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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第657页 > CY14B256KA-SP45XI
CY14B256KA
256千位（ 32K ×8 ）用的nvSRAM
实时时钟
特点
■
■
256千比特的nvSRAM
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为32K ×8 （ CY14B256KA ）
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，硬件，或掉电自动存储
召回SRAM启动的电或通过软件
■
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
■
实时时钟
全功能的实时时钟
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
0.35微安（典型值）备用电流
行业标准配置
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
工业温度
48引脚SSOP封装
无铅并符合RoHS标准
功能说明
赛普拉斯CY14B256KA结合了256 Kbit的非易失性
静态RAM具有一个全功能的实时时钟在一个单片
集成电路。嵌入式非易失性元件断路器中
porate QuantumTrap技术生产世界上最
可靠的非易失性存储器。 SRAM中读取和写入的
无限的次数，而独立的非易失性数据
驻留在非易失性元件。
实时时钟功能，提供了一个精确的时钟
闰年跟踪和可编程，高精度振荡器。
报警功能是可编程的，周期性的几分钟，几小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
逻辑框图
QuantumTrap
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
HSB
商店
动力
控制
商店/
召回
控制
行解码器
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
软件
检测
COLUMN IO
A
14
-
A
0
DQ
0
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
DQ
1
COLUMN DEC
RTC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
x
OUT
x
in
INT
MUX
A
14
-
A
0
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-55720修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年12月8日
[+ ]反馈
CY14B256KA
目录
功能................................................. .............................. 1
功能说明................................................ 1 .......
目录................................................. ............................. 2
引脚分配................................................. ............................... 3
引脚定义................................................ .................... 3
设备操作................................................ ................ 4
SRAM读................................................ ......................... 4
SRAM写................................................ ......................... 4
自动存储操作................................................ .......... 4
五金店（ HSB ）操作................................... 5
硬件RECALL （上电） .......................................... 5
软件商店................................................ ................. 5
软件RECALL ................................................ ............... 5
防止自动存储................................................ 6 .........
................................................最佳实践..................... 7
数据保护................................................ ................... 8
噪声考虑................................................ ......... 8
实时时钟运行.............................................. ..8
nvTIME操作................................................ ......... 8
时钟操作................................................ ........... 8
读时钟............................................... .......... 8
设置时钟............................................... ............ 8
备用电源................................................ ............... 8
停止和启动振荡器.............................. 9
校准时钟............................................... ...... 9
报警................................................. ............................ 9
看门狗定时器................................................ ............ 9
电源监视器................................................ ............. 10
中断................................................. .................... 10
标志登记................................................ ............. 11
最大额定值................................................ ............. 16
经营范围................................................ ............... 16
直流电气特性.......................................... 16
电容................................................. ..................... 17
热阻................................................ .......... 17
AC测试条件............................................... ........... 17
RTC特征................................................ ......... 17
AC开关特性......................................... 18
自动存储/上电RECALL ......................................... 20
软件控制的存储/调用循环.................. 21
五金店周期............................................... .... 22
真值表SRAM操作.................................. 23
订购信息................................................ ........ 24
包图................................................ .............. 25
文档历史记录页............................................... .... 26
销售，解决方案和法律信息........................ 26
全球销售和设计支持......................... 26
产品................................................. ..................... 26
文件编号： 001-55720修订版**
第26 2
[+ ]反馈
CY14B256KA
引脚配置
图1.引脚图 - 48引脚SSOP
V
帽
[1]
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
NC
[1]
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
48 - SSOP
(x8)
顶视图
（不按比例）
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
– A
14
DQ
0
？ DQ
7
NC
WE
CE
OE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
I / O类型
输入
描述
地址输入用于选择其中一个32,768字节的NVSRAM 。
输入/输出
双向数据I / O线。
作为根据操作的输入或输出线路。
无连接
未连接。
该管脚没有连接到模具上。
输入
输入
输入
产量
输入
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低电平时，在I数据输入/输出管脚是
写入到特定地址的位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
水晶连接。
驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。
对于32.768 kHz晶振。
电源
电容器提供备份的RTC电源电压。
悬空若V
RTCbat
被使用。
电源
电池供应的备份的RTC电源电压。
悬空若V
RTCcap
被使用。
笔记
1.地址扩展为1兆。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-55720修订版**
第26 3
[+ ]反馈
CY14B256KA
引脚德网络nitions
（续）
引脚名称
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
产量
地
描述
中断输出。
可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。
必须连接到该系统的地面。
电源
电源输入到该设备。
3.0V +20%, –10%
输入/输出
五金店忙（ HSB ） 。
当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部的芯片，它发起的非易失性存储操作。内部弱上拉
电阻保持在该引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。每家商店的操作后，
HSB被驱动为高电平为短时间标准输出大电流。
电源
自动存储电容。
供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B256KA的nvSRAM是由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。这些是由SRAM
存储器单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该SRAM
存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。在数据
SRAM被转移至非易失性的细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B256KA支持无限读取和写入操作类似于
典型的SRAM 。此外，它还提供了无限的RECALL操作
从非易失性单元和高达百万STORE操作。
介
真值表的SRAM操作
对于第23页
读写模式，完整的描述。
自动存储操作
使用三种之一的CY14B256KA存储数据到的nvSRAM
存储操作。这三个操作：硬件
商店，通过HSB活化软件商店，通过激活
地址序列;自动存储，在设备断电。该
自动存储操作QuantumTrap的一大特色
技术默认情况下，在CY14B256KA启用。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
可能会损坏存储的nvSRAM中的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B256KA执行一个读周期，每当CE和OE
低， WE和HSB是HIGH 。地址指定的
引脚
0-14
确定哪一个的32,768个数据字节是
访问。当由地址转换开始的读取，
的输出是有效的t的延迟之后
AA
（读周期＃1） 。如果
读取由CE或OE启动，则输出在t有效
ACE
或
t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期＃ 2 ） 。该数据输出
多次响应地址内的T改变
AA
ACCESS
时间，而不需要任何控制输入引脚的过渡。
这仍然有效，直到另一个地址变更，或直到CE或
OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1uF
10kOhm
V
CC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚IO
0-7
是
写入到存储器，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制的写，或CE控制写入结束前。
因此建议OE被整个写操作期间保持高电平
周期，以避免对通用I / O线数据总线争。如果OE是
左路低，内部电路关闭输出缓冲区吨
HZWE
后
我们变低。
WE
V
帽
V
帽
V
SS
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的尺寸16页
帽
。电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。地方
第26 4
文件编号： 001-55720修订版**
[+ ]反馈
CY14B256KA
一拉就WE持有上电时它处于非活动状态。这种拉涨
如果是WE信号是在上电时三态才有效。许多
MPU的三态上电时的控制。这必须得到验证
使用拉涨的时候。当的nvSRAM出来的
电源接通召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持无效
直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。
HSB的信号，由系统监控，如果一个检测
自动存储周期正在进行中。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B256KA提供了HSB引脚来控制和
确认存储操作。在HSB引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低时， CY14B256KA有条件启动商店
吨后操作
延迟
。实际商店周期开始只有一个
写入SRAM自上次STORE已经发生或
RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
在内部驱动到低电平，表示处于忙碌状态时，
的存储（通过任何方式发起）正在进行中。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B256KA 。但是，任何SRAM的读写周期
被禁止，直到HSB返回HIGH由MPU或其他
外部源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B256KA继续驱动HSB引脚为低电平，释放
它只有当存储完成。一旦竣工
STORE操作， CY14B256KA仍然禁止，直到
HSB引脚为高电平。离开HSB未连接，如果它不是
使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器由一个传送到SRAM
软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
的CE或OE控制的读操作按照以下顺序
必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除。接着，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
软件商店
数据从SRAM的一个传送到所述非易失性存储器
软件地址序列。该CY14B256KA软件
STORE周期由执行顺序CE或OE启动
从六个具体地址位置控制的读周期
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
文件编号： 001-55720修订版**
第26 5
[+ ]反馈
CY14B256KA
256千位（是32K × 8 ）用的nvSRAM
实时时钟
256千位（ 32K ×8 ）的nvSRAM具有实时时钟
特点
256千比特非易失性静态随机存取存储器（的nvSRAM ）
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为32千× 8 （ CY14B256KA ）
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，硬件，或在掉电自动存储
召回SRAM上电或通过软件初始化
■
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
■
实时时钟（RTC）
全功能的实时时钟
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
0.35微安（典型值）备用电流
■
■
行业标准配置
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
工业温度
48引脚小外形封装（ SSOP ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
功能说明
赛普拉斯CY14B256KA结合了256 Kbit的非易失性
静态RAM具有一个全功能的实时时钟在一个单片
集成电路。嵌入式非易失性元件断路器中
porate QuantumTrap技术生产世界上最
可靠的非易失性存储器。 SRAM中读取和写入的
无限的次数，而独立的非易失性数据
驻留在非易失性元件。
实时时钟功能提供了跨越准确的时钟
一年的跟踪和一个可编程的，高精度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
逻辑框图
QuantumTrap
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
HSB
商店
动力
控制
商店/
召回
控制
行解码器
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
软件
检测
COLUMN IO
A
14
-
A
0
DQ
0
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
DQ
1
COLUMN DEC
RTC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
x
OUT
x
in
INT
MUX
A
14
-
A
0
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-55720修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月17日
[+ ]反馈
CY14B256KA
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店（ HSB ）操作................................. 4
硬件RECALL （上电） ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ...........
经营范围................................................ .............
直流电气特性........................................
数据保留和耐力.....................................
电容................................................. ...................
热阻................................................ ........
AC测试条件............................................... .........
RTC特征................................................ .......
AC开关特性.......................................
SRAM读周期............................................... .....
SRAM写周期............................................... ......
自动存储/上电RECALL .......................................
软件控制的存储/调用循环................
五金店周期............................................... ..
真值表SRAM操作................................
订购信息................................................ ......
订购代码定义...........................................
包图................................................ ............
与缩略语................................................. .......................
文档约定................................................ 。
计量单位............................................... ........
文档历史记录页............................................... ..
销售，解决方案和法律信息......................
全球销售和设计支持.......................
产品................................................. ...................
的PSoC解决方案................................................ .........
16
16
16
17
17
17
17
17
18
18
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20
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24
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26
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27
27
27
27
27
文件编号： 001-55720修订版* C
第27 2
[+ ]反馈
CY14B256KA
引脚配置
图1.引脚图 - 48引脚SSOP
V
帽
[1]
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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14
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20
21
22
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24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
NC
[1]
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
48 - SSOP
(x8)
顶视图
（不按比例）
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
– A
14
DQ
0
？ DQ
7
NC
WE
CE
OE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
输入
无连接
输入
输入
输入
产量
输入
描述
地址输入。用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
无连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当芯片被使能和WE为低电平时，在I / O引脚的数据被写入
到特定的地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
水晶连接。驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
输入/输出双向数据I / O线。作为根据操作的输入或输出线路。
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
产量
地
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。低电平时，此输出表明五金店正在进行中。
当拉低，外部芯片时，它启动一个非易失STORE操作。每个硬件后，
与软件商店运营HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
记
1.地址扩展为1兆。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-55720修订版* C
第27 3
[+ ]反馈
CY14B256KA
设备操作
该CY14B256KA的nvSRAM是由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。这些是由SRAM
存储器单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该SRAM
存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。在数据
SRAM被转移至非易失性的细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B256KA支持无限读取和写入操作类似于
典型的SRAM 。此外，它还提供了无限的RECALL操作
从非易失性单元和高达百万STORE操作。
介
真值表的SRAM操作
对于第23页
读写模式，完整的描述。
图2.自动存储模式
V
CC
0.1 uF的
10千欧
V
CC
WE
V
帽
V
帽
V
SS
SRAM读
该CY14B256KA执行一个读周期，每当CE和OE
低， WE和HSB是HIGH 。地址指定的
引脚
0-14
确定哪一个的32,768个数据字节是
访问。当由地址转换开始的读取，
的输出是有效的t的延迟之后
AA
（读周期＃1） 。如果
读取由CE或OE启动，则输出在t有效
ACE
或
t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期＃ 2 ） 。该数据输出
多次响应地址内的T改变
AA
ACCESS
时间，而不需要任何控制输入引脚的过渡。
这仍然有效，直到另一个地址变更，或直到CE或
OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚IO
0-7
是
写入到存储器，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制的写，或CE控制写入结束前。
因此建议OE被整个写操作期间保持高电平
周期，以避免对通用I / O线数据总线争。如果OE是
左路低，内部电路关闭输出缓冲区吨
HZWE
后
我们变低。
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的尺寸16页
帽
。电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。地方
在WE的上拉保持上电时它处于非活动状态。这种上拉
如果是WE信号是在上电期间三态才有效。许多
MPU的三态上电的控制。这必须得到验证
使用上拉时。当的nvSRAM出来的
上电还记得， MPU必须处于活动状态或WE举行
不活动，直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。
HSB的信号，由系统监控，如果一个检测
自动存储周期正在进行中。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B256KA提供了HSB引脚来控制和
确认存储操作。在HSB引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低时， CY14B256KA有条件启动商店
吨后操作
延迟
。实际商店周期开始只有一个
写入SRAM自上次STORE已经发生或
RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
（内部100 k弱上拉电阻器）的内部驱动
低电平，表示处于忙碌状态时存储（通过启动
任何装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B256KA 。但是，任何SRAM的读写周期
被禁止，直到HSB返回HIGH由MPU或其他
外部源。
第27 4
自动存储操作
使用三种之一的CY14B256KA存储数据到的nvSRAM
存储操作。这三个操作：硬件
商店，通过HSB活化软件商店，通过激活
地址序列;自动存储，在设备断电。该
自动存储操作QuantumTrap的一大特色
技术默认情况下，在CY14B256KA启用。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
文件编号： 001-55720修订版* C
[+ ]反馈
CY14B256KA
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B256KA继续驱动HSB引脚为低电平，释放
它只有当存储完成。一旦竣工
STORE操作，该NVSRAM存储器访问被禁止的
t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。离开HSB不整合
连接的，如果它不被使用。
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
的CE或OE控制的读操作按照以下顺序
必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除。接着，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B256KA软件
STORE周期由执行顺序CE或OE启动
从六个具体地址位置控制的读周期
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0FC0启动STORE周期
文件编号： 001-55720修订版* C
第27 5
[+ ]反馈
CY14B256KA
256千位（是32K × 8 ）用的nvSRAM
实时时钟
256千位（是32K × 8 ）的nvSRAM具有实时时钟
特点
256千比特非易失性静态随机存取存储器（的nvSRAM ）
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为32千× 8 （ CY14B256KA ）
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，硬件，或在掉电自动存储
召回SRAM上电或通过软件初始化
■
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
■
实时时钟（RTC）
全功能的实时时钟
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
0.35 μA备用电流（典型值）
■
■
行业标准配置
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
工业温度
48引脚小外形封装（ SSOP ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
功能说明
赛普拉斯CY14B256KA结合了256 Kbit的非易失性
静态RAM具有一个全功能的实时时钟在一个单片
集成电路。嵌入式非挥发性元素
合并QuantumTrap技术生产世界上
最可靠的非易失性存储器。 SRAM被读出和写入
一个无限的次数，而独立的非易失性数据
驻留在非易失性元件。
实时时钟功能提供了跨越准确的时钟
一年的跟踪和一个可编程的，高精度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
逻辑
框图
逻辑
框图
QuantumTrap
512 X 512
A
5
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
商店
动力
控制
商店/
召回
控制
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
HSB
软件
检测
A
14
-
A
0
DQ
0
COLUMN IO
输入缓冲器
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
COLUMN DEC
RTC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
x
OUT
x
in
INT
MUX
A
14
-
A
0
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-55720修订版* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年9月28日
CY14B256KA
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ................ 4
SRAM写................................................ ................. 4
自动存储操作................................................ 4 ....
五金店（ HSB ）操作............................ 4
硬件RECALL （上电） ................................. 5
软件商店................................................ ......... 5
软件RECALL ................................................ 5 .......
防止自动存储................................................ 7 ..
数据保护................................................ ............ 7
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 9
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
最大额定值................................................ ........... 15
经营范围................................................ ............. 15
直流电气特性........................................ 15
数据保留和耐力..................................... 16
电容................................................. ................... 16
热阻................................................ ........ 16
AC测试负载............................................... ................. 17
AC测试条件............................................... ......... 17
RTC特征................................................ ....... 17
AC开关特性....................................... 18
SRAM读周期............................................... ..... 18
SRAM写周期............................................... ...... 18
自动存储/上电RECALL ....................................... 20
开关波形................................................ .... 20
软件控制的存储/调用循环................ 21
开关波形................................................ .... 21
五金店周期............................................... .. 22
开关波形................................................ .... 22
真值表SRAM操作................................ 23
订购信息................................................ ...... 23
订购代码定义......................................... 23
包图................................................ ............ 24
与缩略语................................................. ....................... 25
文档约定................................................ 25
计量单位............................................... ........ 25
文档历史记录页............................................... .. 26
销售，解决方案和法律信息...................... 27
全球销售和设计支持....................... 27
产品................................................. ................... 27
的PSoC解决方案................................................ ......... 27
文件编号： 001-55720修订版* G
第27 2
CY14B256KA
引脚配置
图1. 48引脚SSOP封装的引脚排列
V
帽
[1]
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
NC
[1]
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
48 - SSOP
(x8)
顶视图
（不按比例）
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
14
DQ
0
-DQ
7
NC
WE
CE
OE
X
out[2]
X
in[2]
I / O类型
输入
输入/输出
无连接
输入
输入
输入
产量
输入
描述
地址输入。用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
双向数据I / O线。作为根据操作的输入或输出线路。
无连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当芯片被使能和WE为低电平时，在I / O引脚的数据被写入
到特定的地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
水晶连接。驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
V
RTCcap[2]
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
V
RTCbat[2]
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
[2]
产量
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
INT
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
V
SS
地
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
V
CC
HSB
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。低电平时，此输出表明五金店正在进行中。
当拉低，外部芯片时，它启动一个非易失STORE操作。每个硬件后，
与软件商店运营HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
笔记
1.地址扩展为1兆位。 NC引脚未连接到死。
2.悬空如果不使用RTC功能。
文件编号： 001-55720修订版* G
第27 3
CY14B256KA
设备操作
该CY14B256KA的nvSRAM是由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。这些是由SRAM
存储器单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该SRAM
存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。在数据
SRAM被转移至非易失性的细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B256KA支持无限读取和写入操作类似于
典型的SRAM 。此外，它还提供了无限的RECALL操作
从非易失性单元和高达百万STORE操作。
介
真值表SRAM操作第23页
一
读写模式，完整的描述。
图2.自动存储模式
V
CC
0.1 uF的
10千欧
V
CC
WE
V
帽
V
帽
V
SS
SRAM读
该CY14B256KA执行一个读周期，每当CE和OE
低， WE和HSB是HIGH 。地址指定的
引脚
0–14
确定哪一个的32,768个数据字节是
访问。当由地址转换开始的读取，
的输出是有效的t的延迟之后
AA
（读周期＃1） 。如果
读取由CE或OE启动，则输出在t有效
ACE
或
t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期＃ 2 ） 。该数据输出
多次响应地址内的T改变
AA
ACCESS
时间，而不需要任何控制输入引脚的过渡。
这仍然有效，直到另一个地址变更，或直到CE或
OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚IO
0–7
是
写入到存储器，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制的写，或CE控制写入结束前。
因此建议OE被整个写操作期间保持高电平
周期，以避免对通用I / O线数据总线争。如果OE是
左路低，内部电路关闭输出缓冲区吨
HZWE
后
我们变低。
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
第15页上的特点
对于V的大小
帽
。电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。地方
在WE的上拉保持上电时它处于非活动状态。这种上拉
如果是WE信号是在上电期间三态才有效。许多
MPU的三态上电的控制。这必须得到验证
使用上拉时。当的nvSRAM出来的
上电还记得， MPU必须处于活动状态或WE举行
不活动，直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。
HSB的信号，由系统监控，如果一个检测
自动存储周期正在进行中。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B256KA提供了HSB引脚来控制和
确认存储操作。在HSB引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低时， CY14B256KA有条件启动商店
吨后操作
延迟
。实际商店周期开始只有一个
写入SRAM自上次STORE已经发生或
RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
（内部100 k弱上拉电阻器）的内部驱动
低电平，表示处于忙碌状态时存储（通过启动
任何装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B256KA 。但是，任何SRAM的读写周期
被禁止，直到HSB返回HIGH由MPU或其他
外部源。
第27 4
自动存储操作
使用三种之一的CY14B256KA存储数据到的nvSRAM
存储操作。这三个操作：硬件
商店，通过HSB活化软件商店，通过激活
地址序列;自动存储，在设备断电。该
自动存储操作QuantumTrap的一大特色
技术默认情况下，在CY14B256KA启用。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储第7页。
如果自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
文件编号： 001-55720修订版* G
CY14B256KA
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B256KA继续驱动HSB引脚为低电平，释放
它只有当存储完成。一旦竣工
STORE操作，该NVSRAM存储器访问被禁止的
t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。离开HSB
未连接的，如果它不被使用。
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
的CE或OE控制的读操作按照以下顺序
必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除。接着，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B256KA软件
STORE周期由执行顺序CE或OE启动
从六个具体地址位置控制的读周期
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
文件编号： 001-55720修订版* G
第27 5
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CEI-128
CY7C1418KV18-250BZC
CCL450DE1-W
CDR74NP-271MB
CIL21Y100
CM100505-27NJ
CLP-310
CY7C109A-25DMB
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CY7C025-25JC
CDS5FY251J03
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CJ1W-OD203
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Cypress Semiconductor Corp
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原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市杰兴微电子有限公司
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Cypress
23+
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原厂封装
原装现货可含税
深圳市春涛电子有限公司
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CYPRESS
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全新原装！优势现货!
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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48-SSOP
原厂一级代理，原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
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全新原装现货，原厂代理。
深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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原装正品，支持实单
深圳诚思涵科技有限公司
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