CY62128DV30
的MoBL
1 MB（ 128K ×8）静态RAM
特点
非常高的速度： 55和70纳秒
宽电压范围： 2.2V至3.6V
引脚兼容CY62128V
超低有功功率
- 典型工作电流为0.85毫安F = 1兆赫
- 典型的有源电流5mA @频率= F
最大
超低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE
特点
取消时自动断电
在一个32引脚SOIC ， 32引脚TSOP ，提供一个软件包
32引脚短的TSOP ，和32引脚反向TSOP
由90％的功率消耗，当地址不切换。
该装置可被置于待机模式降低功率变
消费超过99 ％时，取消片选1
（ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低。输入/输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被置于高阻抗状态
时：取消芯片使能1 （ CE
1
）高或芯片使能
2 （ CE
2
）低，输出被禁止（ OE高） ，或在
写操作（芯片使能1 （ CE
1
）低和芯片使能2
（ CE
2
）高和写使能（ WE） LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）低，芯片使能2 （ CE
2
）高和写入恩
能（ WE）低。在8个I / O引脚的数据将被写入
在地址引脚指定的位置（A
0
救援人员到场。一
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能1 （ CE
1
）低，芯片使能2 （ CE
2
）高和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
o
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE HIGH ）或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高） ，和WE
低） 。
功能说明
[1]
该CY62128DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
逻辑框图
数据驱动因素
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A
6
A7
A8
A
9
A10
A11
行解码器
I/O0
I/O1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
128K ×8
ARRAY
CE
1
CE
2
WE
COLUMN
解码器
电源 -
下
I / O 6
I / O 7
A 12
A 13
A 14
OE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A 15
A 16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05231牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年8月29日
CY62128DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. .........
0.3V
到3.9V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
................................
0.3V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
40°C
至+ 85°C
V
CC
[4]
2.2V至3.6V
产品组合
功耗
工作， ICC（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62128DV30L
CY62128DV30LL
分钟。
2.2
典型值。
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
55/70
55/70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
0.85
0.85
马克斯。
1.5
1.5
5
5
f = f
最大
典型值。
[5]
马克斯。
10
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[5]
1.5
1.5
马克斯。
5
4
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62128DV30-55/70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
租金
CE自动断电
当前
CMOS输入
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
VCC = 3.6V ，
I
OUT
= 0毫安，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
1.8
2.2
0.3
0.3
1
1
5
0.85
1.5
1.5
1.5
1.5
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
10
1.5
5
4
5
4
A
A
A
A
mA
V
V
V
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
LL
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
=3.6V
L
LL
I
SB2
CE自动断电
当前
CMOS输入
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
3.
V
白细胞介素（分钟）
=
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。 ，V
IH （ MAX 。 ）
= Vcc的+ 0.75V为脉冲持续时间小于20ns的
.
4.全设备操作要求的Vcc从0V至Vcc （最小）和Vcc的线性斜坡必须在Vcc （分钟） 500是稳定的
s.
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
6.测试开始后任何设计或PROCES的变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05231牧师* C
第11 3
CY62128DV30
的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[8]
CY62128DV30-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[11]
写周期时间
CE
1
低或CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9,10]
WE高到低Z
[9]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低或CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[9]
5
20
10
20
0
55
0
70
10
25
OE高到高Z
[9,10]
CE
1
低或CE
2
高到低Z
[9]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[9,10]
CE
1
低或CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62128DV30-70
分钟。
马克斯。
单位
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
8.测试条件假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
.
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨。
10. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。的所有信号。
12.设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05231牧师* C
第11个5
CY62128DV30
1 MB （ 128K * 8 ）静态RAM
特点
超高速： 55和70纳秒
宽电压范围： 2.2V至3.6V
与CY62128V 引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流为0.85毫安F = 1兆赫
- 典型的有源电流5mA @频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
提供无铅和无无铅32引脚SOIC ，
32引脚TSOP和32引脚TSOP小，非无铅
32引脚的反向TSOP封装
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低90％时的地址不
切换。该装置可被置于待机模式减少
耗电量的99％以上时，取消选择的芯片
启用1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低。该
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗状态时：取消芯片使能1 （ CE
1
)
高或芯片使能2 （ CE
2
）低，输出被禁止（ OE
高） ，或者在写操作期间（芯片使能1 （CE
1
）低
和芯片使能2 （ CE
2
）高和写使能（ WE） LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）低，芯片使能2 （ CE
2
）高和写使能
（WE）低。上的8个I / O引脚的数据将被写入的
在地址引脚指定位置（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）低，芯片使能2 （ CE
2
）和高
输出使能（ OE ）低，而强迫写使能（ WE）
HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置将显示在I / O的
销。
八个输入/输出引脚（ I / O
o
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE HIGH ）或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高） ，和WE
低） 。
功能说明
[1]
该CY62128DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
行解码器
I/O0
I/O1
检测放大器
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
128K ×8
ARRAY
CE
1
CE
2
WE
COLUMN
解码器
电源 -
下
I/O6
I/O7
A 12
A 13
A 14
OE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A 15
A 16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05231牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年6月19日
CY62128DV30
销刀豆网络gurations
[2]
顶视图
SOIC
DNU
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
DNU
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
DNU
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
26
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
DNU
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
反向TSOP I
顶视图
（不按比例）
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
1
A
10
OE
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62128DV30L
CY62128DV30LL
分钟。
2.2
典型值。
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
55/70
55/70
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
0.85
0.85
马克斯。
1.5
1.5
5
5
f = f
最大
典型值。
[4]
马克斯。
10
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[4]
1.5
1.5
马克斯。
5
4
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3. DNU引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05231牧师* H
第11 2
CY62128DV30
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. .........
0.3V
到3.9V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[5]
................................
0.3V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
40°C
至+ 85°C
V
CC
[6]
2.2V至3.6V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62128DV30-55/70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
当前
CMOS输入
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0毫安，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
1.8
2.2
0.3
0.3
1
1
5
0.85
1.5
1.5
1.5
1.5
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
10
1.5
5
4
5
4
A
A
A
A
mA
V
V
V
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
LL
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
=3.6V
L
LL
I
SB2
CE自动断电
当前
CMOS输入
电容
[7]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[7]
参数
θ
JA
θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
测试条件
SOIC TSOP I RTSOP STSOP
69
34
93
17
93
17
65
15
单位
° C / W
° C / W
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5
寸，双层印刷电路
热阻（结到管壳）主板
注意事项：
5. V
白细胞介素（分钟）
=
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。 V
IH （ MAX 。 ）
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20ns的
.
6，全面的设备运行需要的V线性斜坡
CC
从0V到V
CC（分钟）
和V
CC
必须在V是稳定的
CC（分钟）
500
s.
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05231牧师* H
第11 3
CY62128DV30
开关特性
（在整个工作范围内）
[9]
CY62128DV30-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低或CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[10, 11]
WE高到低Z
[10]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低或CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10]
OE高到高Z
[10, 11]
CE
1
低或CE
2
高到低Z
[10]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[10, 11]
CE
1
低或CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
55
10
20
0
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62128DV30-70
分钟。
马克斯。
单位
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[13, 14]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
9.测试条件假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
.
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。的所有信号。
13.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
14.我们是高读周期。
文件编号： 38-05231牧师* H
第11个5
CY62128DV30
的MoBL
1 MB（ 128K ×8）静态RAM
特点
非常高的速度： 55和70纳秒
宽电压范围： 2.2V至3.6V
引脚兼容CY62128V
超低有功功率
- 典型工作电流为0.85毫安F = 1兆赫
- 典型的有源电流5mA @频率= F
最大
超低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE
特点
取消时自动断电
在一个32引脚SOIC ， 32引脚TSOP ，提供一个软件包
32引脚短的TSOP ，和32引脚反向TSOP
由90％的功率消耗，当地址不切换。
该装置可被置于待机模式降低功率变
消费超过99 ％时，取消片选1
（ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低。输入/输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被置于高阻抗状态
时：取消芯片使能1 （ CE
1
）高或芯片使能
2 （ CE
2
）低，输出被禁止（ OE高） ，或在
写操作（芯片使能1 （ CE
1
）低和芯片使能2
（ CE
2
）高和写使能（ WE） LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）低，芯片使能2 （ CE
2
）高和写入恩
能（ WE）低。在8个I / O引脚的数据将被写入
在地址引脚指定的位置（A
0
救援人员到场。一
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能1 （ CE
1
）低，芯片使能2 （ CE
2
）高和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
o
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE HIGH ）或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高） ，和WE
低） 。
功能说明
[1]
该CY62128DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
逻辑框图
数据驱动因素
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A
6
A7
A8
A
9
A10
A11
行解码器
I/O0
I/O1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
128K ×8
ARRAY
CE
1
CE
2
WE
COLUMN
解码器
电源 -
下
I / O 6
I / O 7
A 12
A 13
A 14
OE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A 15
A 16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05231牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年8月29日
CY62128DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. .........
0.3V
到3.9V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
................................
0.3V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
40°C
至+ 85°C
V
CC
[4]
2.2V至3.6V
产品组合
功耗
工作， ICC（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62128DV30L
CY62128DV30LL
分钟。
2.2
典型值。
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
55/70
55/70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
0.85
0.85
马克斯。
1.5
1.5
5
5
f = f
最大
典型值。
[5]
马克斯。
10
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[5]
1.5
1.5
马克斯。
5
4
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62128DV30-55/70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
租金
CE自动断电
当前
CMOS输入
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
VCC = 3.6V ，
I
OUT
= 0毫安，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
1.8
2.2
0.3
0.3
1
1
5
0.85
1.5
1.5
1.5
1.5
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
10
1.5
5
4
5
4
A
A
A
A
mA
V
V
V
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
LL
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
=3.6V
L
LL
I
SB2
CE自动断电
当前
CMOS输入
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
3.
V
白细胞介素（分钟）
=
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。 ，V
IH （ MAX 。 ）
= Vcc的+ 0.75V为脉冲持续时间小于20ns的
.
4.全设备操作要求的Vcc从0V至Vcc （最小）和Vcc的线性斜坡必须在Vcc （分钟） 500是稳定的
s.
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
6.测试开始后任何设计或PROCES的变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05231牧师* C
第11 3
CY62128DV30
的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[8]
CY62128DV30-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[11]
写周期时间
CE
1
低或CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9,10]
WE高到低Z
[9]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低或CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[9]
5
20
10
20
0
55
0
70
10
25
OE高到高Z
[9,10]
CE
1
低或CE
2
高到低Z
[9]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[9,10]
CE
1
低或CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62128DV30-70
分钟。
马克斯。
单位
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
8.测试条件假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
.
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨。
10. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
11.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。的所有信号。
12.设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05231牧师* C
第11个5
QQ：2880707522 复制
