CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
2M （ 256K ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
电压范围：
- CY62138CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62138CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62138CV33 ： 3.0V - 3.6V
- CY62138CV ： 2.7V - 3.6V
与CY62138V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE
特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
采用36球FBGA封装提供
位。该器件采用先进的电路设计，提供
超低的有功电流。这是理想的提供更多的电池
生活 （的MoBL
）在便携式应用。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
由80％的功率消耗，当地址不切换。
该装置可被置于待机模式降低了功率
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE
1
高
或CE
2
低） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低电平，片选2
（ CE
2
）高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）是
然后写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能2 （ CE
2
）高。下
这些条件下，存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
见真值表本数据手册的后面一个完整的
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62138CV25 / 30 /33和CY62138CV是高性
曼斯CMOS静态RAM八个组织为256K字
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
CE
1
CE
2
WE
OE
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
256K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05200牧师* D
3901北一街
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月20日
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
引脚配置
[2, 3]
1
A
0
I / O
4
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
2
A
1
A
2
FBGA （顶视图）
3
4
5
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
CE
2
WE
DNU
NC
OE
A
10
CE
1
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
2
I / O
3
A
14
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................. 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位... -0.5V V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
..................................... 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
产品
CY62138CV25
CY62138CV30
CY62138CV33
CY62138CV
环境
距离温T
A
V
CC
工业-40 ° C至+ 85°C 2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62138CV25LL
CY62138CV30LL
CY62138CV33LL
CY62138CVLL
分钟。
2.2
2.7
3.0
2.7
典型值。
[5]
2.5
3.0
3.3
3.3
马克斯。
2.7
3.3
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
7
5.5
7
5.5
7
5.5
5.5
马克斯。
15
12
15
12
15
12
12
5
15
5
15
2
10
典型值。
[5]
2
马克斯。
10
待机情况下，我
SB2
(A)
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3. C3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页2
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62138CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
10
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
典型值。
[5]
CY62138CV25-70
MIN 。 TYP 。
[5]
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
10
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
马克斯。
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F =
f
最大
（地址和数据只） ， F = 0
（ OE ， WE）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 2.7V
I
SB2
CY62138CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
10
典型值。
[5]
马克斯。
CY62138CV30-70
MIN 。 TYP 。
[5]
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
10
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F =
f
最大
（地址和数据只） ， F = 0
（ OE ， WE）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
< 0.2V ， F = 0 ，
V
CC
=3.3V
I
SB2
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页3
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62138CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
0.4
MIN 。 TYP 。
[5]
2.4
马克斯。
CY62138CV33-70
CY62138CV-70
MIN 。 TYP 。
[5]
2.4
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
[6]
（结到环境）
热阻
[6]
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页4
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.20
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
典型值。
[5]
1
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
马克斯。
V
CC （最大）
6
单位
V
A
t
CDR[6]
t
R[7]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
1
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
or
CE
2
开关特性
在整个工作范围
[8]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[11]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
55
45
70
60
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
[9, 10]
CE
1
LOW和CE
2
高
CE
1
高或CE
2
低
低Z
[9]
10
20
0
55
0
70
高-Z
[9, 10]
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
注意事项：
7.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页5
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
2M （ 256K ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
电压范围：
- CY62138CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62138CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62138CV33 ： 3.0V - 3.6V
- CY62138CV ： 2.7V - 3.6V
与CY62138V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE
特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
采用36球FBGA封装提供
位。该器件采用先进的电路设计，提供
超低的有功电流。这是理想的提供更多的电池
生活 （的MoBL
）在便携式应用。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
由80％的功率消耗，当地址不切换。
该装置可被置于待机模式降低了功率
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE
1
高
或CE
2
低） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低电平，片选2
（ CE
2
）高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）是
然后写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能2 （ CE
2
）高。下
这些条件下，存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
见真值表本数据手册的后面一个完整的
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62138CV25 / 30 /33和CY62138CV是高性
曼斯CMOS静态RAM八个组织为256K字
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
CE
1
CE
2
WE
OE
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
256K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05200牧师* D
3901北一街
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月20日
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
引脚配置
[2, 3]
1
A
0
I / O
4
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
2
A
1
A
2
FBGA （顶视图）
3
4
5
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
CE
2
WE
DNU
NC
OE
A
10
CE
1
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
2
I / O
3
A
14
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................. 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位... -0.5V V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
..................................... 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
产品
CY62138CV25
CY62138CV30
CY62138CV33
CY62138CV
环境
距离温T
A
V
CC
工业-40 ° C至+ 85°C 2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62138CV25LL
CY62138CV30LL
CY62138CV33LL
CY62138CVLL
分钟。
2.2
2.7
3.0
2.7
典型值。
[5]
2.5
3.0
3.3
3.3
马克斯。
2.7
3.3
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
7
5.5
7
5.5
7
5.5
5.5
马克斯。
15
12
15
12
15
12
12
5
15
5
15
2
10
典型值。
[5]
2
马克斯。
10
待机情况下，我
SB2
(A)
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3. C3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页2
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62138CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
10
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
典型值。
[5]
CY62138CV25-70
MIN 。 TYP 。
[5]
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
10
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
马克斯。
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F =
f
最大
（地址和数据只） ， F = 0
（ OE ， WE）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 2.7V
I
SB2
CY62138CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
10
典型值。
[5]
马克斯。
CY62138CV30-70
MIN 。 TYP 。
[5]
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
10
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F =
f
最大
（地址和数据只） ， F = 0
（ OE ， WE）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
< 0.2V ， F = 0 ，
V
CC
=3.3V
I
SB2
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页3
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62138CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
0.4
MIN 。 TYP 。
[5]
2.4
马克斯。
CY62138CV33-70
CY62138CV-70
MIN 。 TYP 。
[5]
2.4
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
[6]
（结到环境）
热阻
[6]
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页4
CY62138CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62138CV的MoBL
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.20
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
典型值。
[5]
1
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
马克斯。
V
CC （最大）
6
单位
V
A
t
CDR[6]
t
R[7]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
1
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
or
CE
2
开关特性
在整个工作范围
[8]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[11]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
55
45
70
60
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
[9, 10]
CE
1
LOW和CE
2
高
CE
1
高或CE
2
低
低Z
[9]
10
20
0
55
0
70
高-Z
[9, 10]
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
注意事项：
7.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05200牧师* D
第12页5
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