CY62128B的MoBL
128K ×8静态RAM
1CY62128B的MoBL
特点
4.5V - 5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（ 70纳秒， LL版）
- 82.5毫瓦（最大） （15 mA）的
低待机功耗（ 70纳秒， LL版）
— 110
W
（最大值） （15
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能，可降低功耗更
超过75％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片恩
能够两（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY62128B可在一个标准的450密耳SOIC宽，
32引脚的TSOP型I和STSOP包。
功能说明
该CY62128B是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为131,072字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
），活性
高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOIC
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
行解码器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
动力
下
512x 256x 8
ARRAY
CE1
CE2
WE
OE
COLUMN
解码器
A9
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
I / O 6
I / O 7
62128-1
1
2
3
4
A7 5
A6 6
A5 7
A4 8
A3 9
A2 10
A1 11
A0 12
I / O0 13
I / O1 14
I / O2 15
GN
G
ND 16
G
g
GNC
NC
A16
A14
A12
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A
16
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
A
12
A
14
A
7
A
4
A
5
A
6
NC
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
反向TSOP I
顶视图
（不按比例）
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
11
A
2
A
9
A
1
A
8
A
13
A
0
I / O
0
WE
I / O
1
CE
2
A
15
I / O
2
GND V
CC
NC
I / O
3
A
16
I / O
4
A
14
I / O
5
A
12
I / O
6
A
7
I / O
7
A
6
CE
1
A
5
A
10
A
4
OE
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
6
I / O
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2001年3月29日
CY62128B的MoBL
选购指南
CY62128B -55 CY62128B -70
最大访问时间
最大工作电流（I
CC
)
最大的CMOS待机电流（I
SB2
)
产业
的各种商用
产业
的各种商用
LL
LL
LL
LL
55
20
20
15
15
70
15
15
15
15
单位
ns
mA
mA
A
A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
产业
广告
环境
温度
[2]
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
V
5V
±
10%
5V
±
10%
2
CY62128B的MoBL
电气特性
在整个工作范围
62128B-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
当前
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
Ind'l
LL
7.5
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
20
6
2.2
–0.3
–1
–1
典型值。
[3]
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
15
62128B-70
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
Ind'l
LL
0.1
2
0.1
1
mA
I
SB2
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
Ind'l
LL
2.5
15
2.5
15
A
I
CC
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
COM
LL
7.5
20
6
15
mA
I
SB1
COM
LL
0.1
2
0.1
1
mA
I
SB2
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
COM
LL
2.5
15
2.5
15
A
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
注意事项：
3.典型值包括仅供参考，未经测试或保证。典型的值是平均跨越正常生产的分布
变化，主要在V测
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY62128B的MoBL
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R2
990
R1 1800
R1 1800
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
上升时间：
1 V / ns的
V
CC
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
戴维南等效
639
1.77V
产量
开关特性
[6]
在整个工作范围
62128B-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[8]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[7, 8]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低
Z
[8]
WE低到高Z
[7, 8]
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
0
55
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128B-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
4
QQ：2880707522 复制
