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CY62126ESL的MoBL

1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM

特点

■

超高速： 45纳秒

宽电压范围： 2.2V - 3.6V和4.5V - 5.5V

超低待机功耗

典型待机电流： 1

μA

最大待机电流： 4

μA

超低有功功率

典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的

易内存扩展与CE ， OE和特点

取消的时候自动断电

CMOS的最佳速度和力量

可提供无铅44引脚TSOP II封装

消费时地址不切换。配售

器件进入待机模式，以更降低了功耗

超过99 ％的取消时（ CE HIGH ）。输入和

输出引脚（ IO

通过IO

）被置于高阻抗

当设备被取消（ CE HIGH）状态时，输出

禁用（ OE高），这两个高字节使能和低字节

启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH）或写时

操作（ CE LOW和WE低）。

写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能

（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据

从IO引脚（ IO

通过IO

）被写入的位置

在地址引脚指定的（A

至A

）。如果字节高

使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO

通过IO

)

被写入的地址管脚的指定位置（一

至A

从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出

启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果

低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器

由地址引脚指定位置上出现IO

到IO

。如果

高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据

出现在IO

到IO

。见

真值表

第10页上的一

读写模式，完整的描述。

为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯

应用说明

AN1064 ， SRAM系统的指导。

■

功能说明

该CY62126ESL是一种高性能的CMOS静态RAM

16位组织为64K字。该设备的特点

先进的电路设计，提供超低工作电流。这

非常适合提供更多的电池Life （的MoBL

）便携式

应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个

自动断电功能，可显著降低功耗

逻辑框图

数据驱动因素

行解码器

64K ×16

RAM阵列

检测放大器

= 10

列解码器

BHE

BLE

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-45076修订版**

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2009年6月15日

[+ ]反馈

CY62126ESL的MoBL

引脚配置

44针TSOP II （顶视图）

[1]

BHE

BLE

产品组合

功耗

产品

范围

范围（V ）

[2]

速度

（纳秒）

我的操作

（毫安）

F = 1MHz的

典型值

[3]

CY62126ESL

产业

2.2V - 3.6V和4.5V - 5.5V

1.3

最大

f = f

最大

典型值

[3]

最大

待机情况下，我

SB2

(μA)

典型值

[3]

最大

笔记

1. NC引脚没有连接上模具。

2.数据表规格不保证V

在3.6V至4.5V的范围内。

3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25°C.

文件编号： 001-45076修订版**

第12页2

[+ ]反馈

CY62126ESL的MoBL

最大额定值

超出最大额定值可能损害的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用.............................................. 55 ° C至+ 125°C

电源电压对地

潜在................................................. ..........- 0.5V至6.0V

直流电压应用到输出的

在高阻抗状态

[4, 5]

..........................................- 0.5V至6.0V

直流输入电压

[4, 5]

.......................................- 0.5V至6.0V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001V

（ MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流............................................... ...... > 200毫安

工作范围

设备

CY62126ESL

范围

产业

环境

温度

-40 ° C至+ 85°C

[6]

2.2V–3.6V,

和

4.5V–5.5V

电气特性

在整个工作范围

45纳秒

参数

描述

输出高电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

输出低电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

输入高电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

输入低电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

SB1

输入漏电流

工作电源

当前

GND < V

＆ LT ; V

f = f

最大

= 1/t

F = 1 MHz的

= V

CCmax

OUT

= 0 mA时， CMOS电平

输出漏电流接地< V

＆ LT ; V

，输出禁用

测试条件

= -0.1毫安

= -1.0毫安

- 0.1毫安

= 2.1毫安

1.8

2.2

–0.3

–0.5

–1

1.3

民

2.0

2.4

0.4

+ 0.3

+ 0.5

0.6

0.8

2.0

μA

典型值

[3]

最大

单位

自动电源CE认证

CE > V

0.2V, V

＆ GT ; V

- 0.2V或V

＆ LT ; 0.2V ，

断电流 - CMOS F = F

最大

（地址和唯一的数据）， F = 0 （ OE和WE ）

输入

= V

CC（ MAX）的

自动电源CE认证

CE > V

– 0.2V, V

＆ GT ; V

- 0.2V或V

＆ LT ; 0.2V ，

断电流 - CMOS F = 0 ，V

= V

CC（ MAX）的

输入

SB2

μA

笔记

4. V

（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。

5. V

（MAX） = V

+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。

6.全部设备交流操作假定至少100

μs

从0减速时间到V

（分钟）和200

μs

等待时间V后

稳定。

文件编号： 001-45076修订版**

第12页3

[+ ]反馈

CY62126ESL的MoBL

电容

最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。

参数

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

= 25 ° C，F = 1MHz时，

= V

CC （典型值）

最大

单位

热阻

最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。

参数

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷

电路板

TSOP II

28.2

3.4

单位

° C / W

交流测试负载和波形

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

10%

GND

上升时间= 1 V / ns的

所有的输入脉冲

90%

10%

下降时间= 1 V / ns的

相当于：

戴维南

当量

产量

参数

2.50V

16600

15400

8000

1.2

3.0V

1103

1554

645

1.75

5.0V

1800

990

639

1.77

单位

文件编号： 001-45076修订版**

第12页4

[+ ]反馈

CY62126ESL的MoBL

数据保持特性

在整个工作范围

参数

CCDR

CDR的[7]

R [8]

描述

数据保留

数据保持电流

芯片取消到数据

保留时间

手术恢复时间

CE > V

– 0.2V,

＆ GT ; V

- 0.2V或V

＆ LT ; 0.2V

= 1.5V

条件

民

1.5

典型值

[3]

最大

单位

μA

数据保存波形

数据保持方式

CC（分钟）

CDR

> 1.5V

CC（分钟）

笔记

7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

8.全面的设备运行需要的线性V

从V坡道

到V

CC（分钟）

＆ GT ; 100

μs

或稳定在V

CC（分钟）

＆ GT ; 100

μs.

文件编号： 001-45076修订版**

第12页5

[+ ]反馈

CY62126ESL的MoBL

1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM

特点

■

超高速： 45纳秒

宽电压范围： 2.2 V至3.6 V和4.5 V至5.5 V

超低待机功耗

典型待机电流： 1

最大待机电流： 4

超低有功功率

典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的

易内存扩展与CE ， OE和特点

取消的时候自动断电

互补金属氧化物半导体（CMOS）为

最佳速度和功率

可提供无铅44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）

II型封装

地址不切换。将器件置于备用

模式了超过99 ％的功耗降低

取消的时候（ CE HIGH ）。的输入和输出管脚（ I / O的

通过I / O

）被置于高阻抗状态时的

取消选择器件（ CE HIGH ）时，输出被禁止（ OE

HIGH ），无论是高字节使能和低字节使能禁用

（BHE ，BLE高）或在写操作期间（CE低电平和WE

低）。

写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能

（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据

从I / O引脚（ I / O

通过I / O

）被写入的位置

在地址引脚指定的（A

至A

）。如果字节高

使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O

通过

I / O

）被写入的地址引脚指定的位置

至A

从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出

启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果

低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器

由地址引脚指定的位置上出现I / O的

到I / O

。如果

高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据

出现在I / O

到I / O

。见

第11页上的真值表

一

读写模式，完整的描述。

该CY62126ESL装置适用于与接口

具有TTL I / P级别的处理器。它是不适合于

需要CMOS I / P级别的处理器。请参阅

电动

第4页特性

有关详细信息，并建议

替代品。

■

功能说明

该CY62126ESL是一种高性能的CMOS静态RAM

16位组织为64K字。该设备的特点

先进的电路设计，提供超低工作电流。这

非常适合提供更多的电池Life （的MoBL

）便携式

应用程序。该设备还具有自动断电

功能，可显著降低功耗，当

逻辑框图

数据驱动因素

行解码器

64 K × 16

RAM阵列

检测放大器

I / O

-I / O

I / O

-I / O

列解码器

BHE

BLE

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-45076修订版* F

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2013年6月4日

CY62126ESL的MoBL

引脚配置................................................ ............. 3

产品组合................................................ .............. 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 4

电容................................................. ..................... 5

热阻................................................ .......... 5

交流测试负载和波形....................................... 5

数据保持特性....................................... 6

数据保存波形............................................... 6

开关特性................................................ 7

开关波形................................................ ...... 8

真值表................................................ ...................... 11

订购信息................................................ ...... 12

订购代码定义......................................... 12

包图................................................ ............ 13

与缩略语................................................. ....................... 14

文档约定................................................ 14

计量单位............................................... ........ 14

文档历史记录页............................................... 15 ..

销售，解决方案和法律信息...................... 16

全球销售和设计支持....................... 16

产品................................................. ................... 16

的PSoC解决方案................................................ ......... 16

文件编号： 001-45076修订版* F

第16页2

CY62126ESL的MoBL

引脚配置

44针TSOP II （顶视图）

[1]

I / O

BHE

BLE

I / O

产品组合

功耗

产品

范围

范围（V ）

[2]

速度

（纳秒）

我的操作

（毫安）

F = 1MHz的

典型值

[3]

CY62126ESL

工业2.2 V ， 3.6 V和4.5 V ， 5.5 V

1.3

最大

f = f

最大

典型值

[3]

最大

待机情况下，我

SB2

(A)

典型值

[3]

最大

笔记

1. NC引脚没有连接上模具。

2.数据表规格不保证V

在3.6 V至4.5 V的范围内

3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

文件编号： 001-45076修订版* F

第16页3

CY62126ESL的MoBL

最大额定值

超出最大额定值可能损害的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度................................ -65 ° C至+150°C

环境温度与

电源采用............................................ 55 ° C至+125°C

电源电压对地

潜在................................................. ........- 0.5 V至6.0 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[4, 5]

........................................- 0.5 V至6.0 V

直流输入电压

[4, 5]

.....................................- 0.5 V至6.0 V

输出电流转换成输出（低电平） ................................ 20毫安

静电放电电压

（ MIL -STD -883方法3015 ） ..................... > 2001年V

闩锁电流............................................... ...... > 200毫安

工作范围

设备

CY62126ESL

范围

环境

温度

[6]

2.2 V–3.6 V,

和

4.5 V–5.5 V

工业-40 ° C至+85°C

电气特性

在整个工作范围

参数

描述

输出高电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

4.5 < V

< 5.5

输出低电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

输入高电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

输入低电压

2.2 < V

＆ LT ; 2.7

2.7 < V

< 3.6

4.5 < V

< 5.5

输入漏电流

输出漏电流

工作电源

当前

CE自动断电

电流 - CMOS输入

CE自动断电

电流 - CMOS输入

GND < V

＆ LT ; V

GND < V

＆ LT ; V

，输出禁用

f = f

最大

= 1/t

F = 1 MHz的

= V

CCmax

OUT

= 0 mA时，

CMOS电平

测试条件

= -0.1毫安

= -1.0毫安

= -0.1毫安

- 0.1毫安

= 2.1毫安

45纳秒

民

2.0

2.4

–

1.8

2.2

–0.3

–0.5

–1

–

典型值

[7]

–

1.3

最大

–

3.4

[8]

0.4

+ 0.3

+ 0.5

0.6

0.8

2.0

单位

SB1 [9]

CE > V

0.2

V, V

＆ GT ; V

- 0.2 V或V

< 0.2 V ，

f = f

最大

（地址和唯一的数据）， F = 0 （ OE和WE ）

= V

CC（ MAX）的

CE > V

– 0.2 V, V

＆ GT ; V

- 0.2 V或V

< 0.2 V ，

F = 0，V

= V

CC（ MAX）的

SB2 [9]

–

笔记

4. V

IL （ MIN ）

= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。

5. V

IH（ MAX）的

= V

+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。

6.全部设备交流操作假定至少100

从0减速时间到V

CC（分钟）

和200

等待时间V后

稳定。

7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

8.请注意，最大V

限制不超过最低CMOS V

3.5 V.如果你是这个接口与SRAM需要一个5 V传统处理器

最小V

3.5 V，请参考应用笔记

AN6081

对于技术细节，你可以考虑的选项。

9.芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我

SB1

/ I

SB2

/ I

CCDR

规格。其他输入可以悬空。

文件编号： 001-45076修订版* F

第16页4

CY62126ESL的MoBL

电容

参数

[10]

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

= 25 ° C，F = 1兆赫，V

= V

CC （典型值）

最大

单位

热阻

参数

[10]

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上

板

44引脚TSOP II组

28.2

3.4

° C / W

交流测试负载和波形

图1. AC测试负载和波形

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

GND

上升时间= 1 V / ns的

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

下降时间= 1 V / ns的

相当于：

戴维南

当量

产量

参数

2.50 V

16600

15400

8000

1.2

3.0 V

1103

1554

645

1.75

5.0 V

1800

990

639

1.77

单位

记

10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 001-45076修订版* F

第16页5