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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第435页 > CY14B256LA-ZS25XI
CY14B256LA
256千位（ 32K ×8 ）的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
赛普拉斯CY14B256LA是一个快速静态RAM ，具有nonvol-
atile元件中的每个存储单元。该内存的组织结构
32K字节，每个字节8比特。嵌入式非挥发性元素
合并QuantumTrap技术，生产世界上
最可靠的非易失性存储器。该SRAM提供了无限
读取和写入周期，而独立的非易失性数据
驻留在高度可靠的QuantumTrap细胞。数据传输
从SRAM到非易失性元件（对STORE
操作）会自动发生在断电。上电
时，数据恢复，从SRAM （调用操作）
非易失性存储器。无论是STORE和RECALL操作
系统蒸发散也是在软件控制下使用。
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为32K ×8 （ CY14B256LA ）
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3V + 20 ％到-10 ％操作
工业温度
44引脚TSOP - II ， 48引脚SSOP和32引脚SOIC封装
无铅并符合RoHS标准
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-54707修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年12月8日
[+ ]反馈
CY14B256LA
目录
功能................................................. .............................. 1
功能说明................................................ 1 .......
目录................................................. ............................. 2
引脚分配................................................. ............................... 3
设备操作................................................ ................ 5
SRAM读................................................ ......................... 5
SRAM写................................................ ......................... 5
自动存储操作................................................ .......... 5
硬件存储操作.............................................. 5
硬件RECALL （上电） .......................................... 6
软件商店................................................ ................. 6
软件RECALL ................................................ ............... 6
防止自动存储................................................ ......... 7
数据保护................................................ ................... 7
噪声考虑................................................ ......... 7
................................................最佳实践..................... 8
最大额定值................................................ ............... 9
经营范围................................................ ................. 9
直流电气特性............................................ 9
AC测试条件............................................... ........... 10
数据保留和耐力....................................... 10
电容................................................. ..................... 10
热阻................................................ .......... 10
AC开关特性......................................... 11
自动存储/上电RECALL ......................................... 13
软件控制的存储/调用循环.................. 14
五金店周期............................................... .... 15
真值表SRAM操作.................................. 16
品名命名........................................ 16
订购信息................................................ ........ 17
包图................................................ ............ 18
文档历史记录页............................................... .... 20
销售，解决方案和法律信息........................ 20
全球销售和设计支持......................... 20
产品................................................. ..................... 20
文件编号： 001-54707修订版* B
第2页
[+ ]反馈
CY14B256LA
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚TSOP II / 48引脚SSOP
NC
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44 - TSOP II
(x8)
顶视图
（不
按比例）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
[3]
NC
[2]
NC
NC
[1]
[1]
NC
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ
5
DQ
4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
V
帽
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
NC
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
48 - SSOP
(x8)
顶视图
（不
按比例）
图2.引脚图 - 32引脚SOIC
32 - SOIC
(x8)
顶视图
(
不按比例）
笔记
1.地址扩展为1兆。 NC引脚未连接到死
2.地址扩展为2兆。 NC引脚未连接到死。
3.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-54707修订版* B
第3页
[+ ]反馈
CY14B256LA
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
14
WE
CE
OE
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
输入
描述
地址输入用于选择其中一个32,768字节的NVSRAM 。
DQ
0
？ DQ
7
输入/输出
双向数据I / O线。
作为根据操作的输入或输出线路。
输入
输入
输入
地
动力
供应
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低电平时，在I / O引脚的数据被写入
到特定的地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。 I / O引脚为三态上拉高OE为高电平。
地面的装置。
必须连接到该系统的地面。
电源输入到该设备。
3.0V +20%, –10%
输入/输出
五金店忙（ HSB ） 。
当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。内部弱上拉起来
电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。每家门店操作后HSB是
驱动为高电平短的时间内与标准输出大电流。
动力
供应
自动存储电容。
供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
NC
无连接
无连接。
该管脚没有连接到模具上。
文件编号： 001-54707修订版* B
第4页
[+ ]反馈
CY14B256LA
设备操作
该CY14B256LA的nvSRAM是由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。他们是一个SRAM
存储器单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该SRAM
存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。在数据
SRAM被转移至非易失性的细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作，
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B256LA支持无限读取和写入操作类似于
典型的SRAM 。此外，它还提供了无限的RECALL操作
从非易失性单元和高达百万STORE操作。
参阅
真值表的SRAM操作
对于一个16页
读写模式，完整的描述。
科幻gure 3
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
第9页V的尺寸上
帽
。上的电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。一个地方
拉起WE持有上电时它处于非活动状态。这种拉涨是
唯一有效的，如果WE信号是在上电时三态。许多
MPU的三态上电时的控制。这必须得到验证
使用拉涨的时候。当的nvSRAM出来的
电源接通召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持无效
直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
图3.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B256LA执行一个读周期，当CE和OE是
低和WE和HSB是HIGH 。在针脚上指定的地址
A
0-14
确定哪个32,768数据的字节的每个都
访问。当由地址转换开始的读取，
的输出是有效的t的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读出的
通过CE或OE启动，则输出在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
,
以较迟者为准（读周期2 ） 。该数据输出一再
响应处理中的T的变化
AA
无需访问时间
需要进行任何控制输入引脚的转换。这仍然
有效期至另一个地址变更，或直到CE或OE被带到
高，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1uF
10kOhm
V
CC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DQ
0–7
是
写入存储器，如果数据有效吨
SD
年底前
答：我们控制的写或CE控制写入结束前。
请OE高在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
帽
V
帽
V
SS
硬件存储操作
该CY14B256LA提供了HSB引脚来控制和
确认存储操作。使用HSB引脚来
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低时， CY14B256LA有条件启动商店
吨后操作
延迟
。实际STORE周期只有开始，如果
写入SRAM自上次STORE已经发生或
RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
在内部驱动到低电平，表示处于忙碌状态时，
的存储（通过任何方式发起）正在进行中。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B256LA 。但是，任何SRAM的读写周期
被禁止，直到HSB返回HIGH由MPU或其他
外部源。
自动存储操作
使用的一个CY14B256LA将数据存储到所述的nvSRAM
以下三种存储操作：五金店启动
通过HSB ;软件商店由一个地址序列激活;
自动存储在设备断电。所述自动存储操作是
QuantumTrap技术的独特的功能，并通过使
默认的CY14B256LA 。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第7页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
可能会损坏存储的nvSRAM中的数据。
文件编号： 001-54707修订版* B
第5页
[+ ]反馈
CY14B256LA
256千位（是32K × 8 ）的nvSRAM
256千位（ 32K ×8 ）的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
赛普拉斯CY14B256LA是一个快速静态RAM ，具有
非易失性元件中的每个存储单元。内存
组织为32千字节，每字节8位。嵌入式
非易失性元素结合QuantumTrap技术，
生产世界上最可靠的非易失性存储器。该
SRAM提供了无限的读写周期，而独立
非易失性数据驻留在高度可靠的QuantumTrap细胞。
从SRAM中的数据传输到非易失性元件（在
STORE操作）会自动发生在电源关闭。上
电时，数据被恢复到SRAM （该RECALL操作）
从非易失性存储器中。无论是存储和调用
操作也是在软件控制下可用。
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为32千× 8 （ CY14B256LA ）
只有一小关就断电自动STORE手
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保留
单3 V + 20 ％到-10 ％操作
工业温度
44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） - II ，48引脚缩水
小外形封装（ SSOP ）和32引脚小外形
集成电路（ SOIC ）封装
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
合规
■
逻辑框图
量子阱
512 X 512
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
V
帽
行解码器
A
5
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
列I / O
A
13
-
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
DQ
0
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-54707修订版* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月20日
[+ ]反馈
CY14B256LA
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
设备操作................................................ .............. 5
SRAM读................................................ ....................... 5
SRAM写................................................ ....................... 5
自动存储操作................................................ 5 ........
硬件存储操作............................................ 5
硬件RECALL （上电） ....................................... 6
软件商店................................................ ............... 6
软件RECALL ................................................ ............. 6
防止自动存储................................................ ....... 7
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
................................................最佳实践................... 8
最大额定值................................................ ............. 9
经营范围................................................ ............... 9
直流电气特性.......................................... 9
AC测试条件............................................... ......... 10
数据保留和耐力..................................... 10
电容................................................. ................... 10
热阻................................................ ........ 10
AC开关特性....................................... 11
自动存储/电RECALL ....................................... 13
软件控制的存储/调用循环................ 14
五金店周期............................................... 15 ..
真值表SRAM操作................................ 16
订购信息................................................ ...... 16
订购代码定义........................................... 16
包图................................................ .......... 17
与缩略语................................................. ....................... 20
文档约定................................................ 20
计量单位............................................... ........ 20
文档历史记录页............................................... .. 21
销售，解决方案和法律信息...................... 22
全球销售和设计支持....................... 22
产品................................................. ................... 22
的PSoC解决方案................................................ ......... 22
文件编号： 001-54707修订版* F
第22页2
[+ ]反馈
CY14B256LA
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚TSOP II / 48引脚SSOP
NC
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
[3]
NC
[2]
NC
NC
[1]
[1]
NC
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ
5
DQ
4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
V
帽
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
NC
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
44 - TSOP II
(x8)
48 - SSOP
(x8)
顶视图
（不
按比例）
顶视图
（不
按比例）
图2.引脚图 - 32引脚SOIC
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
32 - SOIC
(x8)
顶视图
（不
按比例）
OE
NC
A
10
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
笔记
1.地址扩展为1兆。 NC引脚未连接到死。
2.地址扩展为2兆。 NC引脚未连接到死。
3.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-54707修订版* F
第22页3
[+ ]反馈
CY14B256LA
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
14
WE
CE
OE
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
输入
输入
输入
输入
地
动力
供应
描述
地址输入。用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
写使能输入，低电平有效。当芯片被使能和WE为低电平时，在I / O引脚的数据被写入
到特定的地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
I / O引脚为三态上拉高OE为高电平。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
电源输入到该设备。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
DQ
0
？ DQ
7
输入/输出双向数据I / O线。作为根据操作的输入或输出线路。
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
动力
供应
自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时存储数据从SRAM到nonvol-
atile元素。
V
帽
NC
无连接无连接。该管脚没有连接到模具上。
文件编号： 001-54707修订版* F
第22页4
[+ ]反馈
CY14B256LA
设备操作
该CY14B256LA的nvSRAM是由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。他们是一个SRAM
存储器单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该SRAM
存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。在数据
SRAM被转移至非易失性的细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作，
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B256LA支持无限读取和写入操作类似于
典型的SRAM 。此外，它还提供了无限的RECALL操作
从非易失性单元和高达百万STORE操作。
参阅
真值表的SRAM操作
对于一个16页
读写模式，完整的描述。
科幻gure 3
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
第9页V的尺寸上
帽
。上的电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。一个地方
拉对我们持有上电时它处于非活动状态。这种上拉是
唯一有效的，如果WE信号电期间三态。许多
MPU的三态上电的控制。这必须得到验证
使用上拉时。当的nvSRAM出来的
电源接通召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持无效
直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。软件启动STORE周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
图3.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B256LA执行一个读周期，当CE和OE是
低和WE和HSB是HIGH 。在针脚上指定的地址
A
0-14
确定哪个32,768数据的字节的每个都
访问。当由地址转换开始的读取，
的输出是有效的t的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读出的
通过CE或OE启动，则输出在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
,
以较迟者为准（读周期2 ） 。该数据输出一再
响应处理中的T的变化
AA
无需访问时间
需要进行任何控制输入引脚的转换。这仍然
有效期至另一个地址变更，或直到CE或OE被带到
高，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
WE
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DQ
0–7
是
写入存储器，如果数据有效吨
SD
年底前
答：我们控制的写或CE控制写入结束前。
请OE高在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
V
SS
V
帽
V
帽
硬件存储操作
该CY14B256LA提供了HSB引脚来控制和
确认存储操作。使用HSB引脚来
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低时， CY14B256LA有条件启动商店
吨后操作
延迟
。实际STORE周期只有开始，如果
写入SRAM自上次STORE已经发生或
RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
（内部100 k弱上拉电阻器）的内部驱动
低电平，表示处于忙碌状态时存储（通过启动
任何装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B256LA 。但是，任何SRAM的读写周期
被禁止，直到HSB返回HIGH由MPU或其他
外部源。
自动存储操作
使用的一个CY14B256LA将数据存储到所述的nvSRAM
以下三种存储操作：五金店启动
通过HSB ;软件商店由一个地址序列激活;
自动存储在设备断电。所述自动存储操作是
QuantumTrap技术的独特的功能，并通过使
默认的CY14B256LA 。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第7页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会损坏存储的nvSRAM中的数据。
文件编号： 001-54707修订版* F
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