【CY25BAH-8FN沟道IGBT的频闪闪光REJ03G0284-0100Rev.1.00Aug.2】,IC型号CY25BAH-8F-T13,CY25BAH-8F-T13 PDF资料,CY25BAH-8F-T13经销商,ic,电子元器件-51电子网

CY25BAH-8F

N沟道IGBT的频闪闪光

REJ03G0284-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

特点

小型表面贴装封装（ TSSOP - 8 ）

CES

: 400 V

: 150 A

驱动电压： 2.5 V

概要

TSSOP-8

1,2,3,4 ：收藏家

5,6

：发射器

（用于栅极驱动器）

：门

注意：

引脚7只用于栅极驱动。

注意，从主电路电流不能流入该部分（请参见第3页）

应用

频闪闪光照相机

最大额定值

（ TC = 25 ° C）

参数

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

峰栅极 - 发射极电压

集电极电流（脉冲）

结温

储存温度

符号

CES

GES

创业板

TSTG

评级

400

±4

±6

150

- 40 + 150

单位

°C

条件

= 0 V

= 0 V ， TW = 10秒

= 400

（见性能曲线）

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ，第1页4

CY25BAH-8F

电气特性

（总胆固醇= 25 ℃）下

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极漏电流

栅极 - 发射极漏电流

栅极 - 发射极阈值电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

符号

（ BR ） CES

CES

GES

GE （日）

CE （ SAT ）

资本投资者入境计划

分钟。

450

—

0.4

—

典型值。

—

0.6

3.5

6500

马克斯。

—

±10

1.2

7.0

—

单位

测试条件

= 1毫安， V

= 0 V

= 400 V, V

= 0 V

±6

V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 150 A，V

= 2.5 V

= 25 V, V

= 10 V,

F = 1MHz的

性能曲线

最大脉冲集电极电流

（在频闪闪光应用的导电能力）

160

脉冲集电极电流

(A)

°C

= 68

120

栅极 - 发射极电压V

(V)

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 4个2页

CY25BAH-8F

应用实例

氙管

驱动电路

–

G（ ON）的

G（ OFF）

控制信号

推荐工作的最大操作

条件

330 V

350 V

130 A

300

2.85 V

150 A

400

2.5 V

关于使用注意事项

1. IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。所以，请小心处理，以保护

设备从静电电荷。

在导通期间2的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。和

关断期间的峰值反向栅极电流必须变得小于25毫安。（一般地，当R

G（ OFF）

= 68Ω ，它是

满足了。）

3.驱动信号的接地必须连接到只销7 。如果发射极端子销5和6，其中一个大

电流流被提供给装置，所述驱动信号发射器，所述装置可由于大电流而损坏

自指定的栅极电压不施加到器件内部的IGBT 。

4.使用寿命应在忍受充电电流5000张（我

≤

150答：全发光

主电容器的状态）（℃

= 400

可承受5000次的重复放电。重复周期

充分的发光状态下为3秒以上。

施加到栅极 - 发射极电压5.总运行小时数，必须在5000小时内。

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 4 3页

CY25BAH-8F

包装尺寸

8P2J(TSSOP-8)

EIAJ封装代码

JEDEC代码

质量（g ）（参考值）

0.035

铅材料

铜合金

4.4

0.1

6.4

0.2

0.15

- 0.01

+0.05

1.2MAX

(1)

0.1

0.65

0.25

0.1

0.13

0.5

0.2

符号

尺寸以毫米为单位

民

典型值

最大

0°~ 8°

[详细内容A（ 20/1 ）

注1 ）的尺寸数据表明，除非代表值

否则，指定的容差。

订货编号

引脚形式

标准包装

QUANTITY

标准顺序代码

标准订单

代码示例

CY25BAH-8F-T13

表面安装型

TAPING

3000类型名称 - T +方向（ 1或2 ） +3

注：请确认有关航运的详细规格。

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 4 4页

销售战略规划事业部。

保持安全第一在你的电路设计！

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但总是有可能的麻烦

他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施，如替代，辅助（一）配售

电路，（二）利用针对任何故障或事故不可燃材料，或（iii ）预防。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的

应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于瑞萨科技公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利，或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责，始发，

图，表，程序，算法或电路的应用中包含这些材料的例子。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息

公布这些材料，并受到了瑞萨科技公司，恕不另行通知更改，由于产品改进或其他原因。这是

因此，建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品

购买此列出产品之前的信息。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失，这些不准确或错误上涨不承担任何责任。

另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息，包括瑞萨科技半导体

主页（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的部分或全部信息，请您务必

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担

对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。

5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活

是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商

本文所包含的任何具体目的，诸如装置或系统的交通，车辆，医疗，航空航天，核，或海底中继器产品

使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些材料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制，所以一定要根据许可由日本政府和出口

不能导入超过核定目的地之外的国家。

禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。

瑞萨销售办事处

瑞萨科技美国公司

霍尔格450路，圣何塞，加利福尼亚95134-1368 ，U.S.A

联系电话： <1> （ 408 ） 382-7500传真： <1> （ 408 ） 382-7501

瑞萨科技欧洲公司。

郡王草地，压榨板路，伯恩结束，白金汉郡， SL8 5FH ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585 100 ，传真： <44> （ 1628 ） 585 900

瑞萨科技欧洲公司

Dornacher海峡。 3 ， D- 85622克恩，德国

联系电话： <49> （ 89 ） 380 70 0传真： <49> （ 89 ） 929 30 11

瑞萨科技

（香港）有限公司

7 / F。，北塔，世界金融中心，海港城，广东道，香港

联系电话： <852> 2265-6688 ，传真： <852> 2375-6836

瑞萨科技台湾有限公司

有限公司

FL 10 ，＃ 99 ，福星北路，台北，台湾

联系电话： <886> （ 2 ） 2715年至2888年，传真： <886> （ 2 ） 2713年至2999年

瑞萨科技（上海）有限公司

有限公司

26 / F。，瑞金大厦，茂名205路（ S），上海200020 ，中国

联系电话： <86> （ 21 ） 6472-1001 ，传真： <86> （ 21 ） 6415-2952

瑞萨科技（新加坡）。有限公司

1 ，港前大道，＃ 06-10 ，吉宝湾大厦，新加坡098632

联系电话： <65> 6213-0200 ，传真： <65> 6278-8001

http://www.renesas.com

后记.1.0

CY25BAH-8F

N沟道IGBT的频闪闪光

REJ03G0284-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

特点

小型表面贴装封装（ TSSOP - 8 ）

CES

: 400 V

: 150 A

驱动电压： 2.5 V

概要

TSSOP-8

1,2,3,4 ：收藏家

5,6

：发射器

（用于栅极驱动器）

：门

注意：

引脚7只用于栅极驱动。

注意，从主电路电流不能流入该部分（请参见第3页）

应用

频闪闪光照相机

最大额定值

（ TC = 25 ° C）

参数

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

峰栅极 - 发射极电压

集电极电流（脉冲）

结温

储存温度

符号

CES

GES

创业板

TSTG

评级

400

±4

±6

150

- 40 + 150

单位

°C

条件

= 0 V

= 0 V ， TW = 10秒

= 400

（见性能曲线）

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ，第1页4

CY25BAH-8F

电气特性

（总胆固醇= 25 ℃）下

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极漏电流

栅极 - 发射极漏电流

栅极 - 发射极阈值电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

符号

（ BR ） CES

CES

GES

GE （日）

CE （ SAT ）

资本投资者入境计划

分钟。

450

—

0.4

—

典型值。

—

0.6

3.5

6500

马克斯。

—

±10

1.2

7.0

—

单位

测试条件

= 1毫安， V

= 0 V

= 400 V, V

= 0 V

±6

V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 150 A，V

= 2.5 V

= 25 V, V

= 10 V,

F = 1MHz的

性能曲线

最大脉冲集电极电流

（在频闪闪光应用的导电能力）

160

脉冲集电极电流

(A)

°C

= 68

120

栅极 - 发射极电压V

(V)

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 4个2页

CY25BAH-8F

应用实例

氙管

驱动电路

–

G（ ON）的

G（ OFF）

控制信号

推荐工作的最大操作

条件

330 V

350 V

130 A

300

2.85 V

150 A

400

2.5 V

关于使用注意事项

1. IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。所以，请小心处理，以保护

设备从静电电荷。

在导通期间2的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。和

关断期间的峰值反向栅极电流必须变得小于25毫安。（一般地，当R

G（ OFF）

= 68Ω ，它是

满足了。）

3.驱动信号的接地必须连接到只销7 。如果发射极端子销5和6，其中一个大

电流流被提供给装置，所述驱动信号发射器，所述装置可由于大电流而损坏

自指定的栅极电压不施加到器件内部的IGBT 。

4.使用寿命应在忍受充电电流5000张（我

≤

150答：全发光

主电容器的状态）（℃

= 400

可承受5000次的重复放电。重复周期

充分的发光状态下为3秒以上。

施加到栅极 - 发射极电压5.总运行小时数，必须在5000小时内。

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 4 3页

CY25BAH-8F

包装尺寸

8P2J(TSSOP-8)

EIAJ封装代码

JEDEC代码

质量（g ）（参考值）

0.035

铅材料

铜合金

4.4

0.1

6.4

0.2

0.15

- 0.01

+0.05

1.2MAX

(1)

0.1

0.65

0.25

0.1

0.13

0.5

0.2

符号

尺寸以毫米为单位

民

典型值

最大

0°~ 8°

[详细内容A（ 20/1 ）

注1 ）的尺寸数据表明，除非代表值

否则，指定的容差。

订货编号

引脚形式

标准包装

QUANTITY

标准顺序代码

标准订单

代码示例

CY25BAH-8F-T13

表面安装型

TAPING

3000类型名称 - T +方向（ 1或2 ） +3

注：请确认有关航运的详细规格。

Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 4 4页

销售战略规划事业部。

保持安全第一在你的电路设计！

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但总是有可能的麻烦

他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施，如替代，辅助（一）配售

电路，（二）利用针对任何故障或事故不可燃材料，或（iii ）预防。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的

应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于瑞萨科技公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利，或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责，始发，

图，表，程序，算法或电路的应用中包含这些材料的例子。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息

公布这些材料，并受到了瑞萨科技公司，恕不另行通知更改，由于产品改进或其他原因。这是

因此，建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品

购买此列出产品之前的信息。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失，这些不准确或错误上涨不承担任何责任。

另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息，包括瑞萨科技半导体

主页（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的部分或全部信息，请您务必

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担

对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。

5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活

是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商

本文所包含的任何具体目的，诸如装置或系统的交通，车辆，医疗，航空航天，核，或海底中继器产品

使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些材料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制，所以一定要根据许可由日本政府和出口

不能导入超过核定目的地之外的国家。

禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。

瑞萨销售办事处

瑞萨科技美国公司

霍尔格450路，圣何塞，加利福尼亚95134-1368 ，U.S.A

联系电话： <1> （ 408 ） 382-7500传真： <1> （ 408 ） 382-7501

瑞萨科技欧洲公司。

郡王草地，压榨板路，伯恩结束，白金汉郡， SL8 5FH ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585 100 ，传真： <44> （ 1628 ） 585 900

瑞萨科技欧洲公司

Dornacher海峡。 3 ， D- 85622克恩，德国

联系电话： <49> （ 89 ） 380 70 0传真： <49> （ 89 ） 929 30 11

瑞萨科技

（香港）有限公司

7 / F。，北塔，世界金融中心，海港城，广东道，香港

联系电话： <852> 2265-6688 ，传真： <852> 2375-6836

瑞萨科技台湾有限公司

有限公司

FL 10 ，＃ 99 ，福星北路，台北，台湾

联系电话： <886> （ 2 ） 2715年至2888年，传真： <886> （ 2 ） 2713年至2999年

瑞萨科技（上海）有限公司

有限公司

26 / F。，瑞金大厦，茂名205路（ S），上海200020 ，中国

联系电话： <86> （ 21 ） 6472-1001 ，传真： <86> （ 21 ） 6415-2952

瑞萨科技（新加坡）。有限公司

1 ，港前大道，＃ 06-10 ，吉宝湾大厦，新加坡098632

联系电话： <65> 6213-0200 ，传真： <65> 6278-8001

http://www.renesas.com

后记.1.0