赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY29FCT818T
SCCS012 - 1994年5月 - 修订2000年2月
诊断扫描寄存器
器被设计用于的应用，如在sequen-诊断
TiAl金属电路，其中理想的是在一个spe-加载已知数据
在电路中，并在该位置读取数据茨音响位置。
影子寄存器可以从的输出负载数据
FCT818T ，并且可以作为一个右移位寄存器
位串行输入SDI和SDO输出，使用DCLK 。数据
寄存器的输入被多路复用到从影子使装载
注册或使用PCLK数据输入引脚。需要注意的是数据
可以同时装载从影子寄存器的
流水线寄存器，以及从流水线寄存器到阴
注册提供建立和保持时间的要求
SATIS音响编相对于两个独立的时钟输入。
在一个典型应用中，通用的寄存器
FCT818T取代8位数据寄存器中的正常数据
一个系统的路径。影子寄存器被放置在一个辅
位串行环路被用于诊断。在诊断
操作中，数据被串行移入影子寄存器中，然后
传送到通用寄存器加载一个已知
值到数据路径。要阅读的内容在这一点上
的数据路径，该数据被从数据寄存器传送到
影子寄存器，然后串行移位在辅助
诊断循环，使它的诊断访问
控制器。然后，这些数据与预期值进行比较
诊断顺序电路的误动作。
输出设计有断电禁用功能
允许电路板带电插入。
特点
功能，引脚排列和驱动与FCT兼容， F逻辑
和AM29818
FCT -C速度6.0 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
FCT -A为12.0 ns的最大速度。 （ MIL）
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
关闭电源关闭功能
匹配的上升和下降时间
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
灌电流
64毫安（ Com'l ）
20毫安（ MIL）
源电流32 mA （ Com'l ）
3毫安（ MIL）
8位流水线和寄存器的影子
ESD > 2000V
功能说明
该FCT818T包含一个高速8位通用
数据流水线寄存器和高速8位影子寄存器。
的通用寄存器可以在一个8位宽的可使用
数据路径为正常系统中的应用。影子寄存器
逻辑框图
销刀豆网络gurations
LCC
顶视图
D6
D5
D4
NC
D3
D2
D1
DIP ， SOIC ， QSOP
顶视图
OE
DCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
模式
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
SDO
PCLK
SDI
DCLK
D
0
D
7
8-BIT
影子
注册
SDO
D
7
SDI
GND
NC
PCLK
SDO
Y
7
12
13
14
15
16
17
18
11 10 9 8 7 6 5
CLK
S
0
S
7
8
D
Q
19 2021 222324 25
Y6
Y5
模式
4
3
2
1
28
27
26
D
0
DCLK
OE
NC
V
cc
模式
Y
0
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
SDI
GND
MUX
8
8-BIT
管道
注册
8
P
0
P
7
PCLK
OE
8
Y
0
Y
7
Y4
NC
Y3
Y2
Y1
版权
2000年，德州仪器
CY29FCT818T
功能表
[1]
输入
模式
L
L
H
H
H
SDI
X
X
L
H
X
X
X
X
X
DCLK
X
输入
PCLK
SDO
S
7
S
7
L
H
SDI
影子
注册
S
0
← SDI
S
i
←S
i-1
NA
S
i
←Y
i
HOLD
NA
管道
注册
NA
P
i
←D
i
NA
NA
P
i
←S
i
手术
串行移位;
7
–D
0
输出禁用
从数据输入载荷管道注册
从Y输出负载影子寄存器
持有影子寄存器;
7
D
0
输出启用
从影子寄存器加载流水线寄存器
最大额定值
[2, 3]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导方针，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 65 ° C至+ 135°C的
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压-0.5V ............................................至+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ....... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
广告
军事
[4]
范围
所有
所有
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -32毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -15毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -3毫安
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
V
CC
=最大，V
IN
=V
CC
V
CC
=最大，V
IN
=2.7V
V
CC
=最大，V
IN
=0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
=2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
=0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
=0.0V
V
CC
=0V, V
OUT
=4.5V
–60
–120
0.2
–0.7
–1.2
5
±1
±1
10
–10
–225
±1
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 20毫安
Com'l
Com'l
米尔
Com'l
米尔
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
2.4
3.3
3.3
0.3
0.3
0.55
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
2
CY29FCT818T
电气特性
在整个工作范围
参数
描述
测试条件
分钟。
典型值。
[5]
马克斯。
单位
注意事项：
1， NA =不适用
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效读数等参数的测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
文件编号： 38-00275 -B
描述
输入电容
输出电容
测试条件
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
静态电源电流
（ TTL输入高电平）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
<0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[8]
典型值。
[5]
0.2
0.5
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
动态电源电流
[9]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一个输入切换， OE = GND ，
V
IN
<0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
总电源电流
[10]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时，一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
OE = GND ，V
IN
<0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时，一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
OE = GND ，V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时， 8位寄存器，四个控件
切换，女
1
= 5 MHz时， OE = GND ，
V
IN
<0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时， 8位寄存器，四个控件
切换，女
1
= 5 MHz时， OE = GND ，
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
I
C
5.3
mA
7.3
mA
17.8
[11]
mA
30.8
[11]
mA
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
3
CY29FCT818T
开关特性
在整个工作范围
[12]
FCT818AT
军事
参数
t
PD
传播延迟
PCLK为Y
模式到SDO
SDI到SDO
DCLK到SDO
建立时间
D钮PCLK
MODE键， PCLK
Y键DCLK
MODE键， DCLK
SDI到DCLK
DCLK到PCLK
PCLK到DCLK
保持时间
D钮PCLK
MODE键， PCLK
Y键DCLK
MODE键， DCLK
SDI到DCLK
输出禁止时间低
OE为Y
DCLK到D
输出禁止历史新高
OE为Y
DCLK到D
输出使能时间LOW
OE为Y
DCLK到D
输出使能创新高
OE为Y
DCLK到D
脉冲宽度
PCLK （高和低）
DCLK （高和低）
包
名字
P13/13A
Q13
S13
D14
15
25
6
15
5
12
10
15
45
2
0
5
5
0
20
45
30
90
20
35
20
30
5.0
5.0
描述
分钟。
马克斯。
12
18
18
30
2.0
3.5
2.0
3.5
3.5
3.5
8.5
1.5
0
1.5
1.5
0
5.5
5.5
8.0
8.0
8.0
9.0
8.5
9.0
FCT818CT
广告
分钟。
马克斯。
6.0
7.2
7.1
7.2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。号
[13]
5
6
3
5
t
S
4
t
H
4
t
PLZ
7
5
8
5
7
5
8
5
5
5
操作
范围
广告
t
PHZ
t
PZL
t
PZH
t
W
速度
（纳秒）
6.0
订购代码
CY29FCT818CTPC
CY29FCT818CTQCT
CY29FCT818CTSOC/SOCT
套餐类型
24引脚（ 300 mil）的模制DIP
24引脚（ 150 mil）的QSOP
24引脚（ 300密耳）模压SOIC
24引脚（ 300密耳） CERDIP
12.0
CY29FCT818ATDMB
军事
注意事项：
12.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
13.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
4
CY29FCT818T
包图
24引脚（ 300 mil）的D14 CERDIP
MIL-STD-1835
D-9 Config.A
28坊无引线芯片载体L64
MIL -STD - 1835 C- 4
24引脚（ 300 mil）的模制DIP P13 / P13A
5
QQ：800888908 复制
