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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1248页 > CY62136EV30
CY62136EV30
的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62136CV30引脚兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1μA
- 最大待机电流： 7μA
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
易于扩展内存通过CE ， OE和特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
参团的无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
功能说明
[1]
该CY62136EV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低80％时的地址不
切换。该设备还可以置于待机模式
功耗降低时的99％以上
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05569牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年1月6日
[+ ]反馈
CY62136EV30
的MoBL
引脚配置
[2, 3]
VFBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
44 TSOP II （顶视图）
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
产品组合
[4]
功耗
产品
分钟。
CY62136EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值。
[4]
3.0
马克斯。
3.6
45
速度
（纳秒）
工作ICC （MA ）
F = 1MHz的
典型值。
[4]
2
马克斯。
2.5
f = f
最大
典型值。
[4]
15
马克斯。
20
待我
SB2
(A)
典型值。
[4]
1
马克斯。
7
注意事项：
2. NC引脚未连接的芯片。
3.引脚D3， H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚4兆比特， 8兆位， 16兆位和32兆位，分别。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05569牧师* B
第12页2
[+ ]反馈
CY62136EV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.............................. -0.3V至3.9V （V
CC MAX
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5,6]
................ -0.3V至3.9V （V
CC MAX
+ 0.3V)
直流输入电压
[5,6]
............ -0.3V至3.9V （V
CC MAX
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
[7]
设备
CY62136EV30LL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+ 85°C 2.2V - 3.6V
电气特性
在整个工作范围
[5, 6, 7]
45纳秒
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
15
2
1
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
20
2.5
7
A
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
输入高电压V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
输入低电压V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax ，
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V)
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ）
V
CC
= 3.60V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< 0.2V ， F = 0 ，
V
CC
= 3.60V
I
SB2
1
7
A
电容
（对于所有的软件包）
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
=V
CC
+ 0.75V的脉冲持续时间小于20ns 。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到Vcc （分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05569牧师* B
第12页3
[+ ]反馈
CY62136EV30
的MoBL
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[8]
热阻
（结点到外壳）
[8]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
VFBGA
包
75
10
TSOP II
包
77
13
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
（在整个工作范围内）
[8, 9]
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.0V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.0
0.8
3
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[8]
t
R[9]
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05569牧师* B
第12页4
[+ ]反馈
CY62136EV30
的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[10, 11, 12, 13]
45纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 12]
我们前高后低-Z
[11]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高到高Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
BLE / BHE高到高阻
[11, 12]
5
18
0
45
22
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05569牧师* B
第12页5
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
2兆位（ 128千× 16 ）静态RAM
2兆位（ 128千× 16 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
功能说明
该CY62136EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。该设备可以
也可将其置于待机模式，功耗降低
超过99％的取消时（CE高电平） 。输入/输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态
时：取消选择（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高）
这两个高字节使能和字节使能低禁用（ BHE ，
BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能完成（ CE ）
和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
第11页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20 V至3.60 V
引脚兼容CY62136CV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 7
A
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2毫安
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度/功耗
提供的无铅48球非常精细球栅阵列（ VFBGA ）
和44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）包
■
■
■
■
■
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05569牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月16日
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ .......... 13
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... 15 ..
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 38-05569牧师* E
第16页2
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
引脚配置
图1. 48球VFBGA （顶视图）
[1, 2]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
图2. 44针TSOP II （顶视图）
[1]
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
产品组合
功耗
产品
[3]
民
CY62136EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
典型值
[3]
2
工作ICC （MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[3]
15
最大
20
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
最大
7
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.引脚D3 ， H1 ， G2 ， H6和H3的VFBGA封装的地址扩展引脚分别为4兆， 8兆， 16兆， 32兆和64兆。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05569牧师* E
第16页3
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在........................... 0.3 V至3.9 V（V
CC MAX
+ 0.3 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
.......... 0.3 V至3.9 V（V
CC MAX
+ 0.3 V)
直流输入电压
[4, 5]
....... -0.3 V至3.9 V（V
CC MAX
+ 0.3 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62136EV30LL
范围
环境
温度
V
CC
[6]
工业-40 ° C至+85°C 2.2 V - 3.6 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1[8]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
45纳秒
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
V
CC
= V
CCmax ，
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
典型值
[7]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
15
2
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
20
2.5
7
A
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
CE > V
CC
0.2
V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ） ，V
CC
= 3.60 V
CE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2V ， F = 0 ，
V
CC
= 3.60 V
I
SB2 [8]
–
1
7
A
笔记
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到Vcc （分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C.
8.芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规范。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05569牧师* E
第16页4
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
电容
参数
[9]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[9]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
48球VFBGA 44针TSOP II
包
包
75
10
77
13
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图3. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
记
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05569牧师* E
第16页5
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
功能说明
该CY62136EV30
[1]
是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织成128 K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。该设备可以
也可将其置于待机模式，功耗降低
超过99％的取消时（CE高电平） 。输入/输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态
时：取消选择（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高）
这两个高字节使能和字节使能低禁用（ BHE ，
BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能完成（ CE ）
和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
真值表
第10页
用于读取和写入模式的完整描述。
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20 V至3.60 V
引脚兼容CY62136CV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 7
A
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2毫安
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度/功耗
提供的无铅48球非常精细球栅阵列（ VFBGA ）
和44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）包
■
■
■
■
■
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用说明“ SRAM系统设计指南”
http://www.cypress.com 。
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05569牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月17日
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ .............. 3
产品组合................................................ ............... 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4 ..
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 5
数据保存波形............................................... 5
开关特性................................................ 6
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义........................................... 11
包图................................................ .......... 12
与缩略语................................................. ....................... 13
文档约定................................................ 13
计量单位............................................... ........ 13
文档历史记录页............................................... .. 14
销售，解决方案和法律信息...................... 15
全球销售和设计支持....................... 15
产品................................................. ................... 15
的PSoC解决方案................................................ ......... 15
文件编号： 38-05569牧师* D
分页： 15 2
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
引脚配置
[2, 3]
VFBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
44 TSOP II （顶视图）
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
产品组合
[4]
功耗
产品
民
CY62136EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[4]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
典型值
[4]
2
工作ICC （MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[4]
15
最大
20
待我
SB2
(A)
典型值
[4]
1
最大
7
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.引脚D3 ， H1 ， G2 ， H6和H3的VFBGA封装的地址引脚扩展为4兆， 8兆， 16兆， 32兆和64兆分别
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05569牧师* D
第15 3
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在........................... 0.3 V至3.9 V（V
CC MAX
+ 0.3 V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5,6]
.............. 0.3 V至3.9 V（V
CC MAX
+ 0.3 V)
直流输入电压
[5,6]
........... -0.3 V至3.9 V（V
CC MAX
+ 0.3 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
-40 ° C至
+85 °C
V
CC
[7]
2.2 V - 3.6 V
CY62136EV30LL工业
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
[9]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS
输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
45纳秒
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
V
CC
= V
CCmax ，
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
典型值
[8]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
15
2
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
20
2.5
7
A
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
= 2.2V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CE > V
CC
0.2
V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2 V, V
IN
<0.2 V）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ）
V
CC
= 3.60 V
CE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2V ， F = 0 ，
V
CC
= 3.60 V
I
SB2
[9]
–
1
7
A
电容
参数
[10]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
=V
CC
0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到Vcc （分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C
9.芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规范。其他输入可以悬空。
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05569牧师* D
第15 4
[+ ]反馈
CY62136EV30的MoBL
热阻
参数
[11]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图1. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层印刷
电路板
VFBGA
包
75
10
TSOP II
包
77
13
单位
C
/ W
C
/ W
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
2.50 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
[13]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.0 V
CE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V
条件
民
1.0
–
典型值
[12]
–
0.8
最大
–
3
单位
V
A
t
CDR
[11]
t
R
[14]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
0
45
–
–
–
ns
ns
数据保存波形
[15]
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
笔记
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
12.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C
13.芯片使能（ CE）和字节使能（ BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，以满足我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规范。其他输入可以悬空
14.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
15. BHE.BLE是既BHE和BLE和。该芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05569牧师* D
第15个5
[+ ]反馈
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CCPD-023X-20-155.520
CS83C92C-CP
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