1CY 621 28
传真号： 1072
初步
CY62128
128K ×8静态RAM
特点
4.5V
5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（ 70纳秒， LL版）
- 330毫瓦（最大） （60 mA）的
低待机功耗（ 70纳秒， LL版）
— 110
W
（最大值） （20
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
功能，可降低功耗的75％以上
取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（WE ）输入低电平和芯片使能
2 （ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY62128可在一个标准的400密耳宽SOJ ，
525密耳宽（ 450密耳宽体宽） SOIC和32引脚
TSOP I型
功能说明
该CY62128是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为131,072字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。该设备具有自动断电
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOJ / SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
动力
下
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
I / O
6
I / O
7
62128-1
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
62128-2
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1996年7月 - 修订1996年11月
初步
选购指南
CY62128–55
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
广告
L
LL
最大的CMOS待机电流
广告
L
LL
55
115毫安
70毫安
70毫安
10毫安
100
A
20
A
CY62128
CY62128–70
70
110毫安
60毫安
60毫安
10毫安
100
A
20
A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
62128–55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
Com'l
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
Com'l
L
LL
Com'l
L
LL
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= - 1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
115
70
70
25
10
2
10
100
20
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
62128–70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
110
60
60
25
10
2
10
100
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
输出短路电流
[4]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
操作
V
CC
=最大。
,
电源电流
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
I
SB2
阴影区域包含的信息提前
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
2
初步
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
CY62128
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R1 1800
R1 1800
5V
产量
R2
990
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
≤
5ns
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
5纳秒
所有的输入脉冲
62128-3
62128-4
戴维南等效
639
1.77V
产量
开关特性
[3,6]
在整个工作范围
62128–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[8]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[7, 8]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
55
45
45
0
0
45
45
0
55
70
60
60
0
0
50
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128–70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
阴影区域包含的信息提前
注意事项：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.测试条件假定为5ns或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和100pF的负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
3
初步
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE
1
或CE
2
控制）
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
CY62128
62128-7
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
CE
2
t
SCE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
注意事项：
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE变为高电平时，输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不宜应用。
t
HD
数据
IN
有效
62128-8
5
1CY 621 28
传真号： 1072
初步
CY62128
128K ×8静态RAM
特点
4.5V
5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（ 70纳秒， LL版）
- 330毫瓦（最大） （60 mA）的
低待机功耗（ 70纳秒， LL版）
— 110
W
（最大值） （20
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
功能，可降低功耗的75％以上
取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（WE ）输入低电平和芯片使能
2 （ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY62128可在一个标准的400密耳宽SOJ ，
525密耳宽（ 450密耳宽体宽） SOIC和32引脚
TSOP I型
功能说明
该CY62128是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为131,072字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。该设备具有自动断电
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOJ / SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
动力
下
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
I / O
6
I / O
7
62128-1
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
62128-2
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1996年7月 - 修订1996年11月
初步
选购指南
CY62128–55
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
广告
L
LL
最大的CMOS待机电流
广告
L
LL
55
115毫安
70毫安
70毫安
10毫安
100
A
20
A
CY62128
CY62128–70
70
110毫安
60毫安
60毫安
10毫安
100
A
20
A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
62128–55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
Com'l
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
Com'l
L
LL
Com'l
L
LL
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= - 1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
115
70
70
25
10
2
10
100
20
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
62128–70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
110
60
60
25
10
2
10
100
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
输出短路电流
[4]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
操作
V
CC
=最大。
,
电源电流
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
I
SB2
阴影区域包含的信息提前
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
2
初步
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
CY62128
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R1 1800
R1 1800
5V
产量
R2
990
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
≤
5ns
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
5纳秒
所有的输入脉冲
62128-3
62128-4
戴维南等效
639
1.77V
产量
开关特性
[3,6]
在整个工作范围
62128–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[8]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[7, 8]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
55
45
45
0
0
45
45
0
55
70
60
60
0
0
50
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128–70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
阴影区域包含的信息提前
注意事项：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.测试条件假定为5ns或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和100pF的负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
3
初步
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE
1
或CE
2
控制）
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
CY62128
62128-7
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
CE
2
t
SCE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
注意事项：
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE变为高电平时，输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不宜应用。
t
HD
数据
IN
有效
62128-8
5
QQ：2881677436 复制
