CY62137CV18 MoBL2
128K ×16静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
低电压范围：
—
1.65V1.95V
与CY62137BV18引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流为0.5毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 1.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒
速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE为高或都BLE和BHE是HIGH ） 。该
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
，输出取消（ CE HIGH ） ：在高阻抗状态
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该CY62137CV18是采用48球FBGA封装。
功能说明
该CY62137CV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 X 1024
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
电源-Down
电路
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05017牧师* C
3901北一街
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年8月28日
CY62137CV18 MoBL2
引脚配置
[1, 2]
1
FBGA
顶视图
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CCQ
V
SSQ
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.2V至+ 2.4V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态[ 3 ] ...................................- 0.2V至V
CC
+ 0.2V
直流输入电压[ 3 ] ............................... -0.2V到V
CC
+ 0.2V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
CY62137CV18工业
40°C
至+ 85°C 1.65V到1.95V
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62137CV18
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[4]
1.65V
1.80V
V
CC （最大）
1.95V
速度
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
0.5毫安
0.5毫安
马克斯。
2毫安
2毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
2毫安
1.5毫安
马克斯。
7毫安
6毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
[4]
1
A
马克斯。
8
A
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV18-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
测试条件
I
OH
=
0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.2
–1
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2V
0.4
+1
1.4
–0.2
–1
典型值。
[4]
马克斯。
CY62137CV18-70
MIN 。 TYP 。
[4]
MAX 。 UNIT
1.4
0.2
V
CC
+
0.2V
0.4
+1
V
V
V
V
A
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
IL
（分钟） =
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05017牧师* C
第11 2
CY62137CV18 MoBL2
电气特性
在整个工作范围
（续）
CY62137CV18-55
参数
I
OZ
描述
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
测试条件
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 1.95V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
MIN 。 TYP 。
[4]
–1
2
0.5
1
马克斯。
+1
7
2
8
CY62137CV18-70
MIN 。 TYP 。
[4]
MAX 。 UNIT
–1
1.5
0.5
1
+1
6
2
8
A
mA
mA
A
I
CC
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
掉电电流 - < 0.2V F = F
最大
（地址和数据
只） ， F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CMOS输入
自动CE
CE > V
CC
0.2V V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或
掉电电流 - V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 1.95V
CMOS输入
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
GND
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
上升时间：
1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
RTH
所有的输入脉冲
V
CC
典型值
10%
90%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
1.8V
13500
10800
6000
0.80
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.0V ， CE＆ GT ; V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
条件
分钟。
1.0
0.5
典型值。
[4]
马克斯。
1.95
5
单位
V
A
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05017牧师* C
第11 3
CY62137CV18 MoBL2
数据保持特性
（在工作范围） （续）
参数
t
CDR[5]
t
R[6]
描述
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
分钟。
0
t
RC
典型值。
[4]
马克斯。
单位
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE或
BHE.BLE
开关特性
在整个工作范围
[8]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
周期
[11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
55
40
40
0
0
40
40
25
0
70
60
60
0
0
50
60
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到
OE为高电平
低Z
[9]
高-Z
[9, 10]
5
20
0
55
55
5
20
5
25
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[9, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到
低Z
[9]
[9, 10]
BLE / BHE高来高-Z
注意事项：
6，全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和T
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05017牧师* C
第11 4
CY62137CV18 MoBL2
开关特性
在整个工作范围
[8]
（续）
55纳秒
参数
t
HZWE
t
LZWE
描述
WE低到高-Z
[9, 10]
我们前高后低-Z
[9]
5
分钟。
马克斯。
20
10
分钟。
70纳秒
马克斯。
25
单位
ns
ns
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
CE
t
ACE
OE
t
RC
t
PD
t
HZCE
BHE / BLE
t
美国能源部
t
HZOE
t
LZOE
t
HZBE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
50%
数据有效
高
阻抗
I
CC
I
SB
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL 。
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或一致通过CE ， BHE ， BLE ，变为低电平有效。
文件编号： 38-05017牧师* C
第11个5
QQ：2881677436 复制
