添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第28页 > CY62128ELL-55SXE
CY62128E的MoBL
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-E ： -40°C至+ 125°C
电压范围： 4.5V - 5.5V
与CY62128B 引脚兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 4
A
（工业级）
超低有功功率
- 典型工作电流：2.1毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供标准的无铅32引脚STSOP ， 32引脚SOIC ，
和32引脚TSOP封装我
功能说明
[1]
该CY62128E是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE
1
高
或CE
2
LOW ） 。八个输入和输出引脚（IO
0
通过
IO
7
）被置于高阻抗状态时，该设备是
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁止
（ OE高） ，或写操作正在进行（ CE
1
低，
CE
2
HIGH和LOW WE ）
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据
IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置上出现
IO引脚。
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A12
A14
A15
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A13
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05485牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年5月7日
[+ ]反馈
CY62128E的MoBL
引脚配置
[2]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
32引脚SOIC
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
26
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62128ELL
CY62128ELL
Ind'l /自动-A
自动-E
4.5
4.5
典型值
[3]
5.0
5.0
最大
5.5
5.5
45
[4]
55
速度
（纳秒）
典型值
[3]
1.3
1.3
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
最大
2
4
f = f
最大
典型值
[3]
11
11
最大
16
35
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
1
最大
4
30
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
4.当使用100 pF的电容负载和阻性负载使用，如图4页，访问时间为55纳秒（T
AA
, t
ACE
）和25纳秒（T
美国能源部
）有保证。
文件编号： 38-05485牧师* E
第11 2
[+ ]反馈
CY62128E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在...............................- 0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
...............- 0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
直流输入电压
[5, 6]
...........- 0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
自动-E
环境
温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
[7]
CY62128ELL Ind'l /自动-A
-40 ° C至+ 85°C 4.5V至5.5V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [8]
描述
输出高
电压
输出低
电压
测试条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.5
–1
–1
11
1.3
1
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
16
2
4
2.2
–0.5
–4
–4
11
1.3
1
典型值
[3]
最大
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+4
+4
35
4
30
A
55纳秒（自动-E ）
典型值
[3]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
输入高电压V
CC
= 4.5V至5.5V
输入低电压V
CC
= 4.5V至5.5V
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
电容
（对于所有的软件包）
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05485牧师* E
第11 3
[+ ]反馈
CY62128E的MoBL
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
包
48.67
25.86
STSOP
包
32.56
3.59
TSOP
包
33.01
3.42
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
3.0V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
价值
1800
990
639
1.77
R
TH
V
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR [8]
t
CDR的[9]
t
R [10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
民
2
4
30
典型值
[3]
最大
单位
V
A
A
ns
ns
数据保存波形
[11]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2.0V
V
CC（分钟）
t
R
CE
笔记
10.完整的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
11. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
文件编号： 38-05485牧师* E
第11 4
[+ ]反馈
CY62128E的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[15]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高来高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[13]
CE
1
高或CE
2
从低到高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
0
55
5
18
10
20
10
45
22
5
20
45
45
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
最大
55纳秒（自动-E ）
民
最大
单位
笔记
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3ns （ 1V / NS ）或更小的信号过渡时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲
为0 3V的电平指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05485牧师* E
第11个5
[+ ]反馈
的MoBL
CY62128E
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62128E
[1]
是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
比时取消99％ （ CE
1
高或CE
2
低） 。该
8输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）被放置在一个高
当取消选择器件阻抗状态（ CE
1
高或
CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，还是写
操作过程中（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH和LOW WE ）
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在8 IO数据
引脚（ IO
0
通过IO
7
）然后被写入到指定的位置
在地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定位置上出现的IO引脚。
超高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
汽车-E ： -40°C至+ 125°C
电压范围： 4.5V至5.5V
引脚兼容CY62128B
超低待机功耗
典型待机电流： 1
μA
最大待机电流： 4
μA
（工业级）
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供标准的无铅32引脚STSOP ， 32引脚SOIC和
32引脚TSOP封装我
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A12
A13
A14
A15
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05485牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年8月4日
[+ ]反馈
的MoBL
CY62128E
引脚配置
[2]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
32引脚SOIC
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
26
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62128ELL Ind'l /自动-A
CY62128ELL自动-E
4.5
4.5
典型值
[3]
5.0
5.0
最大
5.5
5.5
45
[4]
55
速度
（纳秒）
典型值
[3]
1.3
1.3
2
4
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
最大
f = f
最大
典型值
[3]
11
11
最大
16
35
1
1
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
4
30
最大
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
4.当使用100 pF的电容负载和阻性负载使用，如图4页，访问时间为55纳秒（T
AA
, t
ACE
）和25纳秒（T
美国能源部
）有保证。
文件编号： 38-05485牧师* F
第12页2
[+ ]反馈
的MoBL
CY62128E
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在............................... -0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
.............. -0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
直流输入电压
[5, 6]
........... -0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62128ELL
范围
Ind'l /自动-A
自动-E
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
[7]
4.5V至5.5V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [8]
描述
输出高
电压
输出低
电压
测试条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.5
–1
–1
11
1.3
1
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
16
2
4
2.2
–0.5
–4
–4
11
1.3
1
典型值
[3]
55纳秒（自动-E ）
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+4
+4
35
4
30
典型值
[3]
最大
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
输入高电压V
CC
= 4.5V至5.5V
输入低电压V
CC
= 4.5V至5.5V
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
μA
电容
（对于所有的软件包）
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05485牧师* F
第12页3
[+ ]反馈
的MoBL
CY62128E
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
包
48.67
25.86
STSOP
包
32.56
3.59
TSOP
包
33.01
3.42
单位
° C / W
° C / W
AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
3.0V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南
当量
产量
R
TH
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
价值
1800
990
639
1.77
单位
Ω
Ω
Ω
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR [8]
t
CDR的[9]
t
R [10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
民
2
4
30
典型值
[3]
最大
单位
V
μA
μA
ns
ns
数据保存波形
[11]
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2.0V
V
CC（分钟）
t
R
CE
笔记
10.完整的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
11. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
文件编号： 38-05485牧师* F
第12页4
[+ ]反馈
的MoBL
CY62128E
开关特性
（在整个工作范围内）
[12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[15]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高来高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[13]
CE
1
高或CE
2
从低到高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
0
55
5
18
10
20
10
45
22
5
20
45
45
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
最大
55纳秒（自动-E ）
民
最大
单位
笔记
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3ns （ 1V / NS ）或更小的信号过渡时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲
为0 3V的电平指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“”
第4页。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05485牧师* F
第12页5
[+ ]反馈
CY62128E的MoBL
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62128E是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用程序。该设备还具有自动断电
功能，可显著降低功耗，当
地址不切换。将器件置于备用
模式了超过99 ％的功耗降低
取消的时候（ CE
1
高或CE
2
LOW ） 。在八进
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被置于高阻抗
当设备被取消选中状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）
输出被禁用（ OE高） ，或写操作时
进度（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH和LOW WE ）
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到指定的位置
在地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
该CY62128E装置适用于具有处理器的接口
具有TTL I / P的水平。它不适合于处理器的
需要CMOS I / P的水平。请参阅
电气特性
第5页
有关详细信息，并提出替代方案。
超高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+85°C
汽车-A ： -40°C至+85°C
汽车-E ： -40°C至+125°C
电压范围： 4.5 V至5.5 V
引脚兼容CY62128B
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 4
A
（工业级）
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
提供标准的无铅32引脚STSOP ， 32引脚SOIC和
32引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）I型包
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
I / O
0
I / O
I / O
1
I / O
0
1
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O 2
I / O
3
I / O 3
I / O
I / O
4
I / O
I / O
5
I / O 6
I / O
6
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
I / O 7
I / O
7
A12
A14
A13
A16
A15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05485牧师* K
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2013年6月3日
CY62128E的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 4
最大额定值................................................ ............. 5
经营范围................................................ ............... 5
电气特性................................................ 5
电容................................................. ..................... 6
热阻................................................ .......... 6
交流测试负载和波形....................................... 6
数据保持特性....................................... 7
数据保存波形............................................... 7
开关特性................................................ 8
开关波形................................................ ...... 9
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ .......... 13
与缩略语................................................. ....................... 16
文档约定................................................ 16
计量单位............................................... ........ 16
文档历史记录页............................................... .. 17
销售，解决方案和法律信息...................... 19
全球销售和设计支持....................... 19
产品................................................. ................... 19
的PSoC解决方案................................................ ......... 19
文件编号： 38-05485牧师* K
第19 2
CY62128E的MoBL
引脚配置
4
A
3
A
2
A
1
A
0
/O
0
/O
1
O
2
V
SS
8
9
10
11
12
13
14
15
16
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
图1. 32引脚引脚排列STSOP
[1]
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
26
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
STSOP
顶视图
（不按比例）
图2. 32引脚TSOP I引出线
[1]
32引脚SOIC
顶视图
C
16
14
12
A
7
A
6
A
5
1
2
3
4
5
6
7
32
31
30
29
28
27
26
A
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
图3. 32引脚SOIC封装的引脚排列
[1]
顶视图
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
25
26
27
26
28
29
30
31
32
1
2
3
STSOP
顶视图
（不按比例）
记
1. NC引脚没有连接上模具。
文件编号： 38-05485牧师* K
第19 3
CY62128E的MoBL
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62128ELL工业/
汽车-A
CY62128ELL汽车-E
4.5
4.5
典型值
[2]
5.0
5.0
最大
5.5
5.5
45
[3]
55
速度
（纳秒）
典型值
[2]
1.3
1.3
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
最大
2
4
f = f
最大
典型值
[2]
11
11
最大
16
35
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
1
最大
4
30
笔记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
3.当使用100 pF的电容负载和阻性负载使用，如图4页，访问时间为55纳秒（T
AA
, t
ACE
）和25纳秒（T
美国能源部
）有保证。
文件编号： 38-05485牧师* K
第19 4
CY62128E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在........................... -0.5 V至6.0 V（V
CC（ MAX）的
+ 0.5 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
.......... -0.5 V至6.0 V（V
CC（ MAX）的
+ 0.5 V)
直流输入电压
[4, 5]
........ -0.5 V至6.0 V（V
CC（ MAX）的
+ 0.5 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压
（ MIL -STD -883方法3015 ） ............... > 2001年V
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62128ELL
范围
环境
温度
V
CC
[6]
工业/ -40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V
汽车-A
汽车-E -40 ° C至+125°C
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [9]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.5 V
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
OH
= -1毫安
I
OH
= -0.1毫安
45纳秒（工业/
汽车-A ）
最小值典型值
2.4
–
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
[7]
55纳秒（汽车-E ）
最小值典型值
2.4
–
–
2.2
–0.5
–4
–4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
[7]
单位
V
V
V
V
A
A
mA
最大
–
3.4
[8]
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
16
2
4
最大
–
3.4
[8]
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+4
+4
35
4
30
A
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
目前， CMOS输入F = 0 ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
8.请注意，最大V
OH
不列入限超过最低CMOS V
IH
3.5 V.如果你是这个接口与SRAM需要一个5 V传统处理器
最小V
IH
3.5 V，请参考应用笔记
AN6081
对于技术细节，你可以考虑的选项。
9.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05485牧师* K
第19 5
查看更多CY62128ELL-55SXEPDF信息
推荐型号
CAT24WC65WA-1.8TE13B
CBP1255-102
C3302/18
CAT25010LA
CD4052BPWR
CAT28LV65H13-15T
C14R5
CTX20-4-R
COP8SGB940L7
CZSH10-40CN
CAT24C323P-25TE13
CDRH2D11HPNP-1R5NC
CT0603CS_-R27_
C222C102H1R5CA
C333320C102G5U5CA
C1210C104B4UAC
CDR105BNP-391KB
CAT150041RWI-GT3
CCR1
CAT24C16JI-TE7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY62128ELL-55SXE
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市春涛电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ：570120875 复制
电话：0755-82563615 82563213
联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
CY62128ELL-55SXE
CYPRESS
2425+
11280
SOP-32
进口原装!优势现货!
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
CY62128ELL-55SXE
CYPRESS
25+
32560
SOP32
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
CY62128ELL-55SXE
PSOIC
2019
10200
CYPRESS
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市杰兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004205445 复制

电话：0755-23995152
联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
CY62128ELL-55SXE
Infineon
23+
16500
原厂封装
原装现货可含税
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
CY62128ELL-55SXE
Cypress
24+
14750
32-SOIC
全新原装正品现货热卖
深圳市科雨电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：97877807 复制

电话：171-4755-1968（微信同号）
联系人：周小姐171-4755-196微信同号，无线联通更快捷！8
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
CY62128ELL-55SXE
CYPRESS
24+
125
32-SOP
118￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:118元
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CY62128ELL-55SXE
Infineon Technologies
24+
10000
32-SOIC
原厂一级代理，原装现货
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
CY62128ELL-55SXE
Infineon
24+
5200
PG-DSO-32
原装正品现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CY62128ELL-55SXE
Infineon
24+
25000
32-SOIC
全新原装现货，原厂代理。
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
CY62128ELL-55SXE
CYPRESS/赛普拉斯
1922+
6852
SOP32
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
查询更多CY62128ELL-55SXE供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！