添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第794页 > CY62128-55VC
1CY 621 28
传真号: 1072
初步
CY62128
128K ×8静态RAM
特点
4.5V
5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率( 70纳秒, LL版)
- 330毫瓦(最大) (60 mA)的
低待机功耗( 70纳秒, LL版)
— 110
W
(最大值) (20
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
,CE
2
和OE选项
功能,可降低功耗的75%以上
取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
一( CE
1
)和写使能(WE )输入低电平和芯片使能
2 ( CE
2
)输入高。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过
I / O
7
)将被写入的地址所指定的位置
销(A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一( CE
1
)和输出使能( OE )低,而强迫
写使能( WE)和芯片使能两( CE
2
)高。下
这些条件下,所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
1
高或CE
2
LOW )时,输出被禁用( OE高) ,或
在写操作期间(CE
1
低,CE
2
高,和WE为低电平) 。
该CY62128可在一个标准的400密耳宽SOJ ,
525密耳宽( 450密耳宽体宽) SOIC和32引脚
TSOP I型
功能说明
该CY62128是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为131,072字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能( CE提供
1
) ,高电平有效
片选( CE
2
) ,一个低电平有效输出使能( OE )和
三态驱动器。该设备具有自动断电
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOJ / SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
动力
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
I / O
6
I / O
7
62128-1
TSOP I
顶视图
(不按比例)
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
62128-2
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1996年7月 - 修订1996年11月
初步
选购指南
CY62128–55
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流
广告
L
LL
最大的CMOS待机电流
广告
L
LL
55
115毫安
70毫安
70毫安
10毫安
100
A
20
A
CY62128
CY62128–70
70
110毫安
60毫安
60毫安
10毫安
100
A
20
A
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出( LOW ) ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
62128–55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
GND
V
I
V
CC
GND
V
I
V
CC
,输出禁用
Com'l
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
最大。 V
CC
,CE
1
V
IH
或CE
2
& LT ; V
IL
,
V
IN
V
IH
or
V
IN
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
0.3V,
V
IN
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
0.3V , F = 0
Com'l
L
LL
Com'l
L
LL
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= - 1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
115
70
70
25
10
2
10
100
20
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
62128–70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
110
60
60
25
10
2
10
100
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
输出短路电流
[4]
V
CC
=最大,V
OUT
= GND
V
CC
操作
V
CC
=最大。
,
电源电流
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
I
SB2
阴影区域包含的信息提前
注意事项:
1. V
IL
(分) = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
2
初步
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
CY62128
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于:
R1 1800
R1 1800
5V
产量
R2
990
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
5ns
3.0V
90%
10%
90%
10%
5纳秒
所有的输入脉冲
62128-3
62128-4
戴维南等效
639
1.77V
产量
开关特性
[3,6]
在整个工作范围
62128–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效,CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE
1
低到低Z ,CE
2
高到低Z
[8]
CE
1
高来高Z, CE
2
低到高Z
[7, 8]
CE
1
低到电, CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电, CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束,CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
55
45
45
0
0
45
45
0
55
70
60
60
0
0
50
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128–70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
阴影区域包含的信息提前
注意事项:
5.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
6.测试条件假定为5ns或更少的信号的过渡时间,定时1.5V的参考电平,为0的输入脉冲电平到3.0V ,并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和100pF的负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载(b)部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低,CE
2
高,和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低, CE
2
HIGH开始写,
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
3
初步
开关特性
[3,6]
在工作范围(续)
62128–55
参数
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[7,8]
描述
从写端数据保持
分钟。
0
5
20
马克斯。
CY62128
62128–70
分钟。
0
5
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
阴影区域包含先进的信息。
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
[11,12]
数据有效
62128-5
读周期2号( OE控制)
地址
t
RC
CE
1
CE
2
t
ACE
OE
t
HZOE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
62128-6
阻抗
ICC
注意事项:
10.设备不断选择。 OE ,CE
1
= V
IL
,CE
2
= V
IH
.
11.我们是高读周期。
12.地址有效之前或重合与CE
1
过渡LOW和CE
2
变为高电平。
4
初步
开关波形
(续)
写周期第1号( CE
1
或CE
2
控制)
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
CY62128
62128-7
写周期2号(我们控制, OE高在写)
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
CE
2
t
SCE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
注意事项:
13.数据I / O是,如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE变为高电平时,输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间, I / O是在输出状态和输入信号不宜应用。
t
HD
数据
IN
有效
62128-8
5
1CY 621 28
传真号: 1072
初步
CY62128
128K ×8静态RAM
特点
4.5V
5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率( 70纳秒, LL版)
- 330毫瓦(最大) (60 mA)的
低待机功耗( 70纳秒, LL版)
— 110
W
(最大值) (20
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
,CE
2
和OE选项
功能,可降低功耗的75%以上
取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
一( CE
1
)和写使能(WE )输入低电平和芯片使能
2 ( CE
2
)输入高。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过
I / O
7
)将被写入的地址所指定的位置
销(A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一( CE
1
)和输出使能( OE )低,而强迫
写使能( WE)和芯片使能两( CE
2
)高。下
这些条件下,所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
1
高或CE
2
LOW )时,输出被禁用( OE高) ,或
在写操作期间(CE
1
低,CE
2
高,和WE为低电平) 。
该CY62128可在一个标准的400密耳宽SOJ ,
525密耳宽( 450密耳宽体宽) SOIC和32引脚
TSOP I型
功能说明
该CY62128是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为131,072字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能( CE提供
1
) ,高电平有效
片选( CE
2
) ,一个低电平有效输出使能( OE )和
三态驱动器。该设备具有自动断电
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOJ / SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
动力
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
I / O
6
I / O
7
62128-1
TSOP I
顶视图
(不按比例)
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
62128-2
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1996年7月 - 修订1996年11月
初步
选购指南
CY62128–55
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流
广告
L
LL
最大的CMOS待机电流
广告
L
LL
55
115毫安
70毫安
70毫安
10毫安
100
A
20
A
CY62128
CY62128–70
70
110毫安
60毫安
60毫安
10毫安
100
A
20
A
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出( LOW ) ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
62128–55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
GND
V
I
V
CC
GND
V
I
V
CC
,输出禁用
Com'l
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
最大。 V
CC
,CE
1
V
IH
或CE
2
& LT ; V
IL
,
V
IN
V
IH
or
V
IN
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
0.3V,
V
IN
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
0.3V , F = 0
Com'l
L
LL
Com'l
L
LL
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= - 1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
115
70
70
25
10
2
10
100
20
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
62128–70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
110
60
60
25
10
2
10
100
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
输出短路电流
[4]
V
CC
=最大,V
OUT
= GND
V
CC
操作
V
CC
=最大。
,
电源电流
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
I
SB2
阴影区域包含的信息提前
注意事项:
1. V
IL
(分) = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
2
初步
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
CY62128
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于:
R1 1800
R1 1800
5V
产量
R2
990
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
5ns
3.0V
90%
10%
90%
10%
5纳秒
所有的输入脉冲
62128-3
62128-4
戴维南等效
639
1.77V
产量
开关特性
[3,6]
在整个工作范围
62128–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效,CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE
1
低到低Z ,CE
2
高到低Z
[8]
CE
1
高来高Z, CE
2
低到高Z
[7, 8]
CE
1
低到电, CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电, CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束,CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
55
45
45
0
0
45
45
0
55
70
60
60
0
0
50
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128–70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
阴影区域包含的信息提前
注意事项:
5.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
6.测试条件假定为5ns或更少的信号的过渡时间,定时1.5V的参考电平,为0的输入脉冲电平到3.0V ,并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和100pF的负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载(b)部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低,CE
2
高,和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低, CE
2
HIGH开始写,
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
3
初步
开关特性
[3,6]
在工作范围(续)
62128–55
参数
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[7,8]
描述
从写端数据保持
分钟。
0
5
20
马克斯。
CY62128
62128–70
分钟。
0
5
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
阴影区域包含先进的信息。
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
[11,12]
数据有效
62128-5
读周期2号( OE控制)
地址
t
RC
CE
1
CE
2
t
ACE
OE
t
HZOE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
62128-6
阻抗
ICC
注意事项:
10.设备不断选择。 OE ,CE
1
= V
IL
,CE
2
= V
IH
.
11.我们是高读周期。
12.地址有效之前或重合与CE
1
过渡LOW和CE
2
变为高电平。
4
初步
开关波形
(续)
写周期第1号( CE
1
或CE
2
控制)
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
CY62128
62128-7
写周期2号(我们控制, OE高在写)
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
CE
2
t
SCE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
注意事项:
13.数据I / O是,如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE变为高电平时,输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间, I / O是在输出状态和输入信号不宜应用。
t
HD
数据
IN
有效
62128-8
5
查看更多CY62128-55VCPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY62128-55VC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
CY62128-55VC
CYPRESS
17+
4550
SOP-32
进口原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ:3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
CY62128-55VC
CYP
24+
9850
原装
公司原装现货/随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:121715395 复制 点击这里给我发消息 QQ:316429272 复制
电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
CY62128-55VC
CYPRESS
2012+
28688
TSOP32
中国唯一指定代理商√√√ 特价!特价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CY62128-55VC
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10155
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CY62128-55VC
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9245
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多CY62128-55VC供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!