CY2314ANZ
14路输出， 3.3V的SDRAM缓冲区的
台式机与3的DIMM
特点
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功能说明
该CY2314ANZ是一个3.3V的缓冲设计，发布高
高速时钟桌面PC的应用程序。该器件具有14
输出，其中12个可以被用来驱动多达三个的SDRAM
的DIMM 。可用于外部反馈到剩余的
PLL 。该器件工作在3.3V和输出可以运行多达100个
兆赫。
该CY2314ANZ还包括一个串行接口，可以
启用或禁用每个输出时钟。上电时，所有输出
时钟被使能。一个单独的输出使能脚 -
测试的ATE 。
一个输入端14的输出缓冲器或驱动器
支持多达三个SDRAM DIMM的
反馈两个额外的输出
串行接口用于输出控制
低偏移输出
高达100 MHz运行
多V
DD
和V
SS
引脚降噪
专用OE引脚用于测试
低EMI输出
28引脚SOIC （ 300密耳）封装
3.3V操作
逻辑框图
BUF_IN
SDRAM0
SDRAM1
SDRAM2
SDRAM3
串行接口
解码
SCLOCK
SDRAM4
SDRAM5
SDRAM6
SDRAM7
SDRAM8
SDRAM9
SDRAM10
SDRAM11
SDRAM12
SDRAM13
SDATA
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-07143牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年11月10日
[+ ]反馈
CY2314ANZ
引脚配置
图1. 28引脚SOIC顶视图
V
DD
SDRAM0
SDRAM1
V
SS
V
DD
SDRAM2
SDRAM3
V
SS
BUF_IN
SDRAM4
SDRAM5
SDRAM12
V
DDIIC
SDATA
V
DD
SDRAM11
SDRAM10
V
SS
V
DD
SDRAM9
SDRAM8
V
SS
OE
SDRAM7
SDRAM6
SDRAM13
V
SSIIC
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
设备功能
OE
0
1
SDRAM [ 0-13 ]
高-Z
1个BUF_IN
串行配置地图
■
串行比特被读通过按以下顺序的时钟驱动器：
字节0 - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
字节1 - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
字节的N - 位7 ， 6,5 ，4， 3，2， 1，0
表2字节1 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
27
26
23
22
--
--
19
18
描述
SDRAM11 （有效/无效）
SDRAM10 （有效/无效）
SDRAM9 （有效/无效）
SDRAM8 （有效/无效）
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
SDRAM7 （有效/无效）
SDRAM6 （有效/无效）
■
■
保留，未使用的位应设定为“ 0 ”
为CY2314ANZ串行接口地址为：
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
----
表1字节0 ： SDRAM的有效/无效注册
(1
=启用， 0 =禁用） ，默认值=启用
位
针＃
描述
SDRAM5 （有效/无效）
SDRAM4 （有效/无效）
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
SDRAM3 （有效/无效）
SDRAM2 （有效/无效）
SDRAM1 （有效/无效）
SDRAM0 （有效/无效）
7位11
6位10
第5位 -
第4位 -
位3 7
第2位6
第1位3
位0 2
表3.字节2 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =有效， 0 =无效） ，默认=活动
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
17
12
--
--
--
--
--
--
描述
SDRAM13 （有效/无效）
SDRAM12 （有效/无效）
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
版权所有，开车到0
文件编号： 38-07143牧师* B
第2页8
[+ ]反馈
CY2314ANZ
最大额定值
电源电压对地电位................- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压（除BUF_IN ） ...... -0.5V到V
DD
+ 0.5V
直流输入电压（ BUF_IN ） ............................- 0.5V至+ 7.0V
存储温度................................. -65
°
C至+150
°
C
结温................................................ 。 150
°
C
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） ............................. >2000V
工作条件
[1]
参数
V
DD
T
A
C
L
C
IN
t
PU
电源电压
工作温度（环境温度）
负载电容
输入电容
上电时所有VDDS达到指定的最低电压
（功率坡道必须是单调）
0.05
描述
民
3.135
0
最大
3.465
70
30
7
50
单位
V
°
C
pF
pF
ms
电气特性
在整个工作范围
参数
V
IL
V
ILiic
V
IH
I
IL
I
IL
I
IH
V
OL
V
OH
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
I
DDS
描述
输入低电压
[2]
输入低电压
输入高
电压
[2]
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
IN
= V
DD
I
OL
= 25毫安
I
OH
= -36毫安
空载输出， 100MHz的
加载输出， 100MHz的
空载输出， 66.67兆赫
加载输出， 66.67兆赫
BUF_IN = V
DD
或V
SS
所有其他输入在V
DD
2.4
200
290
150
185
500
–10
输入低电平电流
（ BUF_IN输入）
输入低电平电流
（除BUF_IN引脚）
输入高电流
输出低电压
[3]
输出高电压
[3]
电源电流
[3]
电源电流
[3]
电源电流
[3]
电源电流
[3]
电源电流
测试条件
除串行接口引脚
对于串行接口引脚只
2.0
–10
10
100
10
0.4
民
最大
0.8
0.7
单位
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
mA
mA
mA
mA
μA
笔记
1.电参数中指定的操作条件下得到保证。
2. BUF_IN输入为V的阈值电压
DD
/2.
3.参数是通过设计和特性保证。不是100 ％生产测试。
文件编号： 38-07143牧师* B
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[+ ]反馈
CY2314ANZ
开关特性
[4]
在整个工作范围
参数
名字
最大工作频率
占空比
[3, 5]
= t
2
÷
t
1
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
上升沿率
[3]
下降沿率
[3]
输出到输出偏斜
[3]
SDRAM缓存LH传播史
延迟
[3]
SDRAM缓存HL传播史
延迟
[3]
SDRAM缓冲延迟启用
[3]
SDRAM缓冲禁用延迟
[3]
测量1.5V
测量0.4V和2.4V之间
测量2.4V和0.4V之间
所有输出同样装
输入边沿大于1 V / ns的
输入边沿大于1 V / ns的
输入边沿大于1 V / ns的
输入边沿大于1 V / ns的
45.0
0.9
0.9
–250
1.0
1.0
1.0
1.0
3.5
3.5
5
20
50.0
1.5
1.5
测试条件
民
典型值
最大
100
55.0
4.0
4.0
+250
5.0
5.0
12
30
单位
兆赫
%
V / ns的
V / ns的
ps
ns
ns
ns
ns
开关波形
图2.占空比时序
t
1
t
2
1.5V
1.5V
1.5V
图3.所有输出上升/下降时间
产量
2.4V
0.4V
t
3
2.4V
0.4V
t
4
3.3V
0V
图4.输出输出扭曲
产量
1.5V
产量
t
5
1.5V
笔记
4.与负载输出指定的所有参数。
输入时钟的5占空比为50％。在输入时钟的上升沿和下降沿速率大于1伏/毫微秒。
文件编号： 38-07143牧师* B
第4页8
[+ ]反馈
CY2314ANZ
开关波形
（续）
图5. SDRAM缓冲区LH和HL Propagataion延迟
输入
产量
t
6
t
7
图6. SDRAM缓存启用和禁用时报
OE
三态
输出
t
8
活跃
t
9
测试电路
V
DD
0.1
μF
输出
CLK出
C
负载
GND
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第5页8
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
