艾米莉逃不脱
CY62128V家庭
128K ×8静态RAM
特点
低电压范围：
- 2.7V - 3.6V （ CY62128V ）
- 2.3V - 2.7V （ CY62128V25 ）
- 1.6V - 2.0V （ CY62128V18 ）
低电平有效电源和备用电源
易内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。这些描述
恶习具有自动断电功能，减少了
取消当功耗超过99 ％ 。该
CY62128V家庭是标准的450密耳范围内可用
SOIC， 32引脚TSOP -I和STSOP包。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片
启用两个（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
功能说明
该CY62128V家族由三个高性能
CMOS静态RAM由8位， 131,072字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE
1
） ，高电平有效芯片使能（ CE
2
），活性
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x 256x 8
ARRAY
62128V-2
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
62128V-1
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
1
A
10
OE
62128V-3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I / STSOP
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
62128V-4
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年3月27日
CY62128V家庭
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.6V至3.6V
1.6V至3.6V
产品组合
功耗（商业）
V
CC
范围
产品
CY62128V
CY62128V25
CY62128V18
分钟。
2.7V
2.3V
1.6V
典型值。
[2]
3.0V
2.5V
1.8V
马克斯。
3.6V
2.7V
2.0V
速度
55 ， 70纳秒
100纳秒
200纳秒
工作（我
CC
)
典型值。
[2]
20毫安
15毫安
10毫安
最大
40毫安
20毫安
15毫安
典型值。
[2]
0.4
A
0.3
A
0.3
A
待机（我
SB2
)
最大
100
A
（ XL = 10
A)
50
A
(LL = 12
A)
30
A
(LL = 10
A)
电气特性
在整个工作范围
CY62128V-55/70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l ，
70纳秒
Ind'l ，
55纳秒
Ind'l ，
70纳秒
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l ，
70纳秒
海洋生物普查，
55纳秒
Ind'l
L
LL ， XL
LL
L
LL
L
LL ， XL
LL
L
LL
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
0.4
2
–0.5
–1
–1
±1
±1
20
20
23
20
20
15
15
17
15
15
V
CC
+0.5V
0.8
+1
+1
40
40
50
40
40
300
300
350
300
300
A
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
2
CY62128V家庭
电气特性
在整个工作范围
CY62128V-55/70
参数
I
SB2
描述
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
测试条件
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
L
LL
XL
Ind'l
L
LL
分钟。
典型值。
[2]
0.4
马克斯。
100
15
10
100
30
单位
A
A
A
A
A
电气特性
在整个工作范围
CY62128V25-100
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Indust'l温度范围
L
LL
L
LL
L
LL
LL
0.4
50
12
24
0.4
30
10
20
A
A
A
15
300
5
100
A
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -0.1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
- 0.1毫安
2
–0.5
–1
–1
±1
±1
15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
20
0.7*
V
CC
–0.5
–1
–1
±0.1
±0.1
10
典型值。
[2]
马克斯。
CY62128V18-200
分钟。
0.8*
V
CC
0.2
V
CC
+0.3
0.3*
V
CC
+1
+1
15
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY62128V家庭
数据保持电流图
（仅适用于“L ”版）
当前
数据保留
- 电源电压
80
电源电流
(A)
70
60
50
40
30
20
10
0
2.6
1.6
3.6
T
A
=25°C
电源电压（ V）
开关特性
在整个工作范围
[5]
62128V-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
5.
6.
7.
8.
9.
62128V-70
分钟。
70
马克斯。
62128V25-100
分钟。
100
马克斯。
62128V18-200
分钟。
200
马克斯。
单位
ns
200
10
200
125
10
75
10
75
0
200
200
190
190
0
0
125
100
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
100
15
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
分钟。
55
马克斯。
55
5
55
20
10
20
10
20
0
55
55
45
45
0
0
45
25
0
20
5
5
70
60
60
0
0
55
30
0
0
10
10
10
70
10
70
35
10
25
10
25
0
70
100
100
100
0
0
90
60
0
25
10
100
100
75
50
50
100
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
50
试验条件假设为5纳秒或1.5V以下的定时基准水平， 0的输入脉冲电平到3.0V的信号过渡时间，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
和WE信号必须为低和CE
2
高启动
写，要么信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
最小写周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
5
艾米莉逃不脱
CY62128V家庭
128K ×8静态RAM
特点
低电压范围：
- 2.7V - 3.6V （ CY62128V ）
- 2.3V - 2.7V （ CY62128V25 ）
- 1.6V - 2.0V （ CY62128V18 ）
低电平有效电源和备用电源
易内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。这些描述
恶习具有自动断电功能，减少了
取消当功耗超过99 ％ 。该
CY62128V家庭是标准的450密耳范围内可用
SOIC， 32引脚TSOP -I和STSOP包。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片
启用两个（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
功能说明
该CY62128V家族由三个高性能
CMOS静态RAM由8位， 131,072字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE
1
） ，高电平有效芯片使能（ CE
2
），活性
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x 256x 8
ARRAY
62128V-2
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
62128V-1
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
1
A
10
OE
62128V-3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I / STSOP
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
62128V-4
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年3月27日
CY62128V家庭
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.6V至3.6V
1.6V至3.6V
产品组合
功耗（商业）
V
CC
范围
产品
CY62128V
CY62128V25
CY62128V18
分钟。
2.7V
2.3V
1.6V
典型值。
[2]
3.0V
2.5V
1.8V
马克斯。
3.6V
2.7V
2.0V
速度
55 ， 70纳秒
100纳秒
200纳秒
工作（我
CC
)
典型值。
[2]
20毫安
15毫安
10毫安
最大
40毫安
20毫安
15毫安
典型值。
[2]
0.4
A
0.3
A
0.3
A
待机（我
SB2
)
最大
100
A
（ XL = 10
A)
50
A
(LL = 12
A)
30
A
(LL = 10
A)
电气特性
在整个工作范围
CY62128V-55/70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l ，
70纳秒
Ind'l ，
55纳秒
Ind'l ，
70纳秒
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l ，
70纳秒
海洋生物普查，
55纳秒
Ind'l
L
LL ， XL
LL
L
LL
L
LL ， XL
LL
L
LL
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
0.4
2
–0.5
–1
–1
±1
±1
20
20
23
20
20
15
15
17
15
15
V
CC
+0.5V
0.8
+1
+1
40
40
50
40
40
300
300
350
300
300
A
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
2
CY62128V家庭
电气特性
在整个工作范围
CY62128V-55/70
参数
I
SB2
描述
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
测试条件
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
L
LL
XL
Ind'l
L
LL
分钟。
典型值。
[2]
0.4
马克斯。
100
15
10
100
30
单位
A
A
A
A
A
电气特性
在整个工作范围
CY62128V25-100
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Indust'l温度范围
L
LL
L
LL
L
LL
LL
0.4
50
12
24
0.4
30
10
20
A
A
A
15
300
5
100
A
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -0.1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
- 0.1毫安
2
–0.5
–1
–1
±1
±1
15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
20
0.7*
V
CC
–0.5
–1
–1
±0.1
±0.1
10
典型值。
[2]
马克斯。
CY62128V18-200
分钟。
0.8*
V
CC
0.2
V
CC
+0.3
0.3*
V
CC
+1
+1
15
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY62128V家庭
数据保持电流图
（仅适用于“L ”版）
当前
数据保留
- 电源电压
80
电源电流
(A)
70
60
50
40
30
20
10
0
2.6
1.6
3.6
T
A
=25°C
电源电压（ V）
开关特性
在整个工作范围
[5]
62128V-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
5.
6.
7.
8.
9.
62128V-70
分钟。
70
马克斯。
62128V25-100
分钟。
100
马克斯。
62128V18-200
分钟。
200
马克斯。
单位
ns
200
10
200
125
10
75
10
75
0
200
200
190
190
0
0
125
100
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
100
15
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
分钟。
55
马克斯。
55
5
55
20
10
20
10
20
0
55
55
45
45
0
0
45
25
0
20
5
5
70
60
60
0
0
55
30
0
0
10
10
10
70
10
70
35
10
25
10
25
0
70
100
100
100
0
0
90
60
0
25
10
100
100
75
50
50
100
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
50
试验条件假设为5纳秒或1.5V以下的定时基准水平， 0的输入脉冲电平到3.0V的信号过渡时间，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
和WE信号必须为低和CE
2
高启动
写，要么信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
最小写周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
5
QQ：2880707522 复制
