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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1292页 > CY62128EV30LL-45ZXI
CY62128EV30的MoBL
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62128EV30
[1]
是一种高性能的CMOS静态RAM
模块由8位， 128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
比时取消99％ （ CE
1
高或CE
2
低） 。该
八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
当取消选择器件的高阻抗状态（CE
1
高
或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，还是写
操作过程中（ CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
销将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
超高速： 45纳秒
温度范围：
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
汽车-E ： -40°C至+ 125°C
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62128DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
μA
最大待机电流： 4
μA
超低有功功率
典型工作电流：2.1毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅32引脚SOIC ， 32引脚TSOP I和32引脚
STSOP包
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A12
A13
A14
A15
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05579牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年5月5日
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
引脚配置
图1. 24引脚STSOP
[2]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
图2. 32引脚TSOP I
[2]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
STSOP
顶视图
（不按比例）
TSOP I
顶视图
（不按比例）
图3. 32引脚SOIC
[2]
顶视图
SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
表1.产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62128EV30LL工业/汽车-A
CY62128EV30LL
自动-E
2.2
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
典型值
[3]
1.3
1.3
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.0
4.0
f = f
最大
典型值
[3]
11
11
最大
16
35
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
1
最大
4
30
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05579牧师* E
第12页2
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在..........................................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
.........................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[4,5]
.......................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62128EV30LL
范围
Ind'l /自动-A
自动-E
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[6]
2.2V至
3.6V
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
V
OL
V
IH
输出低电压
输入高电压
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
11
1.3
1
45纳秒（工业/自动-A ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
11
1.3
1
典型值
[3]
最大
55纳秒（自动-E ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+4
+4
35
4.0
35
典型值
[3]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
μA
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V,
CE
2
＆ LT ; 0.2V
自动CE
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
电流 - CMOS输入端F = F
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60V
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入F = 0 ，V
CC
= 3.60V
I
SB2[7]
1
4
1
30
μA
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
7.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05579牧师* E
第12页3
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
电容
（对于所有的软件包）
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
TSOP I
33.01
3.42
SOIC
48.67
25.86
STSOP
32.56
3.59
单位
° C / W
° C / W
图4.交流测试负载和波形
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
V
CC
产量
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
R
TH
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
Ω
Ω
Ω
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR[7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V,
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
工业/汽车-A
自动-E
0
t
RC
条件
民
1.5
3
30
典型值
[3]
最大单位
V
μA
μA
ns
ns
t
CDR[8]
t
R[9]
芯片取消到数据保留
时间
手术恢复时间
记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
μs.
文件编号： 38-05579牧师* E
第12页4
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
图5.数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
CE
开关特性
（在整个工作范围内）
[10, 11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12,13]
CE低到低Z
[12]
CE高到高阻
[12, 13]
CE低到通电
CE高到掉电
0
45
10
18
0
55
5
18
10
20
10
45
22
5
20
45
45
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒（工业/自动-A ）
民
最大
55纳秒（自动-E ）
民
最大
单位
笔记
10. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1 V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”
第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05579牧师* E
第12页5
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
温度ranges-
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-E ： -40°C至+ 125°C
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
引脚与CY62128DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 4
A
超低有功功率
- 典型工作电流：2.1毫安， F = 1兆赫
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS最佳的速度和力量
提供的无铅32引脚SOIC ， 32引脚TSOP I和32引脚
STSOP包
功能说明
[1]
该CY62128EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
模块由8位， 128K字。该装置
功能先进的电路设计，提供超低活跃
电流。这是理想的提供更多的电池Life （的MoBL
)
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。该
器件还具有显自动断电功能
着地降低功耗，当地址不
切换。将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE
1
高
或CE
2
LOW ） 。八个输入和输出引脚（IO
0
通过
IO
7
）被置于高阻抗状态时，该设备是
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁止
（ OE高） ，或写操作正在进行（ CE
1
低，
CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据
IO引脚将被写入所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置上出现
IO引脚。
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A12
A13
A14
A15
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05579牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年5月7日
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
引脚配置
[2]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
25
26
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
顶视图
SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62128EV30LL Ind'l /自动-A
CY62128EV30LL
自动-E
2.2
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[3]
1.3
1.3
最大
2.0
4.0
f = f
最大
典型值
[3]
11
11
最大
16
35
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
1
最大
4
30
注意事项：
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05579牧师* C
第11 2
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[4,5]
...................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
自动-E
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[6]
CY62128EV30LL Ind'l /自动-A
2.2V至
-40 ° C至+ 125°C 3.6V
电气特性
（在整个工作范围内）
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
V
OL
V
IH
输出低电压
输入高电压
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
11
1.3
1
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
11
1.3
1
典型值
[3]
55纳秒（自动-E ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+4
+4
35
4.0
35
典型值
[3]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
最大
I
SB1
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V,
CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
电流 - CMOS输入端F = F
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
自动CE
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入F = 0 ，V
CC
= 3.60V
I
SB2[7]
1
4
1
30
A
电容
（对于所有的软件包）
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05579牧师* C
第11 3
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
TSOP I
33.01
3.42
SOIC
48.67
25.86
STSOP
32.56
3.59
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
V
CC
产量
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
R
TH
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR[7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V,
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
民
1.5
3
30
典型值
[3]
最大
单位
V
A
A
ns
ns
t
CDR[8]
t
R[9]
芯片取消到数据保留
时间
手术恢复时间
数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
s.
10. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
文件编号： 38-05579牧师* C
第11 4
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[10, 11]
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12,13]
CE低到低Z
[12]
CE高到高阻
[12, 13]
CE低到通电
CE HIGH上电
0
45
10
18
0
55
5
18
10
20
10
45
22
5
20
45
45
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
55纳秒（自动-E ）
民
最大
单位
注意事项：
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1 V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05579牧师* C
第11个5
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62128EV30
[1]
是一种高性能的CMOS静态RAM
模块组织成128 K字×8位。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
比时取消99％ （ CE
1
高或CE
2
低） 。该
八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
当取消选择器件的高阻抗状态（CE
1
高
或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，还是写
操作过程中（ CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
销将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
超高速： 45纳秒
温度范围：
工业： -40 ° C至+85°C
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62128DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1 μA
最大待机电流： 4 μA
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
提供无铅32引脚SOIC ， 32引脚薄型小尺寸
封装（ TSOP ），我，以及32引脚缩水薄型小尺寸
包（ STSOP ）包
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
I / O 7
A12
A14
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A13
A15
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05579牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月6日
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 5
开关特性................................................ 6
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ .................. 8
订购信息................................................ ........ 9
订购代码定义........................................... 9
包图................................................ .......... 10
与缩略语................................................. ....................... 13
文档约定................................................ 13
计量单位............................................... ........ 13
文档历史记录页............................................... .. 14
销售，解决方案和法律信息...................... 15
全球销售和设计支持....................... 15
产品................................................. ................... 15
的PSoC解决方案................................................ ......... 15
文件编号： 38-05579牧师* I
分页： 15 2
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
引脚配置
图1. 32针STSOP
[2]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
图2. 32引脚TSOP I
[2]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
图3. 32引脚SOIC
[2]
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62128EV30LL
产业
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
典型值
[3]
1.3
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.0
f = f
最大
典型值
[3]
11
最大
16
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
最大
4
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05579牧师* I
第15 3
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................. -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用........................................... -55°C至+125°C
电源电压对地
潜在........................................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
..........................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流输入电压
[4, 5]
......................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
CY62128EV30LL
范围
产业
环境
温度
V
CC
[6]
-40 ° C至+85°C 2.2 V至
3.6 V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
自动CE
掉电
电流 - CMOS输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS输入
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70 V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
=
0毫安CMOS电平
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
典型值
[7]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2
V， CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60 V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V ， CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
I
SB2
[8]
–
1
4
A
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s斜坡时间，从0到V
CC
（分钟）和200
拭目以待时间V后
CC
稳定。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
8.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05579牧师* I
第15 4
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
电容
参数
[9]
C
IN
C
OUT
参数
[9]
JA
JC
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
TSOP I
33.01
3.42
SOIC
48.67
25.86
STSOP
32.56
3.59
单位
° C / W
° C / W
图4.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
R
TH
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
[11]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5 V,
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2
V或V
IN
< 0.2 V
产业
条件
民
1.5
–
典型值
[10]
–
–
最大单位
–
3
V
A
t
CDR
[9]
t
R
[12]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
0
45
–
–
–
–
ns
ns
记
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
10.典型值包含仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
11.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
12.全面的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
> 100 μs或稳定在V
CC（分钟）
100 s.
文件编号： 38-05579牧师* I
第15个5
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62128EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
模块组织为128K字×8位。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
比时取消99％ （ CE
1
高或CE
2
低） 。该
八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
当取消选择器件的高阻抗状态（CE
1
高
或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，还是写
操作过程中（ CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
销将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
超高速： 45纳秒
温度范围：
工业： -40 ° C至+85°C
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62128DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1 μA
最大待机电流： 4 μA
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
提供无铅32引脚SOIC ， 32引脚薄型小尺寸
封装（ TSOP ）I型和32引脚缩水薄型小尺寸
包（ STSOP ）包
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
I / O 7
A12
A14
A13
A16
A15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05579牧师*
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月25日
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ .......... 13
与缩略语................................................. ....................... 16
文档约定................................................ 16
计量单位............................................... ........ 16
文档历史记录页............................................... .. 17
销售，解决方案和法律信息...................... 18
全球销售和设计支持....................... 18
产品................................................. ................... 18
的PSoC解决方案................................................ ......... 18
文件编号： 38-05579牧师*
第18页2
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
引脚配置
图1. 32针STSOP
[1]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
26
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
图2. 32引脚TSOP I
[1]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
图3. 32引脚SOIC
[1]
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62128EV30LL工业
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
典型值
[2]
1.3
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.0
11
f = f
最大
典型值
[2]
最大
16
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
最大
4
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05579牧师*
第18页3
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.......................................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
......................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流输入电压
[3, 4]
...................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压
（ MIL -STD -883方法3015 ） ............... > 2001年V
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[5]
CY62128EV30LL工业-40 ° C至+85°C 2.2 V至3.6 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1[7]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70 V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
自动CE
掉电
电流 - CMOS输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS输入
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2
V， CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60 V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V ， CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
I
SB2[7]
–
1
4
A
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定一个100 μs的斜坡时间从0到V
CC（分钟）
和200 μs的等待V后的时间
CC
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
7.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05579牧师*
第18页4
[+ ]反馈
CY62128EV30的MoBL
电容
参数
[8]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[8]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
32引脚TSOP I
33.01
3.42
32引脚SOIC
48.67
25.86
32引脚STSOP单位
32.56
3.59
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图4.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
R
TH
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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第18页5
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