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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第811页 > CY14MB256J2-SXI
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
256千位（是32K × 8 ）串行（I
2
C）的nvSRAM
256千位（是32K × 8 ）串行（I
2
C）的nvSRAM
特点
■
■
256千比特非易失性静态随机存取存储器（的nvSRAM ）
内部组织为32千× 8
商店到QuantumTrap发起非易失性元素
在自动断电（自动存储）或使用我
2
C
命令（软件商店）或HSB引脚（五金店）
召回SRAM上电启动（上电
RECALL ），或通过我
2
C命令（软件RECALL ）
自动STORE上具有小电容的掉电
（除CY14MX256J1 ）
高可靠性
行业标准配置
工作电压：
CY14MC256J ： V
CC
= 2.4 V至2.6 V
CY14MB256J ： V
CC
= 2.7 V至3.6 V
CY14ME256J ： V
CC
= 4.5 V至5.5 V
工业温度
8位和16引脚小外形集成电路（ SOIC）封装
有害物质限制（RoHS ）标准
概观
该
柏
CY14MC256J/CY14MB256J/CY14ME256J
结合256 - Kbit的的nvSRAM
[1]
用在非易失性元件
每个存储器单元。该存储器由32 K字的
每个8位。嵌入式非易失性元素纳入
QuantumTrap技术，创造了世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而QuantumTrap细胞提供高可靠
非易失性存储装置的数据的。数据需要从SRAM到
非易失性单元（ STORE操作）发生
自动在电源关闭后（除CY14MX256J1 ） 。上
电时，数据被从非易失性恢复到SRAM
内存（ RECALL操作）。在存储和调用
操作也可以由用户通过I启动
2
C
命令。
■
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
数据保存： 20年85
C
■
高速I
2
C接口
行业标准的100 kHz和400 kHz的速度
快速模式Plus ： 1 MHz的速度
高速： 3.4兆赫
零周期延迟读取和写入
写保护
硬件保护利用写保护（ WP ）引脚
一季度，半年，或整个阵列的软件块保护
■
2
■
我知道了
CON组fi guration
特征
自动存储
软件
商店
五金
商店
从机地址
引脚
CY14MX256J1 CY14MX256J2 CY14MX256J3
No
是的
No
A2, A1, A0
是的
是的
No
A2, A1
是的
是的
是的
A2, A1, A0
进入特殊功能
非易失性存储/调用
8字节序列号
制造商ID和产品ID
睡眠模式
■
低功耗
1毫安在3.4 MHz工作频率，平均工作电流
的150微安的平均待机模式电流
8 μA睡眠模式电流
逻辑框图
V
CC
V
帽
编号
8x8
制造商ID /
产品编号
内存控制寄存器
命令寄存器
睡觉
QuantumTrap
是32K ×8
SRAM
是32K ×8
商店
召回
功率控制
块
SDA
SCL
A2, A1, A0
WP
我C控制逻辑
从机地址
解码器
2
控制寄存器奴隶
从内存
内存
地址和数据
控制
记
1.串行（I
2
C）的nvSRAM被称为的nvSRAM整个数据表。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-65233修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年7月25日
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 3
I2C接口................................................ ...................... 4
协议概述................................................ ............ 4
I2C协议 - 数据传输....................................... 4
数据有效性................................................ ................ 5
启动条件（ S） ............................................. ...... 5
停止条件（ P） ............................................. 5 ........
重复START （ SR） ............................................. 5 ....
字节格式................................................ ................. 5
应答/无应答................................. 5
高速模式（ HS模式） ...................................... 6
从器件的地址............................................... 7 ..
写保护（ WP ） ............................................. ..... 9
自动存储操作................................................ 9 ....
五金店和HSB引脚操作................. 9
硬件RECALL （上电） .................................. 9
写操作................................................ ......... 10
读操作................................................ ......... 10
从内存访问............................................... 10
控制寄存器从............................................. 14
编号................................................ ................. 16
序列号写............................................... ... 16
序列号锁定............................................... .... 16
序列号读............................................... ... 16
设备ID ................................................ ......................... 17
执行命令使用命令寄存器..... 17
最大额定值................................................ ........... 18
经营范围................................................ ............. 18
直流电气特性........................................ 18
数据保留和耐力..................................... 19
热阻................................................ ........ 19
交流测试负载和波形..................................... 20
AC测试条件............................................... ......... 20
AC开关特性....................................... 21
开关波形................................................ .... 21
的nvSRAM产品规格................................................ 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储/调用周期.............. 23
开关波形................................................ .... 23
五金店周期............................................... 24 ..
开关波形................................................ .... 24
订购信息................................................ ...... 25
订购代码定义......................................... 25
包图................................................ .......... 26
与缩略语................................................. ....................... 28
文档约定................................................ 28
计量单位............................................... ........ 28
文档历史记录页............................................... .. 29
销售，解决方案和法律信息...................... 30
全球销售和设计支持....................... 30
产品................................................. ................... 30
的PSoC解决方案................................................ ......... 30
文件编号： 001-65233修订版* D
分页： 30 2
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
引脚配置
图1.采用8引脚SOIC引脚排列
[2]
A0
1
2
3
4
8
CY14MX256J1
7
顶视图
6
不按比例
5
V
CC
WP
SCL
SDA
V
帽
1
2
3
4
CY14MX256J2
顶视图
不按比例
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A1
A2
V
SS
A1
A2
VSS
图2. 16引脚SOIC封装的引脚排列
NC
NC
NC
NC
WP
A0
NC
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
CY14MX256J3
14
顶视图
13
不按比例
12
11
10
9
VCC
NC
V
帽
A2
SDA
SCL
A1
HSB
引脚德网络nitions
引脚名称
SCL
SDA
WP
A2–A0
[2]
HSB
I / O类型
输入
描述
时钟。运行速度最高可达的F
SCL
.
输入/输出I / O。数据通过I输入/输出
2
C接口。
输出：是漏极开路，需要一个外部上拉电阻。
输入
输入
写保护。保护所有写操作的存储器中。该引脚内部拉低，因此可以
悬空如果没有连接。
从机地址。定义从机地址，因为我
2
C.该引脚内部拉低，因此可以
悬空如果没有连接。
输入/输出五金店忙
输出：表示的nvSRAM的忙碌状态时低。每一个硬件和软件商店后
操作HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出大电流，然后一
内部弱上拉电阻保持此引脚为高电平（外部上拉电阻连接可选）。
输入：五金店由外部拉动该引脚为低电平来实现。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM从SRAM中的功率损耗来存储数据时
到非易失性元件。如果不需要，自动存储，必须禁用，该管脚离开，因为没有连接。它
决不能连接到地。
无连接
无连接。该管脚没有连接到模具上。
电源接地。
电源电源。
V
帽
NC
V
SS
V
CC
记
2. A0引脚不提供CY14MX256J2 。
文件编号： 001-65233修订版* D
第30 3
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
I
2
C
接口
I
2
C总线包括两行 - 串行时钟线（SCL）和串行
数据线（SDA）携带多个设备之间的信息
上车。我
2
C支持多主多从
配置。将数据从发送器到发送
接收机在SDA线，并与时钟SCL同步
由主机产生。
SCL和SDA线是开漏线，并拉起
到V
CC
采用电阻。上拉电阻的选择
系统取决于总线电容和预期的速度
的操作。主机产生时钟和所有数据
I / O将同步于该时钟传输。该
达CY14MX256J支持在SCL线3.4 MHz的时钟速度。
协议概述
该设备仅支持7位寻址方案。该
主设备产生一个起始条件来启动
通信随后通过广播从选择字节。
从选择字节由奴隶的7位地址
该船长打算与和R / W位进行沟通
表示读或写操作。所选择的奴隶
对此作出响应的确认（ACK ） 。奴隶后
被选择时，该通信的其余部分发生
主机和选择的从设备之间。另
在总线上的设备忽略SDA线上的信号，直到一个STOP
或者检测到重复启动条件。数据传送是
大师并通过选择从设备之间进行
在SDA管脚与由产生SCL时钟同步
高手。
位从机地址和第八位（R / W）表示读（ 1 ）或
写（ 0 ）操作。所有信号都在漏极开路传输
SDA线，并与SCL线上的时钟同步。每
数据字节的传输我
2
C总线是由公认
接收器通过保持SDA线为低电平在第九个时钟脉冲。
由主机进行写请求之后是所述存储器
地址和数据字节SDA线上。写操作可以
通过发送数据的多个字节的突发模式进行。该
接收后的内存地址自动递增
每个字节/传输上的第9个时钟周期的下降沿。
新地址被发送/接收之前，为了锁存
确认位。这使得下一个连续字节为
没有额外的寻址访问。在到达最后的
内存位置，地址回滚到0x0000和写入
继续。从机响应主机发送的每个字节
在一个ACK写操作。写序列可以
由主终止产生一个停止或重复
启动条件。
读请求是在当前地址位置进行
（地址旁边进行读或写访问的最后一个位置）。该
存储器从设备通过发送响应于读取请求
在当前的地址位置，对主站的数据。随机
地址读出，也可以通过首先发送一个写完成
请求与读取的目的地址。主机必须
最后一个地址字节和问题后，立即中止了写
一个重复启动或停止信号，以防止任何写
操作。下面的读操作开始，从该地址。
主站确认由收据数据的一个字节的
持SDA引脚为低电平第九个时钟脉冲。在读
可以通过主终止发送无应答
（NACK）信号的最后一个数据字节后的SDA线。该
无应答信号使CY14MX256J释放
SDA线和主就可以产生一个STOP或
重复启动条件，启动新的操作。
I
2
C协议 - 数据传输
在我的每个交易
2
C协议开始与主
产生总线上的起始条件，其次是七
采用串行（我图3.系统配置
2
C）的nvSRAM
VCC
R
PMIN
= (V
CC
- V
OL
最大值） /我
OL
R
P最高
= t
r
/ (0.8473 * C
b
)
SDA
微控制器
SCL
VCC
VCC
A0
A1
A2
SCL
SDA
WP
A0
A1
A2
SCL
SDA
WP
A0
A1
A2
SCL
SDA
WP
CY14MX256J
#0
CY14MX256J
#1
CY14MX256J
#7
文件编号： 001-65233修订版* D
第30 4
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
数据有效性
SDA线上的数据必须在高电平期间保持稳定
时钟。数据线的状态才能改变时，
在SCL线路时钟为低电平的数据是有效的。有
只有两种情况下，SDA线可改变状态
与SCL线保持高电平，也就是起始和停止条件。
由主机产生START和STOP条件
到信号的通信序列的开始和结束
在我
2
C总线。
停止条件（ P）
从低到SDA线高电平转换而SCL为高电平
表示一个停止条件。此情况表示的端
正在进行的交易。
总是由产生起始和停止条件
高手。公交车被认为是开始忙碌之后，
条件。公交车被认为是STOP后重获自由
条件。
启动条件（ S）
前高后在SDA线为低电平转换而SCL为高电平
表示一个起始条件。在我的每一笔交易
2
开始
与主产生一个起始条件。
重复START （ SR）
如果产生一个停止的重复启动条件，而不是
条件的总线仍然是繁忙的。正在进行的交易
在我
2
线停止，等待公交车的师傅
发送通信重启奴隶ID 。
图4. START和STOP条件
满页宽
SDA
SDA
SCL
S
启动条件
P
停止条件
SCL
关于我图5.数据传输
2
C总线
手册，全页宽
P
Sr
SDA
最高位
承认
信号从
承认
信号接收器
SCL
S
or
Sr
1
2
7
8
9
确认
1
2
3-8
9
确认
Sr
or
P
STOP或
重复START
条件
启动或
重复START
条件
字节完整，
在从中断
时钟线保持为低电平
中断被响应
字节格式
在我每次操作
2
C语言中使用8位字完成的。的位数据被送到
在SDA线和每个字节MSB格式之后是
ACK信号由接收器。
的操作继续，直到将NACK被接收器发送或
停止或重复启动条件是由主机产生
SDA线必须保持稳定时，时钟（ SCL ）为高电平
除了启动或停止条件。
不确认收到的数据和操作
中止。
NACK可以通过主在读操作过程中产生的
如下例：
■
■
主人没有得到应有的噪音有效数据。
主器件产生一个NACK中止读序列。
经过NACK由主，从动的nvSRAM发行版本
控制SDA引脚和主可以自由地产生
重复启动或停止条件。
应答/无应答
发送数据或地址，发送器中的一个字节的后
释放SDA线。接收器拉SDA线拉低到
确认所收到的字节。数据的每个字节
转印在我
2
C总线，需要使用一个ACK来回应
由接收器的信号，以继续操作。如果不这样做
被认为是一个NACK状态。 NACK的状态是接收器
NACK可以通过的nvSRAM从一个写过程中产生
操作如下情况：
■
的nvSRAM没有得到应有的噪音有效数据。
■
船长试图访问的写保护位置
的nvSRAM 。法师必须重新启动通信
产生一个停止条件或重复起始条件。
文件编号： 001-65233修订版* D
第30个5
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
256千位（是32K × 8 ）串行（I
2
C）的nvSRAM
256千位（是32K × 8 ）串行（I
2
C）的nvSRAM
特点
■
■
256千比特非易失性静态随机存取存储器（的nvSRAM ）
内部组织为32千× 8
商店到QuantumTrap发起非易失性元素
在自动断电（自动存储）或使用我
2
C
命令（软件商店）或HSB引脚（五金店）
召回SRAM上电启动（上电
RECALL ），或通过我
2
C命令（软件RECALL ）
自动STORE上具有小电容的掉电
（除CY14MX256J1 ）
高可靠性
行业标准配置
工作电压：
CY14MC256J ： V
CC
= 2.4 V至2.6 V
CY14MB256J ： V
CC
= 2.7 V至3.6 V
CY14ME256J ： V
CC
= 4.5 V至5.5 V
工业温度
8位和16引脚小外形集成电路（ SOIC）封装
有害物质限制（RoHS ）标准
概观
该
柏
CY14MC256J/CY14MB256J/CY14ME256J
结合256 - Kbit的的nvSRAM
[2]
用在非易失性元件
每个存储器单元。该存储器由32 K字的
每个8位。嵌入式非易失性元素纳入
QuantumTrap技术，创造了世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而QuantumTrap细胞提供高可靠
非易失性存储装置的数据的。数据需要从SRAM到
非易失性单元（ STORE操作）发生
自动在电源关闭后（除CY14MX256J1 ） 。上
电时，数据被从非易失性恢复到SRAM
内存（ RECALL操作）。在存储和调用
操作也可以由用户通过I启动
2
C
命令。
■
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
数据保存： 20年85
C
■
高速I
2
C接口
[1]
行业标准的100 kHz和400 kHz的速度
快速模式Plus ： 1 MHz的速度
高速： 3.4兆赫
零周期延迟读取和写入
写保护
硬件保护利用写保护（ WP ）引脚
一季度，半年，或整个阵列的软件块保护
■
2
■
我知道了
CON组fi guration
特征
自动存储
软件
商店
五金
商店
从机地址
引脚
CY14MX256J1 CY14MX256J2 CY14MX256J3
No
是的
No
A2, A1, A0
是的
是的
No
A2, A1
是的
是的
是的
A2, A1, A0
进入特殊功能
非易失性存储/调用
8字节序列号
制造商ID和产品ID
睡眠模式
■
低功耗
1毫安在3.4 MHz工作频率，平均工作电流
的150微安的平均待机模式电流
8 μA睡眠模式电流
逻辑框图
V
CC
V
帽
编号
8x8
制造商ID /
产品编号
内存控制寄存器
命令寄存器
睡觉
QuantumTrap
是32K ×8
SRAM
是32K ×8
商店
召回
功率控制
块
SDA
SCL
A2, A1, A0
WP
我C控制逻辑
从机地址
解码器
2
控制寄存器奴隶
从内存
内存
地址和数据
控制
笔记
1.我
2
的nvSRAM是一个单一的解决方案，这是操作的所有四个高速模式下使用。其结果是，一些I / O参数比在芯片上稍有不同
它支持的操作只有一种模式。请参阅
AN87209
了解更多详情。
2，串行（I
2
C）的nvSRAM被称为的nvSRAM整个数据表。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-65233修订版* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2013年4月29日
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 3
I2C接口................................................ ...................... 4
协议概述................................................ ............ 4
I2C协议 - 数据传输....................................... 4
数据有效性................................................ ................ 5
启动条件（ S） ............................................. ...... 5
停止条件（ P） ............................................. 5 ........
重复START （ SR） ............................................. 5 ....
字节格式................................................ ................. 5
应答/无应答................................. 5
高速模式（ HS模式） ...................................... 6
从器件的地址............................................... 7 ..
写保护（ WP ） ............................................. ..... 9
自动存储操作................................................ 9 ....
五金店和HSB引脚操作................. 9
硬件RECALL （上电） .................................. 9
写操作................................................ ......... 10
读操作................................................ ......... 10
从内存访问............................................... 10
控制寄存器从............................................. 14
编号................................................ ................. 16
序列号写............................................... ... 16
序列号锁定............................................... .... 16
序列号读............................................... ... 16
设备ID ................................................ ......................... 17
执行命令使用命令寄存器..... 17
最大额定值................................................ ........... 18
经营范围................................................ ............. 18
直流电气特性........................................ 18
数据保留和耐力..................................... 19
热阻................................................ ........ 19
交流测试负载和波形..................................... 20
AC测试条件............................................... ......... 20
AC开关特性....................................... 21
开关波形................................................ .... 21
的nvSRAM产品规格................................................ 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储/调用周期.............. 23
开关波形................................................ .... 23
五金店周期............................................... 24 ..
开关波形................................................ .... 24
订购信息................................................ ...... 25
订购代码定义......................................... 25
包图................................................ .......... 26
与缩略语................................................. ....................... 28
文档约定................................................ 28
计量单位............................................... ........ 28
文档历史记录页............................................... .. 29
销售，解决方案和法律信息...................... 30
全球销售和设计支持....................... 30
产品................................................. ................... 30
的PSoC解决方案................................................ ......... 30
文件编号： 001-65233修订版* G
分页： 30 2
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
引脚配置
图1.采用8引脚SOIC引脚排列
[3]
A0
1
2
3
4
8
CY14MX256J1
7
顶视图
6
不按比例
5
V
CC
WP
SCL
SDA
V
帽
1
2
3
4
CY14MX256J2
顶视图
不按比例
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A1
A2
V
SS
A1
A2
VSS
图2. 16引脚SOIC封装的引脚排列
NC
NC
NC
NC
WP
A0
NC
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
CY14MX256J3
14
顶视图
13
不按比例
12
11
10
9
VCC
NC
V
帽
A2
SDA
SCL
A1
HSB
引脚德网络nitions
引脚名称
SCL
SDA
WP
A2–A0
[3]
HSB
I / O类型
输入
描述
时钟。运行速度最高可达的F
SCL
.
输入/输出I / O。数据通过I输入/输出
2
C接口。
输出：是漏极开路，需要一个外部上拉电阻。
输入
输入
写保护。保护所有写操作的存储器中。该引脚内部拉低，因此可以
悬空如果没有连接。
从机地址。定义从机地址，因为我
2
C.该引脚内部拉低，因此可以
悬空如果没有连接。
输入/输出五金店忙
输出：表示的nvSRAM的忙碌状态时低。每一个硬件和软件商店后
操作HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出大电流，然后一
内部弱上拉电阻保持此引脚为高电平（外部上拉电阻连接可选）。
输入：五金店由外部拉动该引脚为低电平来实现。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM从SRAM中的功率损耗来存储数据时
到非易失性元件。如果不需要，自动存储，必须禁用，该管脚离开，因为没有连接。它
决不能连接到地。
无连接
无连接。该管脚没有连接到模具上。
电源接地。
电源电源。
V
帽
NC
V
SS
V
CC
记
3. A0引脚不提供CY14MX256J2 。
文件编号： 001-65233修订版* G
第30 3
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
I
2
C
接口
I
2
C总线包括两行 - 串行时钟线（SCL）和串行
数据线（SDA）携带多个设备之间的信息
上车。我
2
C支持多主多从
配置。将数据从发送器到发送
接收机在SDA线，并与时钟SCL同步
由主机产生。
SCL和SDA线是开漏线，并拉起
到V
CC
采用电阻。上拉电阻的选择
系统取决于总线电容和预期的速度
的操作。主机产生时钟和所有数据
I / O将同步于该时钟传输。该
达CY14MX256J支持在SCL线3.4 MHz的时钟速度。
协议概述
该设备仅支持7位寻址方案。该
主设备产生一个起始条件来启动
通信随后通过广播从选择字节。
从选择字节由奴隶的7位地址
该船长打算与和R / W位进行沟通
表示读或写操作。所选择的奴隶
对此作出响应的确认（ACK ） 。奴隶后
被选择时，该通信的其余部分发生
主机和选择的从设备之间。另
在总线上的设备忽略SDA线上的信号，直到一个STOP
或者检测到重复启动条件。数据传送是
大师并通过选择从设备之间进行
在SDA管脚与由产生SCL时钟同步
高手。
位从机地址和第八位（R / W）表示读（ 1 ）或
写（ 0 ）操作。所有信号都在漏极开路传输
SDA线，并与SCL线上的时钟同步。每
数据字节的传输我
2
C总线是由公认
接收器通过保持SDA线为低电平在第九个时钟脉冲。
由主机进行写请求之后是所述存储器
地址和数据字节SDA线上。写操作可以
通过发送数据的多个字节的突发模式进行。该
接收后的内存地址自动递增
每个字节/传输上的第9个时钟周期的下降沿。
新地址被发送/接收之前，为了锁存
确认位。这使得下一个连续字节为
没有额外的寻址访问。在到达最后的
内存位置，地址回滚到0x0000和写入
继续。从机响应主机发送的每个字节
在一个ACK写操作。写序列可以
由主终止产生一个停止或重复
启动条件。
读请求是在当前地址位置进行
（地址旁边进行读或写访问的最后一个位置）。该
存储器从设备通过发送响应于读取请求
在当前的地址位置，对主站的数据。随机
地址读出，也可以通过首先发送一个写完成
请求与读取的目的地址。主机必须
最后一个地址字节和问题后，立即中止了写
一个重复启动或停止信号，以防止任何写
操作。下面的读操作开始，从该地址。
主站确认由收据数据的一个字节的
持SDA引脚为低电平第九个时钟脉冲。在读
可以通过主终止发送无应答
（NACK）信号的最后一个数据字节后的SDA线。该
无应答信号使CY14MX256J释放
SDA线和主就可以产生一个STOP或
重复启动条件，启动新的操作。
I
2
C协议 - 数据传输
在我的每个交易
2
C协议开始与主
产生总线上的起始条件，其次是七
采用串行（我图3.系统配置
2
C）的nvSRAM
VCC
R
PMIN
= (V
CC
- V
OL
最大值） /我
OL
R
P最高
= t
r
/ (0.8473 * C
b
)
SDA
微控制器
SCL
VCC
VCC
A0
A1
A2
SCL
SDA
WP
A0
A1
A2
SCL
SDA
WP
A0
A1
A2
SCL
SDA
WP
CY14MX256J
#0
CY14MX256J
#1
CY14MX256J
#7
文件编号： 001-65233修订版* G
第30 4
CY14MC256J
CY14MB256J
CY14ME256J
数据有效性
SDA线上的数据必须在高电平期间保持稳定
时钟。数据线的状态才能改变时，
在SCL线路时钟为低电平的数据是有效的。有
只有两种情况下，SDA线可改变状态
与SCL线保持高电平，也就是起始和停止条件。
由主机产生START和STOP条件
到信号的通信序列的开始和结束
在我
2
C总线。
停止条件（ P）
从低到SDA线高电平转换而SCL为高电平
表示一个停止条件。此情况表示的端
正在进行的交易。
总是由产生起始和停止条件
高手。公交车被认为是开始忙碌之后，
条件。公交车被认为是STOP后重获自由
条件。
启动条件（ S）
前高后在SDA线为低电平转换而SCL为高电平
表示一个起始条件。在我的每一笔交易
2
开始
与主产生一个起始条件。
重复START （ SR）
如果产生一个停止的重复启动条件，而不是
条件的总线仍然是繁忙的。正在进行的交易
在我
2
线停止，等待公交车的师傅
发送通信重启奴隶ID 。
图4. START和STOP条件
满页宽
SDA
SDA
SCL
S
启动条件
P
停止条件
SCL
关于我图5.数据传输
2
C总线
手册，全页宽
P
Sr
SDA
最高位
承认
信号从
承认
信号接收器
SCL
S
or
Sr
1
2
7
8
9
确认
1
2
3-8
9
确认
Sr
or
P
STOP或
重复START
条件
启动或
重复START
条件
字节完整，
在从中断
时钟线保持为低电平
中断被响应
字节格式
在我每次操作
2
C语言中使用8位字完成的。的位数据被送到
在SDA线和每个字节MSB格式之后是
ACK信号由接收器。
的操作继续，直到将NACK被接收器发送或
停止或重复启动条件是由主机产生
SDA线必须保持稳定时，时钟（ SCL ）为高电平
除了启动或停止条件。
不确认收到的数据和操作
中止。
NACK可以通过主在读操作过程中产生的
如下例：
■
■
主人没有得到应有的噪音有效数据。
主器件产生一个NACK中止读序列。
经过NACK由主，从动的nvSRAM发行版本
控制SDA引脚和主可以自由地产生
重复启动或停止条件。
应答/无应答
发送数据或地址，发送器中的一个字节的后
释放SDA线。接收器拉SDA线拉低到
确认所收到的字节。数据的每个字节
转印在我
2
C总线，需要使用一个ACK来回应
由接收器的信号，以继续操作。如果不这样做
被认为是一个NACK状态。 NACK的状态是接收器
NACK可以通过的nvSRAM从一个写过程中产生
操作如下情况：
■
的nvSRAM没有得到应有的噪音有效数据。
■
船长试图访问的写保护位置
的nvSRAM 。法师必须重新启动通信
产生一个停止条件或重复起始条件。
文件编号： 001-65233修订版* G
第30个5
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