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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第563页 > CY62137VNLL-70ZSXE
CY62137VN的MoBL
2兆位( 128K ×16 )静态RAM
特点
温度范围
- 工业级: -40 ° C至85°C
- 汽车-A : -40 ° C至85°C
- 汽车-E : -40°C至125°C
高速: 55纳秒
宽电压范围: 2.7V - 3.6V
超低工作,待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅44引脚TSOP II型封装
便携式应用,如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能,可降低功耗
99 %的消费时,地址不切换。该
设备也可以置于待机模式时取消
( CE HIGH)或当CE为低电平,既BLE和BHE的
HIGH 。的输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被放置在
,输出取消( CE HIGH ) :当一个高阻抗状态
禁用( OE高) , BHE和BLE被禁用( BHE ,
BLE高) ,或者在写操作期间(CE低电平和WE
低) .Writing到该设备,采取芯片来实现
使能( CE)和写使能( WE)输入低。如果字节低
使能( BLE )为低,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过
I / O
7
) ,被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
8
通过I / O
15
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
16
)从.Reading
该装置通过利用芯片使能(CE)来实现,并
输出使能( OE )低,而强迫写使能( WE)
HIGH 。如果字节低使能( BLE)为低电平,那么从数据
由地址引脚指定的存储器位置上会出现
I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从数据
内存将出现在I / O
8
到I / O
15
。看到在真值表
回本数据手册的阅读完整描述和
写模式。
功能说明
[1]
该CY62137VN是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 (的MoBL
)在
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
掉电
电路
注意:
1.为了达到最佳实践建议,请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-06497修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62137VN的MoBL
产品组合
功耗
V
CC
范围(V )
产品
CY62137VNLL工业
CY62137VNLL
CY62137VNLL汽车-A
CY62137VNLL汽车-E
分钟。
2.7
典型值。
[3]
3.0
马克斯。
3.6
55
70
70
70
速度
(纳秒)
工作,我
CC
(MA )
典型值。
[3]
7
7
7
7
马克斯。
20
15
15
15
待机情况下,我
SB2
(A)
典型值。
[3]
1
1
1
1
马克斯。
15
15
15
20
销刀豆网络gurations
TSOP II (向前)
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
引脚德网络nitions
引脚数
TYPE
A
0
–A
16
。地址输入
I / O
0
-I / O
15
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
NC 。
该管脚没有连接到模
描述
1-5 , 18-22 , 24-27 , 42-45输入
7-10 , 13-16 , 29-32 , 35-38输入/输出
23
17
6
40, 39
41
无连接
输入/控制
WE 。
当选择LOW ,写进行。当选择高,一个读的是
进行
输入/控制
CE 。
当低,选择芯片。当HIGH ,取消选择芯片
输入/控制
字节写选择输入,低电平有效。
BHE控制I / O
15
-I / O
8
, BLE控制
I / O
7
-I / O
0
.
输入/控制
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时,I / O引脚
表现为输出。当拉高高, I / O引脚处于三态,并作为输入
数据引脚
V
SS
。地为设备
12, 34
11, 33
电源
V
CC
。电源为设备
注意事项:
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)
., T
A
= 25°C.
文件编号: 001-06497修订版**
第11 2
[+ ]反馈
CY62137VN的MoBL
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[4]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.7V至3.6V
电气特性
在整个工作范围
-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
MIN 。 TYP 。
[3]
2.4
0.4
2.2
–0.5
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
O
& LT ; V
CC
,输出禁用
I
OUT
= 0 mA时,
V
CC
= 3.6V Ind'l
f = f
最大
= 1/t
RC
,
自动A /
CMOS电平
自动-E
I
OUT
= 0 mA时,
F = 1MHz时,
CMOS电平
I
SB1
自动CE
掉电
目前, CMOS
输入
自动CE
掉电
目前, CMOS
输入
Ind'l
自动A /
自动-E
100
–1
–1
7
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
20
2.2
–0.5
–1
–1
7
7
1
2
1
1
马克斯。
输出高电压V
CC
= 2.7V ,我
OH
= -1.0毫安
输出低电压V
CC
= 2.7V ,我
OL
= 2.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
15
15
2
2
100
100
1
15
1
1
1
15
15
20
A
A
mA
-70
MIN 。 TYP 。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
CE > V
CC
– 0.3V, V
CC
= 3.6V Ind'l
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V
自动A /
或V
IN
& LT ; 0.3V ,
自动-E
f = f
最大
CE > V
CC
– 0.3V V
CC
= 3.6V Ind'l /
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V
自动-A
或V
IN
& LT ; 0.3V ,
f=0
自动-E
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= V
CC (典型值)
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
TSOPII
60
22
单位
° C / W
° C / W
热阻(结到环境)静止空气,焊接在4.25 X 1.125英寸,
热阻(结点到外壳) 2层印刷电路板
注意事项:
4. V
IL
(分) = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 001-06497修订版**
第11 3
[+ ]反馈
CY62137VN的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
R1
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间:
1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间:
1 V / ns的
(a)
(b)
相当于:
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
(c)
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
价值
1105
1550
645
1.75
单位
数据保持特性
(在整个工作范围内)
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.0V , CE& GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
< 0.3V ;
没有输入可能超过V
CC
+ 0.3V
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
分钟。
1.0
0.5
7.5
10
ns
ns
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[5]
t
R
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC
(分)
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC
(分)
t
R
CE
文件编号: 001-06497修订版**
第11 4
[+ ]反馈
CY62137VN的MoBL
开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE (9)
t
HZBE
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[7, 8]
我们前高后低-Z
[7]
BHE / BLE低到结束写入的
5
50
55
45
45
0
0
40
25
0
20
10
60
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
BHE / BLE高来高-Z
5
25
0
55
55
5
25
10
25
0
70
70
5
25
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
[6]
55纳秒
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项:
6.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平的0电平输入到V
CC
指定的典型值,和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载( b)所示。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
9.如果两个字节使能切换起来这个值是10纳秒。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写,要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期#3( WE控制, OE为低电平)是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号: 001-06497修订版**
第11个5
[+ ]反馈
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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    CY62137VNLL-70ZSXE
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY62137VNLL-70ZSXE
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
CY62137VNLL-70ZSXE
CYPRESS
2425+
11280
TSOP-44
进口原装!优势现货!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CY62137VNLL-70ZSXE
CYPRESS
21+
15000.00
TSOP44
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CY62137VNLL-70ZSXE
Cypress Semiconductor Corp
24+
10000
44-TSOP II
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CY62137VNLL-70ZSXE
Infineon Technologies
24+
10000
44-TSOP II
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CY62137VNLL-70ZSXE
Infineon Technologies
24+
15000
44-TSOP II
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
CY62137VNLL-70ZSXE
CYPRESS
24+
9850
TSSOP-44
100%原装正品,可长期订货
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
CY62137VNLL-70ZSXE
Cypress Semiconductor Corp
24+
22000
527¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
CY62137VNLL-70ZSXE
CYPRESS/赛普拉斯
24+
21000
TSSOP44
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
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CY62137VNLL-70ZSXE
Cypress
22+
39257
44-TSOP II
专业分销产品!原装正品!价格优势!
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电话:18820154873
联系人:李
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CY62137VNLL-70ZSXE
Cypress
24+
82800
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