CY62136VN的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
高速： 55纳秒
宽电压范围： 2.7V - 3.6V
超低工作，待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供标准的无铅44引脚TSOP II型，
无铅和无无铅48球FBGA封装
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62136VN是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
PinConfigurations
[3]
TSOP II （向前）
顶视图
128K ×16
RAM阵列
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
A
11
A
12
A
13
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
A
16
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06510修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62136VNLL
民
2.7
典型值。
[2]
工作，我
CC
（MA ）
速度
55
55
70
70
70
范围
产业
汽车-A
产业
汽车-A
汽车-E
典型值。
7
7
7
7
7
[2]
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
1
1
1
1
1
最大
15
15
15
15
20
最大
3.6
最大
20
20
15
15
20
3.0
销刀豆网络gurations
[3]
FBGA
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
顶视图
4
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
文件编号： 001-06510修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车-A
汽车-E
环境温度[T
A
]
[5]
40°C
至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.7V至
3.6V
电气特性
在整个工作范围
-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.5
Ind'l
自动-A
自动-E
I
OZ
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
Ind'l
自动-A
自动-E
I
CC
V
CC
操作
供应
当前
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V ， Ind'l
I
OUT
= 0 mA时，
自动-A
CMOS
水平
自动-E
Ind'l
自动-A
自动-E
I
SB1
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Ind'l
自动-A
自动-E
Ind'l
自动-A
自动-E
1
1
15
15
1
1
1
100
100
7
7
1
1
20
20
2
2
–1
–1
+1
+1
–1
–1
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
2.2
–0.5
–1
–1
–10
–1
–1
–10
7
7
7
1
1
1
典型值。
[2]
马克斯。
输出高电压V
CC
= 2.7V ，我
OH
=
1.0
mA
输出低电压V
CC
= 2.7V ，我
OL
= 2.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
+10
+1
+1
+10
15
15
20
2
2
2
100
100
100
15
15
20
A
A
A
A
mA
-70
MIN 。 TYP 。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
F = 1 MHz的
I
SB2
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
4. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06510修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
热阻
[6]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸，
4层印刷电路板
TSOPII
60
22
FBGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
产量
GND
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
上升时间：
1 V / ns的
R1
V
CC
典型值
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(c)
(b)
相当于：戴维南等效
RTH
(a)
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
价值
1105
1550
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[6]
t
R[7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
0
70
条件
[9]
分钟。
1.0
0.5
7.5
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意：
7.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ;
100 ms或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100毫秒。
8.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V
文件编号： 001-06510修订版**
第12页4
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[9]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[12, 13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[10, 11]
我们前高后低-Z
[10]
5
55
45
45
0
0
40
50
25
0
20
10
70
60
60
0
0
50
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10]
OE高来高-Z
[10, 11]
CE低到低Z
[10]
CE高来高-Z
[10, 11]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[10, 11]
BLE / BHE高来高-Z
[12]
5
25
0
55
25
5
25
10
25
0
70
35
5
25
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
9.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC
指定的典型值，和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
11. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
12.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
13.最小写入周期时间为写周期3 （WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06510修订版**
第12页5
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
高速： 55纳秒
宽电压范围： 2.7V - 3.6V
超低工作，待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供标准的无铅44引脚TSOP II型，
无铅和无无铅48球FBGA封装
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62136VN是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
PinConfigurations
[3]
TSOP II （向前）
顶视图
128K ×16
RAM阵列
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
A
11
A
12
A
13
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
A
16
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06510修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62136VNLL
民
2.7
典型值。
[2]
工作，我
CC
（MA ）
速度
55
55
70
70
70
范围
产业
汽车-A
产业
汽车-A
汽车-E
典型值。
7
7
7
7
7
[2]
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
1
1
1
1
1
最大
15
15
15
15
20
最大
3.6
最大
20
20
15
15
20
3.0
销刀豆网络gurations
[3]
FBGA
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
顶视图
4
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
文件编号： 001-06510修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车-A
汽车-E
环境温度[T
A
]
[5]
40°C
至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.7V至
3.6V
电气特性
在整个工作范围
-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.5
Ind'l
自动-A
自动-E
I
OZ
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
Ind'l
自动-A
自动-E
I
CC
V
CC
操作
供应
当前
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V ， Ind'l
I
OUT
= 0 mA时，
自动-A
CMOS
水平
自动-E
Ind'l
自动-A
自动-E
I
SB1
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Ind'l
自动-A
自动-E
Ind'l
自动-A
自动-E
1
1
15
15
1
1
1
100
100
7
7
1
1
20
20
2
2
–1
–1
+1
+1
–1
–1
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
2.2
–0.5
–1
–1
–10
–1
–1
–10
7
7
7
1
1
1
典型值。
[2]
马克斯。
输出高电压V
CC
= 2.7V ，我
OH
=
1.0
mA
输出低电压V
CC
= 2.7V ，我
OL
= 2.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
+10
+1
+1
+10
15
15
20
2
2
2
100
100
100
15
15
20
A
A
A
A
mA
-70
MIN 。 TYP 。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
F = 1 MHz的
I
SB2
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
4. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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第12页3
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
热阻
[6]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸，
4层印刷电路板
TSOPII
60
22
FBGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
产量
GND
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
上升时间：
1 V / ns的
R1
V
CC
典型值
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(c)
(b)
相当于：戴维南等效
RTH
(a)
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
价值
1105
1550
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[6]
t
R[7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
0
70
条件
[9]
分钟。
1.0
0.5
7.5
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意：
7.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ;
100 ms或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100毫秒。
8.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V
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第12页4
[+ ]反馈
CY62136VN的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[9]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[12, 13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[10, 11]
我们前高后低-Z
[10]
5
55
45
45
0
0
40
50
25
0
20
10
70
60
60
0
0
50
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10]
OE高来高-Z
[10, 11]
CE低到低Z
[10]
CE高来高-Z
[10, 11]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[10, 11]
BLE / BHE高来高-Z
[12]
5
25
0
55
25
5
25
10
25
0
70
35
5
25
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
9.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC
指定的典型值，和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
11. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
12.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
13.最小写入周期时间为写周期3 （WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06510修订版**
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