CY62137CV30 / 33的MoBL
CY62137CV的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
??非常高的速度
= 55 ns的
温度范围
- 工业 - 40 ° C至+ 85°C
- 汽车： - 40 ° C至+ 125°C
与CY62137V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 7毫安@频率= F
最大
（ 55纳秒的速度）
低和超低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅48球FBGA
包
超低的有功电流。这是理想的提供更多的电池
生活 （的MoBL
）在便携式应用中，例如蜂窝
电话。该器件还具有自动断电
特征由80％显著降低功耗
当地址不切换。该设备也可以放
进入待机模式，功耗降低超过
当取消99 ％ （ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ）
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在
写操作（ CE低， WE LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62137CV30 / 33和CY62137CV是高性
曼斯CMOS静态RAM， 16组织为128K字
位。这些器件具有先进的电路设计，提供
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
11
电源-Down
电路
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05201牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月21日
[+ ]反馈
CY62137CV30 / 33的MoBL
CY62137CV的MoBL
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62137CV30LL
范围
产业
分钟。
2.7
典型值。
[2]
3.0
马克斯。
3.3
F = 1 MHz的
速度
（纳秒）
55
70
CY62137CV30LL
CY62137CV33LL
CY62137CVSL
汽车
产业
产业
2.7
3.0
2.7
3.0
3.3
3.3
3.3
3.6
3.6
70
55
70
典型值。
[2]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[2]
7
5.5
5.5
7
5.5
马克斯。
15
12
15
15
12
2
5
1
15
15
5
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
2
马克斯。
10
引脚配置
[3, 4]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
A
14
A
12
A
9
I / O
14
I / O
13
I / O
15
NC
NC
A
8
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚未连接到模具上。
4. E3 （ DNU ）引脚都被悬空或连接到V
SS
为确保正常运行。
文件编号： 38-05201牧师* G
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY62137CV30 / 33的MoBL
CY62137CV的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.5V到V
CC（ MAX）的
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[5]
................................. -0.5V到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62137CV30
CY62137CV33
CY62137CV
范围
产业
环境
温度T
A
V
CC
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
-40 ° C至+ 85°C 2.7V至3.3V
CY62137CV30汽车-40 ° C至+ 125°C 2.7V至3.3V
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Ind'l
AUTO
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
Ind'l
AUTO
V
CC
= 3.3V
Ind'l
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平自动
Ind'l
AUTO
I
SB1
自动CE
Ind'l
CE > V
CC
– 0.2V
掉电
V > V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入
IN
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
AUTO
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
电流 - CMOS输入F = 0 ，V
CC
= 3.3V
Ind'l
AUTO
2
10
7
15
-1
+1
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
-0.3
-1
CY62137CV30-70
MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 UNIT
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
2.2
-0.3
-1
-2
-1
-2
5.5
5.5
1.5
3
1.5
1.5
2
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+2
+1
+2
12
15
3
3
10
A
mA
A
V
V
V
V
A
I
OZ
I
CC
F = 1 MHz的
2
2
10
2
2
15
10
15
A
I
SB2
注意：
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
文件编号： 38-05201牧师* G
第13 3
[+ ]反馈
CY62137CV30 / 33的MoBL
CY62137CV的MoBL
电气特性
在工作范围（续）
CY62137CV33-55
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
2.2
-0.3
-1
-1
7
1.5
5
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
15
3
15
2.2
-0.3
-1
-1
5.5
1.5
5
0.4
MIN 。 TYP 。
[2]
2.4
马克斯。
CY62137CV-70
MIN 。 TYP 。
[2]
2.4
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
12
3
15
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
操作
电源电流
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电
V > V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
目前-CMOS输入
IN
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
LL
CE > V
CC
– 0.2V
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
目前-CMOS输入V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.6V SL
I
SB2
5
5
15
15
5
1
15
5
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[6]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
FBGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05201牧师* G
第13 4
[+ ]反馈
CY62137CV30 / 33的MoBL
CY62137CV的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
LL
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SL
Ind'l
AUTO
Ind'l
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
1
典型值。
[4]
马克斯。
V
CC（ MAX）的
6
8
4
ns
ns
A
单位
V
t
CDR[6]
t
R[7]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[8]
数据保持方式
V
CC
CE或
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
BHE.BLE
注意事项：
7.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
8. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05201牧师* G
第13个5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
