CY62126DV30
的MoBL
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.2V至3.6V
与CY62126BV 引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流为0.85毫安F = 1兆赫
- 典型的有源电流5mA @频率= F
最大
超低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
采用48球FBGA封装提供了和44引脚TSOP
II型
无铅封装也可
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低90％时的地址不
切换。该装置可被置于待机模式减少
由99％以上的取消选择时的功耗（CE
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ）
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH）或在
写操作（ LOW CE和WE低）。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62126DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
2048 x 512
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
11
A
13
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05230牧师* E
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年2月2日
CY62126DV30
的MoBL
销刀豆网络gurations
[2, 3]
FBGA （顶视图）
4
2
5
3
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
NC
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
TSOP II （向前）
顶视图
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62126DV30L
CY62126DV30LL
CY62126DV30L
CY62126DV30LL
CY62126DV30L
CY62126DV30LL
2.2
3.0
3.6
2.2
3.0
3.6
分钟。
2.2
典型值。
3.0
马克斯。
3.6
速度快（纳秒）
45
45
55
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
0.85
0.85
0.85
0.85
0.85
0.85
马克斯。
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
f = f
最大
典型值。
[4]
6.5
6.5
5
5
5
5
马克斯。
13
13
10
10
10
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[4]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
5
4
5
4
5
4
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3， E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
为确保正常运行。 （扩展针脚的FBGA封装形式： E4 - 2M ， D3 - 4M ， H1 - 8M ， G2 - 16M ， H6 - 32M ） 。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05230牧师* E
第11 2
CY62126DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. ..........
0.3V
到3.9V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5.]
...................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[5]
................................
0.3V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度（T
A
)
40°C
至+ 85°C
V
CC
[6.]
2.2V至3.6V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62126DV30-45
参数说明
V
OH
V
OL
V
IH
测试条件
输出高电平2.2 < V
CC
<我2.7
OH
=
0.1
2.0毫安
电压
2.7 < V
CC
<我3.6
OH
=
1.0
2.4毫安
输出低电平2.2 < V
CC
<我2.7
OL
- 0.1毫安
电压
2.7 < V
CC
<我3.6
OL
= 2.1毫安
输入高
电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
V
IL
输入低
电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
I
IX
输入
泄漏
当前
产量
泄漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
自动
CE
掉电
当前
CMOS输入
自动
CE
掉电
电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
1.8
2.2
0.3
0.3
1
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
1.8
2.2
0.3
0.3
1
CY62126DV30-55 CY62126DV30-70
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
1.8
+ 0.3
V
CC
2.2
+ 0.3
0.6
0.8
+1
0.
3
0.
3
1
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
A
V
V
V
V
MIN 。 TYP 。
[4]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[4]
马克斯。最小典型。
[4]
MAX 。 UNIT
I
OZ
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
1
+1
1
+1
1
+1
A
I
CC
6.5
0.85
1.5
1.5
13
1.5
5
4
5
0.85
1.5
1.5
10
1.5
5
4
5
0.85
1.5
1.5
10
1.5
5
4
mA
I
SB1
CE > V
CC
0.2V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
LL
f = f
最大
（地址和数据
只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
L
LL
A
I
SB2
1.5
1.5
5
4
1.5
1.5
5
4
1.5
1.5
5
4
A
注意事项：
5. V
白细胞介素（分钟）
=
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。 ，V
IH （ MAX 。 ）
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6，全面的设备运行需要的V线性斜坡
CC
从0V到V
CC（分钟）
＆放大器; V
CC
必须在V是稳定的
CC（分钟）
500
s.
文件编号： 38-05230牧师* E
第11 3
CY62126DV30
的MoBL
电容
[7]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
参数
θ
JA
θ
JC
描述
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
[7]
[7]
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
TSOP
55
12
FBGA
76
11
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[8]
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
产量
戴维南等效
R
TH
V
TH
R2
所有的输入脉冲
V
CC
典型值
GND
上升时间： 1 V / ns的
10%
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.2
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[7]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V ，CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
L
LL
0
100
条件
分钟。
1.5
4
3
ns
s
典型值
.[4]
马克斯。
单位
V
A
注意事项：
7.测试开始后任何设计或PROCES的变化，可能会影响这些参数。
为45 ns的部分8.测试条件为30 pF的负载电容
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
>100
s.
文件编号： 38-05230牧师* E
第11 4
CY62126DV30
的MoBL
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
CE
V
CC（分钟）
t
CDR
V
CC（分钟）
t
R
开关特性
（在整个工作范围内）
[10]
CY62126DV30-45
[8]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高到高Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
BLE / BHE高来高-Z
[11, 12]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
WE高到低Z
[11]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
5
15
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
5
0
45
25
5
20
70
60
60
0
0
50
60
30
0
25
10
20
0
55
25
5
25
5
15
10
20
0
70
35
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62126DV30-55
分钟。
马克斯。
CY62126DV30-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[13]
注意事项：
10.测试条件假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
.
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
.
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05230牧师* E
第11个5
QQ：2880707522 复制
