10个5
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
2兆位（ 256K ×8 ）静态RAM
特点
高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5 V - 5.5 V
引脚兼容CY62138V
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 5
A
超低有功功率
- 典型工作电流：2.6毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅32引脚SOIC和32引脚TSOP II
套餐
功能说明
[1]
该CY62138F是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE
1
高
或CE
2
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据
IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置上出现
IO引脚。
八个输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）置于
在当设备被取消选择一个高阻抗状态（CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
数据驱动因素
IO0
IO1
行解码器
256K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
A13
A14
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A16
A17
A12
A15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-13194修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月26日
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
引脚配置
[2]
32引脚SOIC / TSOP II引出线
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
产品组合
功耗
产品
民
CY62138FLL
4.5V
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
5.0V
最大
5.5V
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
典型值
[3]
1.6
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[3]
13
最大
18
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
最大
5
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 001-13194修订版**
第10 2
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................- 0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
................- 0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
直流输入电压
[4, 5]
............ -0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62138FLL
范围
环境
温度
V
CC
[6]
工业-40 ° C至+ 85°C 4.5V至5.5V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
2.2
–0.5
–1
–1
13
1.6
1
45纳秒
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
18
2.5
5
A
典型值
[3]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB2 [7]
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
目前CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
电容
（对于所有的软件包）
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸
2层印刷电路板
SOIC
44.53
24.05
TSOP II
44.16
11.97
单位
° C / W
° C / W
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V的脉冲持续时间小于20ns 。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-13194修订版**
第10 3
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
交流测试负载和波形
R1
3.0V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
V
CC
产量
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
R
TH
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
5.0V
1800
990
639
1.77
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR [7]
t
CDR的[8]
t
R [9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
2.0
1
5
典型值
[3]
最大
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2.0V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
10. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
文件编号： 001-13194修订版**
第10 4
[+ ]反馈
CY62138F的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[12, 13]
我们前高后低-Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高来高-Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[12]
CE
1
高或CE
2
从低到高-Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
交流测试负载和波形第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 001-13194修订版**
第10个5
[+ ]反馈
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