CY62136CV18 MoBL2
128K ×16静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
低电压范围：
—
1.65V1.95V
引脚兼容CY62136BV18
超低有功功率
- 典型工作电流为0.5毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 1.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒
速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
自动断电功能，可显著降低
99％的功耗，当地址不切换。
该装置还可以deselect-当置于待机模式
ED （ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时：取消选择（ CE
HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高恩
能和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ） ，或
在写操作（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面的完整信息真值表
scription的读写模式。
该CY62136CV18是48球FBGA封装可供选择。
功能说明
该CY62136CV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命
（的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 X 1024
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05016牧师* C
3901北一街
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年8月30日
CY62136CV18 MoBL2
引脚配置
[1, 2]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CCQ
V
SSQ
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
.................0.2V
至+ 2.4V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
........................................ 0.2V
到V
CC
+ 0.2V
直流输入电压
[3]
.................................... 0.2V
到V
CC
+ 0.2V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62136CV18
范围
产业
环境温度
40°C
至+ 85°C
V
CC
1.65V到1.95V
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62136CV18
V
CC（分钟）
1.65V
V
CC （典型值）
[4]
1.80V
V
CC（ MAX）的
1.95V
速度
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
0.5毫安
0.5毫安
马克斯。
2毫安
2毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
2毫安
1.5毫安
马克斯。
7毫安
6毫安
典型值。
[4]
1
A
马克斯。
8
A
待机（我
SB2
)
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
IL
（分钟） =
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05016牧师* C
第12页2
CY62136CV18 MoBL2
电气特性
在整个工作范围
CY62136CV18-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 1.95V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
=
0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
0.2
1
1
2
0.5
1
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2V
0.4
+1
+1
7
2
8
1.4
0.2
1
1
1.5
0.5
1
典型值。
[4]
马克斯。
CY62136CV18-70
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2V
0.4
+1
+1
6
2
8
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
CC
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 1.95V
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05016牧师* C
第12页3
CY62136CV18 MoBL2
开关特性
在整个工作范围
[7]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[10]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
25
70
35
5
20
25
70
60
60
0
0
50
60
30
0
20
25
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[8]
BLE / BHE高到高阻
[8, 9]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8, 9]
WE高到低Z
[8]
分钟。
55
10
5
5
0
5
55
40
40
0
0
40
40
25
0
5
注意事项：
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和T
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
10.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写
文件编号： 38-05016牧师* C
第12页5
CY62136CV18 MoBL2
128K ×16静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
低电压范围：
—
1.65V1.95V
引脚兼容CY62136BV18
超低有功功率
- 典型工作电流为0.5毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 1.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒
速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
自动断电功能，可显著降低
99％的功耗，当地址不切换。
该装置还可以deselect-当置于待机模式
ED （ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时：取消选择（ CE
HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高恩
能和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ） ，或
在写操作（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面的完整信息真值表
scription的读写模式。
该CY62136CV18是48球FBGA封装可供选择。
功能说明
该CY62136CV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命
（的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 X 1024
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05016牧师* C
3901北一街
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年8月30日
CY62136CV18 MoBL2
引脚配置
[1, 2]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CCQ
V
SSQ
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
.................0.2V
至+ 2.4V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
........................................ 0.2V
到V
CC
+ 0.2V
直流输入电压
[3]
.................................... 0.2V
到V
CC
+ 0.2V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62136CV18
范围
产业
环境温度
40°C
至+ 85°C
V
CC
1.65V到1.95V
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62136CV18
V
CC（分钟）
1.65V
V
CC （典型值）
[4]
1.80V
V
CC（ MAX）的
1.95V
速度
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
0.5毫安
0.5毫安
马克斯。
2毫安
2毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
2毫安
1.5毫安
马克斯。
7毫安
6毫安
典型值。
[4]
1
A
马克斯。
8
A
待机（我
SB2
)
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
IL
（分钟） =
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05016牧师* C
第12页2
CY62136CV18 MoBL2
电气特性
在整个工作范围
CY62136CV18-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 1.95V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
=
0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
0.2
1
1
2
0.5
1
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2V
0.4
+1
+1
7
2
8
1.4
0.2
1
1
1.5
0.5
1
典型值。
[4]
马克斯。
CY62136CV18-70
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2V
0.4
+1
+1
6
2
8
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
CC
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 1.95V
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05016牧师* C
第12页3
CY62136CV18 MoBL2
开关特性
在整个工作范围
[7]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[10]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
25
70
35
5
20
25
70
60
60
0
0
50
60
30
0
20
25
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[8]
BLE / BHE高到高阻
[8, 9]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8, 9]
WE高到低Z
[8]
分钟。
55
10
5
5
0
5
55
40
40
0
0
40
40
25
0
5
注意事项：
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和T
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
10.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写
文件编号： 38-05016牧师* C
第12页5
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