CY14B104L ， CY14B104N
4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
赛普拉斯CY14B104L / CY14B104N是一个快速静态RAM ，具有
非易失性元件中的每个存储单元。内存
组织为512K字节的8位或每16位256K字
每一个。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术，生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
在自动关闭电源。上电时，数据恢复
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为512K ×8 （ CY14B104L ）或256K ×16
(CY14B104N)
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
商店到QuantumTrap
发起的非易失性元素
软件，器件引脚或自动存储
在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3V + 20 ％到-10 ％操作
商用和工业温度
48球FBGA和五十四分之四十四引脚TSOP II封装
无铅并符合RoHS标准
逻辑框图
[1, 2, 3]
笔记
1.地址
0
- A
18
对于X8的配置和地址
0
- A
17
对于X16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
对于X8的配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于X16的配置。
3. BHE和BLE适用于只有X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07102修订版* L
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年12月19日
[+ ]反馈
CY14B104L ， CY14B104N
引脚配置
图1.引脚图 - 48 FBGA
48-FBGA
(x8)
48-FBGA
(x16)
顶视图
（不按比例）
1
NC
NC
DQ
0
V
SS
V
CC
DQ
3
2
OE
NC
NC
DQ
1
DQ
2
NC
3
A
0
A
3
A
5
A
17
V
帽
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
NC
DQ
5
DQ
6
NC
WE
A
11
6
NC
NC
DQ
4
V
CC
V
SS
DQ
7
NC
NC
[4]
顶视图
（不按比例）
1
BLE
DQ
8
2
OE
BHE
3
A
0
A
3
A
5
A
17
V
帽
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
DQ
1
DQ
3
DQ
4
DQ
5
WE
A
11
6
NC
DQ
0
DQ
2
V
CC
V
SS
DQ
6
DQ
7
[5]
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
B
C
D
E
F
G
H
DQ
9
DQ
10
V
SS
DQ
11
V
CC
DQ
12
DQ
14
DQ
13
DQ
15
HSB
NC
[4]
[5]
HSB
NC
A
18
A
8
A
8
图2.引脚图 - 44引脚TSOP II
44 - TSOP II
(x8)
44 - TSOP II
(x16)
[6]
NC
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44 - TSOP II
(x8)
顶视图
（不按比例）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ
5
DQ
4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
笔记
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
6. HSB引脚是不是在44 - TSOP II （ X16 ）封装。
文件编号： 001-07102修订版* L
第25 2
[+ ]反馈
CY14B104L ， CY14B104N
引脚配置
（续）
图3.引脚图 - 54引脚TSOP II （ X16 ）
NC
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
NC
[4]
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
(
不按比例）
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
– A
18
A
0
– A
17
DQ
0
？ DQ
7
DQ
0
？ DQ
15
WE
CE
OE
BHE
BLE
V
SS
V
CC
HSB
[6]
输入
输入
输入
输入
输入
地
IO类型
输入
描述
地址输入用于选择的524,288字节的nvSRAM对于X8的配置之一。
地址输入用于选择的nvSRAM对于X16配置的262,144字之一。
输入/输出
双向数据IO线X8配置。
用作输入或输出线视
操作。
双向数据IO线X16配置。
用作输入或输出线视
操作。
写使能输入，低电平有效。
当选定低时，在IO管脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。 IO引脚为三态上拉高OE高。
高字节使能，低电平有效。
控制DQ
15
- DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。
控制DQ
7
- DQ
0
.
地面的装置。
必须连接到该系统的地面。
电源
电源输入到该设备。
输入/输出
五金店忙（ HSB ） 。
当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。内部弱上拉
电阻保持在该引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。每次存储操作后， HSB
将被驱动为高电平的时间短，标准输出大电流。
电源
自动存储电容。
供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
无连接
无连接。
该管脚没有连接到模具上。
第25 3
V
帽
NC
文件编号： 001-07102修订版* L
[+ ]反馈
CY14B104L ， CY14B104N
设备操作
该CY14B104L / CY14B104N的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。他们是
一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该
SRAM存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。数据
在SRAM中被转移到非易失性细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作，
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B104L / CY14B104N支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达200K的存储操作
操作。见
“真值表SRAM操作”。
on
15页的读写模式的完整描述。
图4
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的大小7页
帽
。上的电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。上拉
最高应放在WE举行期间，上电就无效。
这拉的是，如果WE信号是在三态才有效
上电。许多MPU的将三态上电时的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时，MPU必须处于活动状态
或保持无效，直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个写
自从最近STORE操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
图4.自动存储模式
VCC
SRAM读
该CY14B104L / CY14B104N执行一个读周期时CE
和OE是低电平， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-18
OR A
0-17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使（ BHE ， BLE）确定哪些字节使能到
输出，在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时，输出是有效吨的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。该
数据输出反复进行响应，以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效，直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1uF
10kOhm
VCC
WE
V
帽
V
SS
V
帽
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对普通IO引脚DQ数据
0–15
被写入到存储器中，如果该数据是有效的吨
SD
年底前
一个我们控制写入或CE年底前控制
写。字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
被写入，在16位字的情况。所以建议
OE保持高电平，在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的IO线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
硬件存储操作
该CY14B104L / CY14B104N提供了HSB
[6]
引脚来控制
并确认存储操作。使用HSB引脚来
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低，中CY14B104L / CY14B104N有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。只有实际STORE周期
首先，如果在写的SRAM自上次已经发生
存储或调用周期。 HSB的销也作为一个开放
漏极驱动程序是一种内部驱动到低电平，表示忙碌
当存储（通过任何方式发起）是在状态
进展情况。
当HSB通过任何手段驱动至低电平， SRAM读取和写入
操作正在进行的是给定的时间之前完成
启动存储操作。经过HSB变为低电平时，
CY14B104L / CY14B104N继续SRAM的操作
t
延迟
.
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B104L / CY14B104N继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
竣工
of
该
商店
操作时，
该
CY14B104L / CY14B104N仍然禁止，直到HSB引脚
返回高电平。离开HSB未连接，如果它不被使用。
自动存储操作
使用CY14B104L / CY14B104N将数据存储到所述的nvSRAM
以下三种存储操作之一：五金店
通过HSB激活;软件商店由一个激活地址
序列;自动存储在设备断电。该自动存储
操作QuantumTrap技术的一个独特的功能，是
默认情况下，在CY14B104L / CY14B104N启用。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
文件编号： 001-07102修订版* L
第25 4
[+ ]反馈
CY14B104L ， CY14B104N
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V的检测电压
开关
，召回
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
在此期间，HSB被HSB驱动驱动至低电平。
软件商店
从SRAM中的数据传输到非易失性存储器，并具有
软件地址序列。该CY14B104L / CY14B104N
软件商店周期由执行顺序CE启动
从六个具体地址位置控制的读周期
确切顺序。在STORE周期以前的擦除
非易失性数据进行，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的序列中。另外，也没有读或写
操作必须完成后的第六个地址，读出了
软序列处理的持续时间（叔
SS
） 。如果这些条件
系统蒸发散得不到满足，该序列被中止，没有商店或
RECALL发生。
要启动的软件商店周期，以下地址
并且必须执行读序列。
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
表1.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE ， BHE ， BLE
[3]
X
L
X
L
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取。该序列中的第六个地址后
被输入，则商店循环开始和芯片是
禁用。 HSB会被拉低。重要的是要使用的读
周期和不写周期的序列中，尽管它不是
必要的OE为低电平为有效的序列。后
t
商店
循环时间被满足，则该SRAM被用于再次激活
读取和写入操作。
软件RECALL
从非易失性存储器中的数据传送到与SRAM的
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
汉英对照读操作按以下顺序必须是
进行。
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
A
15
- A
0
[7]
X
X
X
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8B45
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
IO
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[8, 9]
笔记
7.虽然有关于CY14B104L （在CY14B104N 18条地址线） 19的地址线中，只有13个地址线（甲
14
- A
2
）被用于控制软件模式。
地址线的其余部分都不在乎。
8.六个连续的地址位置必须是在列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
9. IO状态取决于OE ， BHE和BLE的状态。所示的IO表假设OE ， BHE和BLE低。
文件编号： 001-07102修订版* L
第25 5
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
