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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第577页 > CY2318BNZPVI-11
CY2318BNZ
18路输出， 3.3V的SDRAM缓冲区的
台式机与4个DIMM
特点
一个输入18输出缓冲/驱动器
支持多达四个SDRAM DIMM的
反馈两个附加输出
SMBus接口为单个输出控制
低输出偏移（ < 200 PS）
最多的工业温度100 MHz运行
最多为商业温度133 MHz运行
专用OE引脚用于测试
节省空间的48引脚SSOP封装
3.3V工作电压
功能说明
该CY2318BNZ是一个3.3V的缓冲设计，分发
高速时钟的PC应用程序。该器件具有18输出，
其中16个可以被用于驱动多达四个的SDRAM DIMM时，
和剩余的可用于外部反馈到锁相环（PLL） 。
该器件工作在3.3V和输出可以运行多达100个
兆赫，从而使其与奔腾II兼容
处理器。
该CY2318BNZ可以配合使用的CY2280 ，
CY2281 ， CY2282或类似的时钟合成为一个完整的
奔腾II的主板解决方案。
该CY2318BNZ还包括一个SMBus接口，可以
启用或禁用每个输出时钟。上电时，所有的输出
时钟使能（内部上拉） 。一个单独的输出使能
脚有利于测试的ATE 。
框图
引脚配置
SSOP
顶视图
BUF_IN
SDRAM0
SDRAM1
SDRAM2
SDRAM3
SDRAM4
SDRAM5
SDRAM6
SDRAM7
SDRAM8
SDRAM9
SDRAM10
SDRAM11
SDRAM12
SDRAM13
SDRAM14
SDRAM15
SDRAM16
SDRAM17
OE
SDATA
SMBUS
解码
SCLOCK
NC
NC
V
DD
SDRAM0
SDRAM1
V
SS
V
DD
SDRAM2
SDRAM3
V
SS
BUF_IN
V
DD
SDRAM4
SDRAM5
V
SS
V
DD
SDRAM6
SDRAM7
V
SS
V
DD
SDRAM16
V
SS
V
DDIIC
SDATA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
NC
V
DD
SDRAM15
SDRAM14
V
SS
V
DD
SDRAM13
SDRAM12
V
SS
OE
V
DD
SDRAM11
SDRAM10
V
SS
V
DD
SDRAM9
SDRAM8
V
SS
V
DD
SDRAM17
V
SS
V
SSIIC
SCLOCK
奔腾II是英特尔公司的注册商标。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-07217牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年12月4日
CY2318BNZ
销摘要
名字
V
DD
V
SS
V
DDIIC
V
SSIIC
BUF_IN
OE
SDATA
SCLK
SDRAM [ 0-3 ]
SDRAM [ 4-7 ]
SDRAM [ 8-11 ]
SDRAM [ 12-15 ]
SDRAM [ 16-17 ]
N / C
引脚
3, 7, 12, 16, 20, 29, 33, 37, 42, 46
23
26
11
38
24
25
4, 5, 8, 9
13, 14, 17, 18
31, 32, 35, 36
40, 41, 44, 45
21, 28
1, 2, 47, 48
描述
3.3V数字电源
SM总线电压供应
地面的SMBus
输入时钟（可承受5V ）
输出低电平时，使能（高电平有效） ，三态输出
[1]
SMBus的数据输入
[1]
SMBus时钟输入
[1]
SDRAM字节0的时钟输出
SDRAM字节1时钟输出
SDRAM字节2时钟输出
SDRAM字节3时钟输出
SDRAM的时钟输出反馈可用
保留为将来修改，不连接系统
6 ， 10 ， 15 ， 19 ， 22 ， 27 ， 30 ， 34 ， 39 ， 43地
注意：
1.内部上拉电阻到V
DD
（价值> 100千欧） 。
设备功能
OE
0
1
SDRAM [ 0-17 ]
高阻
1个BUF_IN
文件编号： 38-07217牧师**
第2页8
CY2318BNZ
串行配置地图
串行位将通过在下面的时钟驱动器中读取
顺序：
字节0 - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
字节1 - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
.
.
字节的N - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
保留，未使用的位应设定为“0” 。
为CY2318BNZ SMBus的地址是：
字节1 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
45
44
41
40
36
35
32
31
描述
SDRAM15 （有效/无效）
SDRAM14 （有效/无效）
SDRAM13 （有效/无效）
SDRAM12 （有效/无效）
SDRAM11 （有效/无效）
SDRAM10 （有效/无效）
SDRAM9 （有效/无效）
SDRAM8 （有效/无效）
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
----
字节0 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
针＃
描述
SDRAM7 （有效/无效）
SDRAM6 （有效/无效）
SDRAM5 （有效/无效）
SDRAM4 （有效/无效）
SDRAM3 （有效/无效）
SDRAM2 （有效/无效）
SDRAM1 （有效/无效）
SDRAM0 （有效/无效）
字节2 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
28
21
--
--
--
--
--
--
描述
SDRAM17 （有效/无效）
SDRAM16 （有效/无效）
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
7位18
位6月17日
第5位14
4位13
第3位9
第2位8
第1位5
位0 4
最大额定值
电源电压对地电位..................- 0.5 + 7.0V
直流输入电压（除BUF_IN ） .......... -0.5V到V
DD
+ 0.5
直流输入电压（ BUF_IN ） .............................. -0.5V至7.0V
储存温度.................................- 65
°
C至+150
°
C
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） .............................. >2000V
根据BIAS环境温度..............- 55
°
C至+ 125
°
C
参数
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
A
T
B
描述
任一引脚电压相对于GND
储存温度
工作温度
在偏置环境温度
绝对最大额定值
应力大于本表所列可能导致人员
永久性损坏设备。这些代表一个压力等级
只。该器件在这些或任何其他条件的操作
上面这个特定的操作区域的特定网络版Fi的
阳离子是不是暗示。延长近郊最大的条件
消耗臭氧层物质会影响其可靠性。
等级
-0.5到+7.0
-65到+150
0至+70
-55到+125
单位
V
°C
°C
°C
工作条件
参数
V
DD
, V
DDIIC
T
A
C
L
C
IN
电源电压
工作温度（环境温度）
负载电容
输入电容
描述
分钟。
3.135
–40
20
马克斯。
3.465
85
30
7
单位
V
°C
pF
pF
第3页8
文件编号： 38-07217牧师**
CY2318BNZ
直流电气特性：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DDQ3
= 3.3V±5%
参数
I
DD
I
DD三态
V
IL
V
IH
I
ILEAK
I
ILEAK
V
OL
V
OH
I
OL
I
OH
C
IN
C
OUT
L
IN
描述
3.3V电源电流
3.3V的供电电流为三态
输入低电压
输入高电压
输入漏电流， BUF_IN
输入漏电流
[2]
输出低电压
输出高电压
输出低电流
输出高电流
输入引脚电容（除
BUF_IN ）
输出引脚电容
输入引脚电感
I
OL
= 1毫安
I
OH
= -1毫安
V
OL
= 1.5V
V
OH
= 1.5V
3.1
70
65
110
100
185
160
5
6
7
测试条件/
评论
BUF_IN = 64 MHz的
BUF_IN = 100 MHz的
GND–0.3
2.0
–5
–20
民
140
典型值
165
5
0.8
V
DDQ3
+ 0.5
+5
+5
50
最大
200
单位
mA
mA
V
V
A
A
mV
V
mA
mA
pF
pF
nH
逻辑输入（ BUF_IN ， OE ， SCLOCK ， SDATA ）
逻辑输出（ SDRAM0 ： 17 ）
[3]
引脚电容/电感
文件编号： 38-07217牧师**
第4页8
CY2318BNZ
AC电气特性：
T
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
DDQ3
= 3.3V ± 5 ％ （整电容测试负载= 30 pF的）
参数
f
IN
t
R
t
F
t
SR
t
SF
t
EN
t
DIS
t
PR
t
PF
t
D
Z
o
描述
输入频率
输出上升边沿速率
输出下降边沿速率
输出偏斜，上升沿
输出偏斜，边缘下降
输出使能时间
输出禁止时间
上升沿传输延迟
下降沿传输延迟
占空比
AC输出阻抗
测量1.5V
1.0
1.0
3.0
3.0
50
15
3.85
3.85
测试条件
商业级温度
范围
从0.4V至2.4V测
从2.4V至0.4V测
民
0
1.5
1.5
典型值
最大
133
4.0
4.0
200
200
8.0
8.0
5.0
5.0
60
单位
兆赫
V / ns的
V / ns的
ps
ps
ns
ns
ns
ns
%
注意事项：
2. OE ， SCLOCK和SDATA逻辑引脚有一个250 -K
内部上拉电阻器（未CMOS电平） 。
3.输出负载由6" 60
传输线与20 pF电容。
测试电路
V
DD
0.1
F
输出
CLK出
C
负载
GND
文件编号： 38-07217牧师**
第5页8
CY2318BNZ
18路输出， 3.3V的SDRAM缓冲区的
台式机与4个DIMM
特点
一个输入18输出缓冲/驱动器
支持多达四个SDRAM DIMM的
反馈两个附加输出
SMBus接口为单个输出控制
低输出偏移（ < 200 PS）
最多的工业温度100 MHz运行
最多为商业温度133 MHz运行
专用OE引脚用于测试
节省空间的48引脚SSOP封装
3.3V工作电压
功能说明
该CY2318BNZ是一个3.3V的缓冲设计，分发
高速时钟的PC应用程序。该器件具有18输出，
其中16个可以被用于驱动多达四个的SDRAM DIMM时，
和剩余的可用于外部反馈到锁相环（PLL） 。
该器件工作在3.3V和输出可以运行多达100个
兆赫，从而使其与奔腾II兼容
处理器。
该CY2318BNZ可以配合使用的CY2280 ，
CY2281 ， CY2282或类似的时钟合成为一个完整的
奔腾II的主板解决方案。
该CY2318BNZ还包括一个SMBus接口，可以
启用或禁用每个输出时钟。上电时，所有的输出
时钟使能（内部上拉） 。一个单独的输出使能
脚有利于测试的ATE 。
框图
引脚配置
SSOP
顶视图
BUF_IN
SDRAM0
SDRAM1
SDRAM2
SDRAM3
SDRAM4
SDRAM5
SDRAM6
SDRAM7
SDRAM8
SDRAM9
SDRAM10
SDRAM11
SDRAM12
SDRAM13
SDRAM14
SDRAM15
SDRAM16
SDRAM17
OE
SDATA
SMBUS
解码
SCLOCK
NC
NC
V
DD
SDRAM0
SDRAM1
V
SS
V
DD
SDRAM2
SDRAM3
V
SS
BUF_IN
V
DD
SDRAM4
SDRAM5
V
SS
V
DD
SDRAM6
SDRAM7
V
SS
V
DD
SDRAM16
V
SS
V
DDIIC
SDATA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
NC
V
DD
SDRAM15
SDRAM14
V
SS
V
DD
SDRAM13
SDRAM12
V
SS
OE
V
DD
SDRAM11
SDRAM10
V
SS
V
DD
SDRAM9
SDRAM8
V
SS
V
DD
SDRAM17
V
SS
V
SSIIC
SCLOCK
奔腾II是英特尔公司的注册商标。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-07217牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年12月4日
CY2318BNZ
销摘要
名字
V
DD
V
SS
V
DDIIC
V
SSIIC
BUF_IN
OE
SDATA
SCLK
SDRAM [ 0-3 ]
SDRAM [ 4-7 ]
SDRAM [ 8-11 ]
SDRAM [ 12-15 ]
SDRAM [ 16-17 ]
N / C
引脚
3, 7, 12, 16, 20, 29, 33, 37, 42, 46
23
26
11
38
24
25
4, 5, 8, 9
13, 14, 17, 18
31, 32, 35, 36
40, 41, 44, 45
21, 28
1, 2, 47, 48
描述
3.3V数字电源
SM总线电压供应
地面的SMBus
输入时钟（可承受5V ）
输出低电平时，使能（高电平有效） ，三态输出
[1]
SMBus的数据输入
[1]
SMBus时钟输入
[1]
SDRAM字节0的时钟输出
SDRAM字节1时钟输出
SDRAM字节2时钟输出
SDRAM字节3时钟输出
SDRAM的时钟输出反馈可用
保留为将来修改，不连接系统
6 ， 10 ， 15 ， 19 ， 22 ， 27 ， 30 ， 34 ， 39 ， 43地
注意：
1.内部上拉电阻到V
DD
（价值> 100千欧） 。
设备功能
OE
0
1
SDRAM [ 0-17 ]
高阻
1个BUF_IN
文件编号： 38-07217牧师**
第2页8
CY2318BNZ
串行配置地图
串行位将通过在下面的时钟驱动器中读取
顺序：
字节0 - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
字节1 - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
.
.
字节的N - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
保留，未使用的位应设定为“0” 。
为CY2318BNZ SMBus的地址是：
字节1 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
45
44
41
40
36
35
32
31
描述
SDRAM15 （有效/无效）
SDRAM14 （有效/无效）
SDRAM13 （有效/无效）
SDRAM12 （有效/无效）
SDRAM11 （有效/无效）
SDRAM10 （有效/无效）
SDRAM9 （有效/无效）
SDRAM8 （有效/无效）
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
----
字节0 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
针＃
描述
SDRAM7 （有效/无效）
SDRAM6 （有效/无效）
SDRAM5 （有效/无效）
SDRAM4 （有效/无效）
SDRAM3 （有效/无效）
SDRAM2 （有效/无效）
SDRAM1 （有效/无效）
SDRAM0 （有效/无效）
字节2 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
28
21
--
--
--
--
--
--
描述
SDRAM17 （有效/无效）
SDRAM16 （有效/无效）
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
7位18
位6月17日
第5位14
4位13
第3位9
第2位8
第1位5
位0 4
最大额定值
电源电压对地电位..................- 0.5 + 7.0V
直流输入电压（除BUF_IN ） .......... -0.5V到V
DD
+ 0.5
直流输入电压（ BUF_IN ） .............................. -0.5V至7.0V
储存温度.................................- 65
°
C至+150
°
C
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） .............................. >2000V
根据BIAS环境温度..............- 55
°
C至+ 125
°
C
参数
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
A
T
B
描述
任一引脚电压相对于GND
储存温度
工作温度
在偏置环境温度
绝对最大额定值
应力大于本表所列可能导致人员
永久性损坏设备。这些代表一个压力等级
只。该器件在这些或任何其他条件的操作
上面这个特定的操作区域的特定网络版Fi的
阳离子是不是暗示。延长近郊最大的条件
消耗臭氧层物质会影响其可靠性。
等级
-0.5到+7.0
-65到+150
0至+70
-55到+125
单位
V
°C
°C
°C
工作条件
参数
V
DD
, V
DDIIC
T
A
C
L
C
IN
电源电压
工作温度（环境温度）
负载电容
输入电容
描述
分钟。
3.135
–40
20
马克斯。
3.465
85
30
7
单位
V
°C
pF
pF
第3页8
文件编号： 38-07217牧师**
CY2318BNZ
直流电气特性：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DDQ3
= 3.3V±5%
参数
I
DD
I
DD三态
V
IL
V
IH
I
ILEAK
I
ILEAK
V
OL
V
OH
I
OL
I
OH
C
IN
C
OUT
L
IN
描述
3.3V电源电流
3.3V的供电电流为三态
输入低电压
输入高电压
输入漏电流， BUF_IN
输入漏电流
[2]
输出低电压
输出高电压
输出低电流
输出高电流
输入引脚电容（除
BUF_IN ）
输出引脚电容
输入引脚电感
I
OL
= 1毫安
I
OH
= -1毫安
V
OL
= 1.5V
V
OH
= 1.5V
3.1
70
65
110
100
185
160
5
6
7
测试条件/
评论
BUF_IN = 64 MHz的
BUF_IN = 100 MHz的
GND–0.3
2.0
–5
–20
民
140
典型值
165
5
0.8
V
DDQ3
+ 0.5
+5
+5
50
最大
200
单位
mA
mA
V
V
A
A
mV
V
mA
mA
pF
pF
nH
逻辑输入（ BUF_IN ， OE ， SCLOCK ， SDATA ）
逻辑输出（ SDRAM0 ： 17 ）
[3]
引脚电容/电感
文件编号： 38-07217牧师**
第4页8
CY2318BNZ
AC电气特性：
T
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
DDQ3
= 3.3V ± 5 ％ （整电容测试负载= 30 pF的）
参数
f
IN
t
R
t
F
t
SR
t
SF
t
EN
t
DIS
t
PR
t
PF
t
D
Z
o
描述
输入频率
输出上升边沿速率
输出下降边沿速率
输出偏斜，上升沿
输出偏斜，边缘下降
输出使能时间
输出禁止时间
上升沿传输延迟
下降沿传输延迟
占空比
AC输出阻抗
测量1.5V
1.0
1.0
3.0
3.0
50
15
3.85
3.85
测试条件
商业级温度
范围
从0.4V至2.4V测
从2.4V至0.4V测
民
0
1.5
1.5
典型值
最大
133
4.0
4.0
200
200
8.0
8.0
5.0
5.0
60
单位
兆赫
V / ns的
V / ns的
ps
ps
ns
ns
ns
ns
%
注意事项：
2. OE ， SCLOCK和SDATA逻辑引脚有一个250 -K
内部上拉电阻器（未CMOS电平） 。
3.输出负载由6" 60
传输线与20 pF电容。
测试电路
V
DD
0.1
F
输出
CLK出
C
负载
GND
文件编号： 38-07217牧师**
第5页8
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