CY62128BN
的MoBL
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
4.5V - 5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
（ 70 ns的商业，工业，汽车-A ）
- 82.5毫瓦（最大） （15 mA）的
低待机功耗
（ 55/70 ns的商业，工业，汽车-A ）
— 110
W
（最大值） （15
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
提供无铅和无无铅32引脚（ 450
MIL -宽） SOIC ， 32引脚STSOP和32引脚TSOP -I
功能说明
[1]
该CY62128BN是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
），活性
高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）
和三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能，可降低功耗更
超过75％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片
启用两个（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
启用一个（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
逻辑框图
引脚配置
顶视图
SOIC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GN
G
g
GNC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE
2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I / O 0
I / O 1
行解码器
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
128K ×8
ARRAY
CE1
CE2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O 6
I / O 7
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A9
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06498修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62128BNLL商业
产业
汽车-A
汽车-E
分钟。
4.5
典型值。
[2]
马克斯。
5.5
速度
（纳秒）
55
70
55
70
70
70
工作，我
CC
（ mA）的待机，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
7.5
6
7.5
6
6
6
马克斯。
20
15
20
15
15
25
典型值。
[2]
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
马克斯。
15
15
15
15
15
25
5.0
销刀豆网络gurations
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
引脚德网络nitions
输入
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
A
0
–A
16
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
写使能，低电平有效。当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是
进行。
CE
1
。芯片使能1 ，低电平有效。
CE
2
。芯片使能2 ，高电平有效。
OE 。
输出使能，低电平有效。控制的I / O引脚的方向。当低时， I / O引脚用作
输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚
GND 。
地为设备
电源
V
CC
。电源为设备
注意：
2.典型值包括仅供参考，未经测试或保证。典型的值是平均跨越正常生产的分布
变化，主要在V测
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06498修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度（T
A
)
[4]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[3]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
电气特性
在整个工作范围
-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高
电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
I
OZ
输出漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
I
CC
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
I
SB1
自动CE
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
商用/
掉电电流或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
产业
-TTL输入
V
IN
≥
V
IH
or
汽车-A
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
汽车-E
自动CE
最大。 V
CC
,
掉电电流CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V,
-CMOS输入
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
0.1
2
7.5
20
–1
+1
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.2
–0.3
–1
–1
–10
–1
–1
–10
6
6
6
0.1
0.1
0.1
2.5
15
2.5
2.5
2.5
典型值。
[2]
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
+10
+1
+1
+10
15
15
25
1
1
2
15
15
25
-70
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
I
SB2
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
文件编号： 001-06498修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
32 SOIC
66.17
30.87
32 STSOP
105.14
14.09
32 TSOP
97.44
26.05
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
990
R1 1800
R1 1800
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
上升时间：
1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
639
1.77V
产量
V
CC
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
＆ GT ; 2V
V
CC
CE
1
V
CC
，分钟。
t
CDR
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE
1
≥
V
CC
- 0.3V ，或CE
2
≤
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
- 或0.3V ，V
IN
≤
0.3V
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
t
CDR
t
R
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
0
70
条件
[6]
分钟。
2.0
1.5
15
典型值。
马克斯。
单位
V
A
1.5
25
A
ns
ns
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
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第12页4
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
开关特性
[7]
在整个工作范围
CY62128BN-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 9]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[9]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[8, 9]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
0
55
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62128BN-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10]
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
高启动
写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考的前缘
信号终止写。
11.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
12.我们是高读周期。
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第12页5
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
4.5V - 5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
（ 70 ns的商业，工业，汽车-A ）
- 82.5毫瓦（最大） （15 mA）的
低待机功耗
（ 55/70 ns的商业，工业，汽车-A ）
— 110
W
（最大值） （15
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
提供无铅和无无铅32引脚（ 450
MIL -宽） SOIC ， 32引脚STSOP和32引脚TSOP -I
功能说明
[1]
该CY62128BN是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
），活性
高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）
和三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能，可降低功耗更
超过75％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片
启用两个（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
启用一个（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
逻辑框图
引脚配置
顶视图
SOIC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GN
G
g
GNC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE
2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I / O 0
I / O 1
行解码器
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
128K ×8
ARRAY
CE1
CE2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O 6
I / O 7
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A9
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06498修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62128BNLL商业
产业
汽车-A
汽车-E
分钟。
4.5
典型值。
[2]
马克斯。
5.5
速度
（纳秒）
55
70
55
70
70
70
工作，我
CC
（ mA）的待机，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
7.5
6
7.5
6
6
6
马克斯。
20
15
20
15
15
25
典型值。
[2]
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
马克斯。
15
15
15
15
15
25
5.0
销刀豆网络gurations
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
引脚德网络nitions
输入
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
A
0
–A
16
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
写使能，低电平有效。当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是
进行。
CE
1
。芯片使能1 ，低电平有效。
CE
2
。芯片使能2 ，高电平有效。
OE 。
输出使能，低电平有效。控制的I / O引脚的方向。当低时， I / O引脚用作
输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚
GND 。
地为设备
电源
V
CC
。电源为设备
注意：
2.典型值包括仅供参考，未经测试或保证。典型的值是平均跨越正常生产的分布
变化，主要在V测
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06498修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度（T
A
)
[4]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[3]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
电气特性
在整个工作范围
-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高
电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
I
OZ
输出漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
I
CC
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
I
SB1
自动CE
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
商用/
掉电电流或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
产业
-TTL输入
V
IN
≥
V
IH
or
汽车-A
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
汽车-E
自动CE
最大。 V
CC
,
掉电电流CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V,
-CMOS输入
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
0.1
2
7.5
20
–1
+1
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.2
–0.3
–1
–1
–10
–1
–1
–10
6
6
6
0.1
0.1
0.1
2.5
15
2.5
2.5
2.5
典型值。
[2]
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
+10
+1
+1
+10
15
15
25
1
1
2
15
15
25
-70
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
I
SB2
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
文件编号： 001-06498修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
32 SOIC
66.17
30.87
32 STSOP
105.14
14.09
32 TSOP
97.44
26.05
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
990
R1 1800
R1 1800
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
上升时间：
1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
639
1.77V
产量
V
CC
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
＆ GT ; 2V
V
CC
CE
1
V
CC
，分钟。
t
CDR
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE
1
≥
V
CC
- 0.3V ，或CE
2
≤
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
- 或0.3V ，V
IN
≤
0.3V
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
t
CDR
t
R
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
0
70
条件
[6]
分钟。
2.0
1.5
15
典型值。
马克斯。
单位
V
A
1.5
25
A
ns
ns
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 001-06498修订版**
第12页4
[+ ]反馈
CY62128BN
的MoBL
开关特性
[7]
在整个工作范围
CY62128BN-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 9]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[9]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[8, 9]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
0
55
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62128BN-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10]
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
高启动
写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考的前缘
信号终止写。
11.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
12.我们是高读周期。
文件编号： 001-06498修订版**
第12页5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
