CY62137V的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
高速
= 55 ns的
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
宽电压范围： 2.7V - 3.6V
超低工作，待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅标准
44引脚TSOP II型封装
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可降低功耗
99 ％的消费时，地址不切换。该
设备也可以置于待机模式时取消
（ CE HIGH）或当CE为低电平，既BLE和BHE的
HIGH 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在
，输出取消（ CE HIGH ） ：当一个高阻抗状态
禁用（ OE高） ， BHE和BLE被禁用（ BHE ，
BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE
低） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62137V是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
电源-Down
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”上http://www.cypress.com
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05051牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月19日
[+ ]反馈
CY62137V的MoBL
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62137VLL
分钟。
2.7
典型值。
[2]
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
55
70
70
汽车
工作，我
CC
（MA ）
等级
产业
典型值。
[2]
7
7
7
马克斯。
20
15
15
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
1
1
1
马克斯。
15
15
20
销刀豆网络gurations
[3]
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
引脚德网络nitions
引脚数
1–5, 18–22, 24–27, 42–45
TYPE
输入
A
0
–A
16
。地址输入
I / O
0
-I / O
15
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
NC 。
该管脚没有连接到模
描述
7-10 ， 13-16 ， 29-32 ， 35-38输入/输出
23
17
6
40, 39
无连接
输入/控制
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读
进行
输入/控制
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
输入/控制
BHE ， BLE 。
BHE = LOW选择高字节写或读上SRAM
BLE = LOW选择低位字节写或读上SRAM
输入/控制
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚
表现为输出。当拉高高， I / O引脚处于三态，并作为
输入数据引脚
地
V
SS
。地为设备
41
12, 34
11, 33
电源
V
CC
。电源为设备
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
., T
A
= 25°C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
文件编号： 38-05051牧师* E
第11 2
[+ ]反馈
CY62137V的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[4]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.7V至3.6V
2.7V至3.6V
电气特性
在整个工作范围
CY62137V-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出低电压I
OL
= 2.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
= 3.6V
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–1
7
输出高电压I
OH
= -1.0毫安
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
20
2.2
–0.5
–1
–1
7
CY62137V-70
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
15
V
V
V
V
A
A
mA
MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 UNIT
V
CC
工作电源我
OUT
= 0 mA时，
当前
f = f
最大
= 1/t
RC
,
CMOS电平
I
OUT
= 0 mA时， F = 1MHz时，
CMOS电平
1
V
CC
= 3.6V
2
100
1
2
100
mA
A
I
SB1
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
I
SB2
V
CC
= 3.6V工业
汽车
1
15
1
1
15
20
A
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸，
2层印刷电路板
TSOPII
60
22
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
4. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05051牧师* E
第11 3
[+ ]反馈
CY62137V的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[6]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE [9]
t
HZBE
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[7, 8]
我们前高后低-Z
[7]
BHE / BLE低到结束写入的
5
50
55
45
45
0
0
40
25
0
20
10
60
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
BHE / BLE高来高-Z
5
25
0
55
55
5
25
10
25
0
70
70
5
25
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平的0电平输入到V
CC
指定的典型值，和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
9.如果两个字节使能切换起来这个值是10纳秒。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05051牧师* E
第11个5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
