CY62126DV30的MoBL
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
??非常高的速度
= 55 ns的
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
=宽电压范围
— 2.2V - 3.6V
与CY62126BV 引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流为0.85毫安F = 1兆赫
- 典型的有源电流5mA @频率= F
最大
（ 55纳秒的速度）
超低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
提供无铅和无无铅48球VFBGA和
44引脚TSOP II型封装
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低90％时的地址不
切换。该装置可被置于待机模式减少
由99％以上的取消选择时的功耗（CE
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ）
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH）或在
写操作（ LOW CE和WE低）。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62126DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
11
A
13
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05230牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月18日
[+ ]反馈
CY62126DV30的MoBL
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62126DV30L
CY62126DV30LL
范围
汽车
产业
分钟。
2.2
典型值。
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
55
55
F = 1 MHz的
典型值。
[2]
0.85
0.85
马克斯。
1.5
1.5
f = f
最大
典型值。
[2]
5
5
马克斯。
10
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
1.5
1.5
马克斯。
15
4
销刀豆网络gurations
[3, 4]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚未连接到模具上。
4. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
为确保正常运行。 （扩展针脚的FBGA封装形式： E4 - 2M ， D3 - 4M ， H1 - 8M ， G2 - 16M ， H6 - 32M ） 。
文件编号： 38-05230牧师* H
第12页2
[+ ]反馈
CY62126DV30的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. .............- 0.3 3.9V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[6]
................................
0.3V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车
环境温度（T
A
)
40°C
至+ 85°C
40°C
至+ 125°C
V
CC
[7]
2.2V至3.6V
2.2V至3.6V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62126DV30-55
参数
V
OH
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
2.2V < V
CC
＆ LT ; 2.7V
2.7V < V
CC
＆ LT ; 3.6V
2.2V < V
CC
＆ LT ; 2.7V
2.7V < V
CC
＆ LT ; 3.6V
2.2V < V
CC
＆ LT ; 2.7V
2.7V < V
CC
＆ LT ; 3.6V
测试条件
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
1.8
2.2
0.3
0.3
Ind'l
AUTO
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
Ind'l
AUTO
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时， CMOS
水平
L
Ind'l
AUTO
LL
1
4
1
4
5
0.85
1.5
1.5
1.5
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+4
+1
+4
10
1.5
5
15
4
A
A
mA
A
A
V
V
V
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
OL
V
IH
V
IL
输入低电压2.2V < V
CC
＆ LT ; 2.7V
2.7V < V
CC
＆ LT ; 3.6V
I
IX
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
I
OZ
I
CC
I
SB1
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V,
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.6V
I
SB2
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
L
Ind'l
AUTO
1.5
1.5
1.5
5
15
4
LL
注意事项：
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
6. V
白细胞介素（分钟）
=
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。 ，V
IH （ MAX 。 ）
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全面的设备运行需要的V线性斜坡
CC
从0V到V
CC（分钟）
＆放大器; V
CC
必须在V是稳定的
CC（分钟）
500
s.
文件编号： 38-05230牧师* H
第12页3
[+ ]反馈
CY62126DV30的MoBL
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
TSOP
55
12
VFBGA
76
11
单位
° C / W
° C / W
热阻（结到环境）静止空气，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
热阻（结到管壳）
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
产量
戴维南等效
R
TH
V
TH
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.2
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V ，CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
L
L
LL
t
CDR[8]
t
R[9]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
Ind'l
AUTO
Ind'l
0
100
条件
分钟。
1.5
4
10
3
ns
s
典型值
[2]
马克斯。
单位
V
A
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
8.测试开始后任何设计或PROCES的变化，可能会影响这些参数。
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
>100
s.
文件编号： 38-05230牧师* H
第12页4
[+ ]反馈
CY62126DV30的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[10]
CY62126DV30-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
WE高到低Z
[11]
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高到高Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
BLE / BHE高来高-Z
[11, 12]
5
20
0
55
25
10
20
5
20
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
10.测试条件假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
.
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
.
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05230牧师* H
第12页5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
