1CY 27H0 10
传真号： 3023
CY27H010
128K ×8高速CMOS EPROM
特点
CMOS的最佳速度/功耗
高速
— t
AA
= 25 ns（最大值） 。 （商用）
— t
AA
= 35 ns（最大值） 。 （军事）
低功耗
- 275毫瓦最大。
- 低于85毫瓦时取消
字节宽度的存储器组织
在thewindowed包装100 ％可重复编程
EPROM技术
能承受>2001V静电放电
可在
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚， 600密耳胶或密封DIP
- 32引脚密封LCC
尝试标准的32引脚， 600密耳DIP ， LCC ， PLCC ， TSOP和-I
包。这些器件提供高密度存储的COM
软硬件就可以为40 - MHz的性能。该CY27H010可用
在窗口和不透明的包。窗口封装AL-
该设备从低到用UV光被擦除100％重
可编程性。
该CY27H010配备了省电芯片使能
（ CE）的输入和输出使能（ OE ） 。当CE为无效，
该设备掉电，以低功率待机模式。该
OE引脚三态输出，而不把设备插入
待机模式。而CE提供了更低的功耗， OE提供
更迅速过渡到和从三态输出。
存储器单元利用成熟的EPROM的浮栅技
学和字节宽的智能编程算法。该
只有12.75 V EPROM单元需要的超高压和
低编程电流允许团伙编程。该
装置允许对每个存储单元进行测试的100％ ，
因为每个位置被写入，擦除和反复
封装前行使。每个设备还测试了
对于AC性能，保证产品满足DC
和客户程序后， AC的技术指标。
该CY27H010被断言两个CE和OE阅读
输入。存储单元的由所选择的内容
在输入A地址
16
–A
0
将出现在输出
7
–O
0
.
功能说明
该CY27H010是一个高性能， 1兆位的CMOS
EPROM组织128字节。它是在行业可用
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
掉电
O
7
O
5
O
6
地址
解码器
多路复用器
O
4
O
3
O
1
可编程
ARRAY
O
2
O
0
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
PGM
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
H010–2
LCC / PLCC
顶视图
CE
OE
OUTPUT ENABLE
解码器
H010–1
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
H010–3
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1994年8月 - 修订1997年3月
CY27H010
销刀豆网络gurations
（续）
TSOP
顶视图
A
11
A
9
A
8
A
13
A
14
NC
PGM
V
CC
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE / VFY
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
GND
O
2
O
1
O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
H010–4
选购指南
27H010–25
最大访问时间（纳秒）
CE访问时间（纳秒）
CE访问时间（纳秒）
OE访问时间（纳秒）
OE访问时间（纳秒）
I
CC[1]
（MA ）
电源电流
I
SB[2]
（MA ）
待机电流
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
15
15
75
75
12
20
25
30
27H010–30
30
30
27H010–35
35
40
40
20
20
50
85
15
25
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 5.5V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
瞬态输入电压3.0V ................................-为<20 NS
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
注意：
1. V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时， F = 10兆赫。
2. V
CC
=最大值， CE = V
IH
.
3.联系赛普拉斯代表的工业温度范围内规范。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[3]
军事
[4]
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
2
CY27H010
电气特性
在整个工作范围
[5, 6]
27H010–25
27H010–30
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏
当前
输出漏
当前
电源电流
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12.0毫安
保证输入逻辑高电平
电压输入所有
保证输入逻辑低电平
电压输入所有
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
F = 10MHz的
V
CC
=最大，
CE = V
IH
Com'l
米尔
Com'l
米尔
15
–10
–10
2.0
分钟。
2.4
0.45
V
CC
+0.5
0.8
+10
+10
75
–10
–10
2.0
马克斯。
27H010–35
分钟。
2.4
0.45
V
CC
+0.5
0.8
+10
+10
50
85
15
25
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
I
SB
待机电流
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
5.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
6.请参阅介绍CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
交流测试负载和波形
R1 318
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
197
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
197
R1 318
3.0V
90%
GND
≤
3纳秒
10%
90%
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
121
1.91V
(b)
H010–5
H010–6
开关特性
在整个工作范围
27H010–25
参数
t
AA
t
OE
t
HZOE
描述
地址到输出有效
OE有效到输出有效
OE无效，以高Z
分钟。
马克斯。
25
12
12
27H010–30
分钟。
马克斯。
30
20
20
27H010–35
分钟。
马克斯。
35
20
20
单位
ns
ns
ns
3
CY27H010
开关特性
在工作范围（续）
27H010–25
参数
t
CE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
OH
描述
CE主动到输出有效
CE无效，以高Z
CE主动到Power -UP
CE不活跃掉电
输出数据保持
0
0
30
0
分钟。
马克斯。
30
12
0
35
0
27H010–30
分钟。
马克斯。
30
20
0
40
27H010–35
分钟。
马克斯。
40
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形
I
CC
t
PU
CE
t
PD
OE
A
0
– A
16
地址一
t
AA
t
CE
t
AA
ADDR B
t
HZOE
t
OH
t
OE
t
HZCE
数据B
H010–7
O
0
– O
7
数据
数据B
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
在CY27H010在窗口包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露于阳光或荧光灯照明扩展PE-
时间riods 。
紫外光的推荐剂量为擦除是
的2537埃的最小剂量波长（UV意向
城市问题25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于UL-
traviolet灯用12毫瓦/平方厘米
2
功率等级，曝光
时间将是大约35分钟。该CY27H010
需要被内擦除期间1英寸的灯。 Perma-
新界东北的损害可能会导致如果EPROM暴露在高IN-
张力的紫外光下，在延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
是推荐的最大剂量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件封装的列表
年龄，请参阅位于PROM编程信息
在本部分的末尾。编程算法可以转播
从任何赛普拉斯代表tained 。
4
1CY 27H0 10
传真号： 3023
CY27H010
128K ×8高速CMOS EPROM
特点
CMOS的最佳速度/功耗
高速
— t
AA
= 25 ns（最大值） 。 （商用）
— t
AA
= 35 ns（最大值） 。 （军事）
低功耗
- 275毫瓦最大。
- 低于85毫瓦时取消
字节宽度的存储器组织
在thewindowed包装100 ％可重复编程
EPROM技术
能承受>2001V静电放电
可在
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚， 600密耳胶或密封DIP
- 32引脚密封LCC
尝试标准的32引脚， 600密耳DIP ， LCC ， PLCC ， TSOP和-I
包。这些器件提供高密度存储的COM
软硬件就可以为40 - MHz的性能。该CY27H010可用
在窗口和不透明的包。窗口封装AL-
该设备从低到用UV光被擦除100％重
可编程性。
该CY27H010配备了省电芯片使能
（ CE）的输入和输出使能（ OE ） 。当CE为无效，
该设备掉电，以低功率待机模式。该
OE引脚三态输出，而不把设备插入
待机模式。而CE提供了更低的功耗， OE提供
更迅速过渡到和从三态输出。
存储器单元利用成熟的EPROM的浮栅技
学和字节宽的智能编程算法。该
只有12.75 V EPROM单元需要的超高压和
低编程电流允许团伙编程。该
装置允许对每个存储单元进行测试的100％ ，
因为每个位置被写入，擦除和反复
封装前行使。每个设备还测试了
对于AC性能，保证产品满足DC
和客户程序后， AC的技术指标。
该CY27H010被断言两个CE和OE阅读
输入。存储单元的由所选择的内容
在输入A地址
16
–A
0
将出现在输出
7
–O
0
.
功能说明
该CY27H010是一个高性能， 1兆位的CMOS
EPROM组织128字节。它是在行业可用
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
掉电
O
7
O
5
O
6
地址
解码器
多路复用器
O
4
O
3
O
1
可编程
ARRAY
O
2
O
0
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
PGM
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
H010–2
LCC / PLCC
顶视图
CE
OE
OUTPUT ENABLE
解码器
H010–1
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
H010–3
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1994年8月 - 修订1997年3月
CY27H010
销刀豆网络gurations
（续）
TSOP
顶视图
A
11
A
9
A
8
A
13
A
14
NC
PGM
V
CC
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE / VFY
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
GND
O
2
O
1
O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
H010–4
选购指南
27H010–25
最大访问时间（纳秒）
CE访问时间（纳秒）
CE访问时间（纳秒）
OE访问时间（纳秒）
OE访问时间（纳秒）
I
CC[1]
（MA ）
电源电流
I
SB[2]
（MA ）
待机电流
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
15
15
75
75
12
20
25
30
27H010–30
30
30
27H010–35
35
40
40
20
20
50
85
15
25
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 5.5V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
瞬态输入电压3.0V ................................-为<20 NS
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
注意：
1. V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时， F = 10兆赫。
2. V
CC
=最大值， CE = V
IH
.
3.联系赛普拉斯代表的工业温度范围内规范。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[3]
军事
[4]
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
2
CY27H010
电气特性
在整个工作范围
[5, 6]
27H010–25
27H010–30
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏
当前
输出漏
当前
电源电流
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12.0毫安
保证输入逻辑高电平
电压输入所有
保证输入逻辑低电平
电压输入所有
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
F = 10MHz的
V
CC
=最大，
CE = V
IH
Com'l
米尔
Com'l
米尔
15
–10
–10
2.0
分钟。
2.4
0.45
V
CC
+0.5
0.8
+10
+10
75
–10
–10
2.0
马克斯。
27H010–35
分钟。
2.4
0.45
V
CC
+0.5
0.8
+10
+10
50
85
15
25
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
I
SB
待机电流
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
5.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
6.请参阅介绍CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
交流测试负载和波形
R1 318
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
197
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
197
R1 318
3.0V
90%
GND
≤
3纳秒
10%
90%
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
121
1.91V
(b)
H010–5
H010–6
开关特性
在整个工作范围
27H010–25
参数
t
AA
t
OE
t
HZOE
描述
地址到输出有效
OE有效到输出有效
OE无效，以高Z
分钟。
马克斯。
25
12
12
27H010–30
分钟。
马克斯。
30
20
20
27H010–35
分钟。
马克斯。
35
20
20
单位
ns
ns
ns
3
CY27H010
开关特性
在工作范围（续）
27H010–25
参数
t
CE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
OH
描述
CE主动到输出有效
CE无效，以高Z
CE主动到Power -UP
CE不活跃掉电
输出数据保持
0
0
30
0
分钟。
马克斯。
30
12
0
35
0
27H010–30
分钟。
马克斯。
30
20
0
40
27H010–35
分钟。
马克斯。
40
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形
I
CC
t
PU
CE
t
PD
OE
A
0
– A
16
地址一
t
AA
t
CE
t
AA
ADDR B
t
HZOE
t
OH
t
OE
t
HZCE
数据B
H010–7
O
0
– O
7
数据
数据B
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
在CY27H010在窗口包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露于阳光或荧光灯照明扩展PE-
时间riods 。
紫外光的推荐剂量为擦除是
的2537埃的最小剂量波长（UV意向
城市问题25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于UL-
traviolet灯用12毫瓦/平方厘米
2
功率等级，曝光
时间将是大约35分钟。该CY27H010
需要被内擦除期间1英寸的灯。 Perma-
新界东北的损害可能会导致如果EPROM暴露在高IN-
张力的紫外光下，在延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
是推荐的最大剂量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件封装的列表
年龄，请参阅位于PROM编程信息
在本部分的末尾。编程算法可以转播
从任何赛普拉斯代表tained 。
4
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