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CY62128EV30的MoBL
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62128EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
模块组织为128K字×8位。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
比时取消99％ （ CE
1
高或CE
2
低） 。该
八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
当取消选择器件的高阻抗状态（CE
1
高
或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，还是写
操作过程中（ CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
销将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
超高速： 45纳秒
温度范围：
工业： -40 ° C至+85°C
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62128DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1 μA
最大待机电流： 4 μA
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
提供无铅32引脚SOIC ， 32引脚薄型小尺寸
封装（ TSOP ）I型和32引脚缩水薄型小尺寸
包（ STSOP ）包
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
I / O 7
A12
A14
A13
A16
A15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05579牧师*
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月25日
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ .......... 13
与缩略语................................................. ....................... 16
文档约定................................................ 16
计量单位............................................... ........ 16
文档历史记录页............................................... .. 17
销售，解决方案和法律信息...................... 18
全球销售和设计支持....................... 18
产品................................................. ................... 18
的PSoC解决方案................................................ ......... 18
文件编号： 38-05579牧师*
第18页2
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
引脚配置
图1. 32针STSOP
[1]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
26
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
图2. 32引脚TSOP I
[1]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
图3. 32引脚SOIC
[1]
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62128EV30LL工业
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
典型值
[2]
1.3
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.0
11
f = f
最大
典型值
[2]
最大
16
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
最大
4
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05579牧师*
第18页3
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.......................................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
......................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流输入电压
[3, 4]
...................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压
（ MIL -STD -883方法3015 ） ............... > 2001年V
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[5]
CY62128EV30LL工业-40 ° C至+85°C 2.2 V至3.6 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1[7]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70 V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
自动CE
掉电
电流 - CMOS输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS输入
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2
V， CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60 V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V ， CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
I
SB2[7]
–
1
4
A
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定一个100 μs的斜坡时间从0到V
CC（分钟）
和200 μs的等待V后的时间
CC
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
7.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05579牧师*
第18页4
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
电容
参数
[8]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[8]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
32引脚TSOP I
33.01
3.42
32引脚SOIC
48.67
25.86
32引脚STSOP单位
32.56
3.59
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图4.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
R
TH
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05579牧师*
第18页5
[+ ]反馈
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CSD-10H-1.5G
CDSOT23-T03LC
CDC3207G
CY23S08SC-1HT
CDSER400B
CMDZ2L4
CM75E3U-24F
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY62128EV30LL
    -
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    -
    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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