CY62126BV
64K ×16静态RAM
特点
2.7V - 3.6V的工作电压
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（ 70纳秒， LL版）
- 54毫瓦（最大） （15 mA）的
低待机功耗（ 70纳秒， LL版）
— 54
W
（最大值） （15
A)
自动断电时取消
独立的高低字节的控制
提供44引脚TSOP II （向前）和FBGA
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY62126BV是标准的44引脚TSOP II型可
（向前引出线）和FBGA封装。
功能说明
该CY62126BV是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为65,536字。该设备具有自动
MATIC掉电功能，显著降低功耗
当取消了99 ％的消费。该器件进入
关断模式下，当CE为高电平。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
销刀豆网络gurations
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
数据驱动因素
A
12
A
11
A
10
A
9
A
7
A
6
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
1024 X 1024
I / O
1
- I / O
8
I / O
9
- I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
62126BV–1
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
A
4
A
5
A
8
A
13
A
14
A
15
检测放大器
62126BV–2
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年6月14日
CY62126BV
销刀豆网络gurations
（续）
FBGA
1
BLE
I / O
9
2
OE
BHE
3
A
0
A
3
A
5
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
2
I / O
4
I / O
5
I / O
6
WE
A
11
6
NC
I / O
1
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
7
I / O
8
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
62126BV–3
I / O
10
I / O
11
V
SS
V
CC
I / O
12
NC
I / O
13
NC
A
14
A
12
A
9
I / O
15
I / O
14
I / O
16
NC
NC
A
8
选购指南
CY62126BV-55
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
55
20
15
CY62126BV-70
70
15
15
单位
ns
mA
A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
[2]
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V–3.6V
2
CY62126BV
电气特性
在整个工作范围
62126BV
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
≥
V
CC
– 0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
0.5
55纳秒
70纳秒
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.2
0.4
2.0
–0.3
–1
–1
V
CC
+
0.3
0.4
+1
+1
20
15
2
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
15
A
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 1076
3.0V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
产量
相当于：戴维南
当量
R2
1262
3.0V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
581
R2
1262
GND
上升时间：
1 V / ns的
1.62V
62126BV-4
R1 1076
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间
1 V / ns的
(b)
注意事项：
3.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取名义
条件（T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.0V ） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY62126BV
开关特性
[5]
在整个工作范围
62126BV–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
62126BV–70
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
35
5
25
70
60
60
0
0
50
30
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
60
ns
ns
描述
分钟。
55
马克斯。
55
10
55
25
5
20
10
20
0
55
25
5
20
55
45
45
0
0
40
25
0
5
25
45
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
[7]
字节禁止以高Z
[6,7]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6,7]
字节使能，以结束写的
写周期
[8]
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
和叔
HZBE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
, t
HZWE
小于吨
LZWE
和叔
HZBE
小于吨
LZBE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。请参考真值表
进一步的条件，从BHE和BLE 。
4
CY62126BV
数据保持特性
（只有在工作范围内的“ L”和“ LL ”版）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
[4]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
条件
[9]
V
CC
=V
DR
=2.0V,
CE
≥V
CC
– 0.3V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或，
V
IN
≤
0.3V
分钟。
2.0
典型值
0.5
马克斯。
3.6
15
单位
V
A
ns
ns
0
t
RC
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
62126BV–5
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
62126BV-6
读周期2号（ OE控制）
[11, 12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
DBE
t
LZBE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZBE
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
62126BV-7
I
CC
高
阻抗
注意事项：
9.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE ， BLE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
或BHE和BLE = V
IH
.
5
CY62126BV
64K ×16静态RAM
特点
2.7V - 3.6V的工作电压
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（ 70纳秒， LL版）
- 54毫瓦（最大） （15 mA）的
低待机功耗（ 70纳秒， LL版）
— 54
W
（最大值） （15
A)
自动断电时取消
独立的高低字节的控制
提供44引脚TSOP II （向前）和FBGA
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY62126BV是标准的44引脚TSOP II型可
（向前引出线）和FBGA封装。
功能说明
该CY62126BV是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为65,536字。该设备具有自动
MATIC掉电功能，显著降低功耗
当取消了99 ％的消费。该器件进入
关断模式下，当CE为高电平。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
销刀豆网络gurations
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
数据驱动因素
A
12
A
11
A
10
A
9
A
7
A
6
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
1024 X 1024
I / O
1
- I / O
8
I / O
9
- I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
62126BV–1
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
A
4
A
5
A
8
A
13
A
14
A
15
检测放大器
62126BV–2
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年6月14日
CY62126BV
销刀豆网络gurations
（续）
FBGA
1
BLE
I / O
9
2
OE
BHE
3
A
0
A
3
A
5
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
2
I / O
4
I / O
5
I / O
6
WE
A
11
6
NC
I / O
1
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
7
I / O
8
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
62126BV–3
I / O
10
I / O
11
V
SS
V
CC
I / O
12
NC
I / O
13
NC
A
14
A
12
A
9
I / O
15
I / O
14
I / O
16
NC
NC
A
8
选购指南
CY62126BV-55
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
55
20
15
CY62126BV-70
70
15
15
单位
ns
mA
A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
[2]
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V–3.6V
2
CY62126BV
电气特性
在整个工作范围
62126BV
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
≥
V
CC
– 0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
0.5
55纳秒
70纳秒
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.2
0.4
2.0
–0.3
–1
–1
V
CC
+
0.3
0.4
+1
+1
20
15
2
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
15
A
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 1076
3.0V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
产量
相当于：戴维南
当量
R2
1262
3.0V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
581
R2
1262
GND
上升时间：
1 V / ns的
1.62V
62126BV-4
R1 1076
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间
1 V / ns的
(b)
注意事项：
3.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取名义
条件（T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.0V ） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY62126BV
开关特性
[5]
在整个工作范围
62126BV–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
62126BV–70
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
35
5
25
70
60
60
0
0
50
30
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
60
ns
ns
描述
分钟。
55
马克斯。
55
10
55
25
5
20
10
20
0
55
25
5
20
55
45
45
0
0
40
25
0
5
25
45
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
[7]
字节禁止以高Z
[6,7]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6,7]
字节使能，以结束写的
写周期
[8]
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
和叔
HZBE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
, t
HZWE
小于吨
LZWE
和叔
HZBE
小于吨
LZBE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。请参考真值表
进一步的条件，从BHE和BLE 。
4
CY62126BV
数据保持特性
（只有在工作范围内的“ L”和“ LL ”版）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
[4]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
条件
[9]
V
CC
=V
DR
=2.0V,
CE
≥V
CC
– 0.3V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或，
V
IN
≤
0.3V
分钟。
2.0
典型值
0.5
马克斯。
3.6
15
单位
V
A
ns
ns
0
t
RC
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
62126BV–5
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
62126BV-6
读周期2号（ OE控制）
[11, 12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
DBE
t
LZBE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZBE
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
62126BV-7
I
CC
高
阻抗
注意事项：
9.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE ， BLE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
或BHE和BLE = V
IH
.
5
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