赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY54/74FCT841T
SCCS035 - 1994年9月 - 修订2000年3月
10位锁存器
高速并行锁存器
常见的缓冲锁存使能输入
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT ，女兼容，
AM29841逻辑
FCT -C速度5.5 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
FCT -B的速度为6.5 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
断电禁用功能
匹配的上升和下降时间
ESD > 2000V
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
灌电流
64毫安（ Com'l ）
32毫安（ MIL）
源电流32 mA （ Com'l ）
12毫安（ MIL）
功能说明
该FCT841T总线接口锁存器被设计为消除
需要额外的软件包，以现有的缓冲锁存器，并提供
额外的数据宽度更宽的地址/数据路径或公交车
携带奇偶校验。该FCT841T是一个缓冲的10 - bit宽版
的FCT373功能。
该FCT841T高性能的接口是专为
高电容负载驱动能力，同时提供
低电容总线负载的输入和输出。
输出是专为低电容总线负载在
高阻抗状态，并设计有关闭电源
禁用功能，允许电路板的带电插入。
功能框图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
N- 1
D
N
D
LE
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
LE
OE
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
N- 1
Y
N
逻辑框图
D
10
D
LE
LE
OE
Q
10
销刀豆网络gurations
DIP / QSOP / SOIC
顶视图
Y
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
LE
版权
2000年，德州仪器
CY54/74FCT841T
引脚说明
名字
D
LE
Y
OE
I
I
O
I
I / O
锁存器的数据输入。
锁存使能输入。锁存器是透明的，当LE为高。输入数据被锁存的
高到低的跳变。
三态锁存器输出。
输出使能控制。当OE为低电平时，输出被使能。当OE为高电平时，输出
Y
1
处于高阻抗（关）状态。
描述
功能表
[1]
输入
OE
H
H
H
H
L
L
L
LE
X
H
H
L
H
H
L
D
X
L
H
X
L
H
X
内部输出
O
X
L
H
NC
L
H
NC
Y
Z
Z
Z
Z
L
H
NC
功能
高Z
锁存（高阻）
透明
LATCHED
最大额定值
[2, 3]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 65 ° C至+ 135°C的
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压-0.5V ............................................至+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
广告
军事
[4]
范围
所有
所有
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
注意事项：
1. H =高电平， L =低电压等级， X =无所谓， NC =无变化， Z =高阻抗。
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2
CY54/74FCT841T
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
32
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
15
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
12
mA
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
=
18
mA
V
CC
=最大，V
IN
= V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= 2.7V
V
CC
=最大，V
IN
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 4.5V
60
120
0.2
0.7
1.2
5
±1
±1
10
10
225
±1
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 32毫安
Com'l
Com'l
米尔
Com'l
米尔
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
2.4
3.3
3.3
0.3
0.3
0.55
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
描述
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
3
CY54/74FCT841T
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
（ TTL输入高电平）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[8]
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
静态电源电流V
CC
=最大，V
IN
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
-0.2V
动态电源电流
[9]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一个输入切换， OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
总电源电流
[10]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
十位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
十位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
I
C
0.7
1.4
mA
1.0
2.4
mA
1.0
3.2
[11]
mA
4.1
13.2
[11]
mA
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对HLH或LHL电流）
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
4
CY54/74FCT841T
开关特性
在整个工作范围
[12]
FCT841AT
军事
参数
t
PLH
t
PHL
描述
传播延迟
D
1
为Y
1
（L =高）
传播延迟
D
1
为Y
1
（ LE =高）
t
SU
t
H
t
PLH
t
PHL
数据LE建立
时间
数据LE保持时间
传播延迟
LE为Y
1
传播延迟
LE为Y
1 [12]
t
W
t
PZH
t
PZL
测试负载
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
分钟。
1.5
1.5
2.5
3.0
1.5
1.5
5.0
1.5
1.5
1.5
1.5
13.0
25.0
9.0
10.0
13.0
20.0
马克斯。
10.0
15.0
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
11.5
23.0
7.0
8.0
12.0
16.0
马克斯。
9.0
13.0
FCT841BT
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
8.0
14.0
6.0
7.0
8.0
15.5
马克斯。
6.5
13.0
FCT841CT
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
6.5
12.0
5.7
6.0
6.4
15.0
5.5
13.0
图。
马克斯。单元号
[13]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1, 3
1, 3
9
9
1, 3
1, 3
5
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 7, 8
LE脉冲宽度（高）C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
输出使能时间
OE为Y
1
输出使能时间
OE为Y
1[12]
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
C
L
= 5 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE为Y
1[12]
输出禁止时间
OE为Y
1
订购信息
速度
（纳秒）
5.5
6.5
9.0
10.0
订购代码
CY74FCT841CTQCT
CY74FCT841CTSOC/SOCT
CY74FCT841BTPC
CY74FCT841ATSOC/SOCT
CY54FCT841ATDMB
包
名字
Q13
S13
P13/P13A
S13
D14
套餐类型
24引脚（ 150 mil）的QSOP
24引脚（ 300密耳）模压SOIC
24引脚（ 300 mil）的模制DIP
24引脚（ 300密耳）模压SOIC
24引脚（ 300密耳） CERDIP
广告
广告
军事
操作
范围
广告
注意事项：
12.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
13.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
文件编号： 38-00273 -B
5
QQ：2880707522 复制
