CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
2M （ 128K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
电压范围：
- CY62136CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62136CV33 ： 3.0V - 3.6V
- CY62136CV ： 2.7V - 3.6V
与CY62136V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
48球FBGA封装提供
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低80％时的地址不
切换。该设备还可以置于待机模式
功耗降低时的99％以上
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
在与CY62136CV是高性能静态CMOS
RAM （16位）组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
13
A
11
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05199牧师* D
3901北一街
A
14
A
15
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月20日
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
引脚配置
[2, 3]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
FBGA （顶视图）
4
2
5
3
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
NC
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.5V到V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62136CV30
CY62136CV33
CY62136CV
范围
环境
温度
V
CC
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
工业-40 ° C至+ 85°C 2.7V至3.3V
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62136CV30LL
CY62136CV33LL
CY62136CVLL
V
CC（分钟）
2.7
3.0
2.7
V
CC （典型值）。
[5]
V
CC （最大）
3.0
3.3
3.3
3.3
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
7
5.5
7
5.5
5.5
马克斯。
15
12
15
12
12
5
15
5
15
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[5]
2
马克斯。
10
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3， E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05199牧师* D
分页： 13 2
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62136CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
10
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
典型值。
[5]
马克斯。
CY62136CV30-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
10
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，女
= f
最大
（地址和数据只），F
= 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
CY62136CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
0.4
分钟。
2.4
典型值。
[5]
马克斯。
输出高电压I
OH
= -1.0毫安
CY62136CV33-70
CY62136CV-70
分钟。
2.4
2.4
0.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
文件编号： 38-05199牧师* D
第13 3
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[6]
热阻
（结点到外壳）
[6]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[6]
t
R[7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
1
典型值。
[5]
马克斯。
V
CCmax
6
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05199牧师* D
第13 4
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[8]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[9, 10]
我们前高后低-Z
[9]
10
55
45
45
0
0
40
50
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
CE为低电平
CE为高电平
[9, 10]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
25
70
35
5
20
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
55
10
5
10
0
低Z
[9]
高-Z
[9, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[9]
BHE / BLE高来高-Z
[9, 10]
5
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
10.
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
， BHE ， BLE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05199牧师* D
第13个5
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
2M （ 128K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
电压范围：
- CY62136CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62136CV33 ： 3.0V - 3.6V
- CY62136CV ： 2.7V - 3.6V
与CY62136V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
48球FBGA封装提供
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低80％时的地址不
切换。该设备还可以置于待机模式
功耗降低时的99％以上
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
在与CY62136CV是高性能静态CMOS
RAM （16位）组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
13
A
11
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05199牧师* D
3901北一街
A
14
A
15
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月20日
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
引脚配置
[2, 3]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
FBGA （顶视图）
4
2
5
3
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
NC
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.5V到V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62136CV30
CY62136CV33
CY62136CV
范围
环境
温度
V
CC
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
工业-40 ° C至+ 85°C 2.7V至3.3V
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62136CV30LL
CY62136CV33LL
CY62136CVLL
V
CC（分钟）
2.7
3.0
2.7
V
CC （典型值）。
[5]
V
CC （最大）
3.0
3.3
3.3
3.3
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
7
5.5
7
5.5
5.5
马克斯。
15
12
15
12
12
5
15
5
15
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[5]
2
马克斯。
10
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3， E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05199牧师* D
分页： 13 2
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62136CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
10
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
典型值。
[5]
马克斯。
CY62136CV30-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
10
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，女
= f
最大
（地址和数据只），F
= 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
CY62136CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
0.4
分钟。
2.4
典型值。
[5]
马克斯。
输出高电压I
OH
= -1.0毫安
CY62136CV33-70
CY62136CV-70
分钟。
2.4
2.4
0.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
文件编号： 38-05199牧师* D
第13 3
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[6]
热阻
（结点到外壳）
[6]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[6]
t
R[7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
1
典型值。
[5]
马克斯。
V
CCmax
6
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05199牧师* D
第13 4
CY62136CV30 / 33的MoBL
CY62136CV的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[8]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[9, 10]
我们前高后低-Z
[9]
10
55
45
45
0
0
40
50
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
CE为低电平
CE为高电平
[9, 10]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
25
70
35
5
20
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
55
10
5
10
0
低Z
[9]
高-Z
[9, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[9]
BHE / BLE高来高-Z
[9, 10]
5
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
10.
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
， BHE ， BLE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05199牧师* D
第13个5
QQ：2881677436 复制
