CY62136CV30的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
??非常高的速度
= 55 ns的
电压范围
— 2.7V – 3.3V
与CY62136V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 7毫安@频率= F
最大
（ 55纳秒的速度）
低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅48球VFBGA
包
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低80％时的地址不
切换。该设备还可以置于待机模式
功耗降低时的99％以上
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62136CV30是高性能CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05199牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月19日
CY62136CV30的MoBL
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62136CV30LL
V
CC（分钟）
2.7
V
CC （典型值）。
[2]
V
CC （最大）
3.0
3.3
F = 1 MHz的
速度
（纳秒）
55
70
典型值。
[2]
1.5
1.5
马克斯。
3
3
f = f
最大
典型值。
[2]
7
5.5
马克斯。
15
12
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
2
马克斯。
10
引脚配置
[3, 4]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚未连接到模具上。
4. E3 （ DNU ）引脚都被悬空或连接到V
SS
为确保正常运行。
文件编号： 38-05199牧师* E
第12页2
CY62136CV30的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位 - 0.5V至V
CC（ MAX）的
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
设备
CY62136CV30
范围
直流输入电压
[5]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
环境
温度
V
CC
工业-40 ° C至+ 85°C 2.7V至3.3V
电气特性
在整个工作范围
CY62136CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
10
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
典型值。
[2]
马克斯。
CY62136CV30-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
10
A
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
2
10
2
10
A
电容
[7]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[7]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05199牧师* E
第12页3
CY62136CV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[8]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[9, 10]
我们前高后低-Z
[9]
10
55
45
45
0
0
40
50
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
[9, 10]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[9, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[9]
BHE / BLE高来高-Z
[9, 10]
5
20
0
55
25
5
25
10
20
0
70
35
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
10.
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05199牧师* E
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