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CY14C101Q
CY14B101Q , CY14E101Q
1兆位( 128千× 8 )串行( SPI )的nvSRAM
1兆位( 128千× 8 )串行( SPI )的nvSRAM
特点
1兆位非易失性静态随机存取存储器(的nvSRAM )
内部组织为128千× 8
商店到QuantumTrap发起非易失性元素
在自动断电(自动存储)或使用SPI
指令(软件商店)或HSB引脚(硬件
店)
召回SRAM上电启动(上电
RECALL )或SPI指令(软件RECALL )
支持掉电自动存储与小
电容器(除了CY14X101Q1A )
高可靠性
无限的读,写和召回周期
100万STORE周期来QuantumTrap
数据保存期:20年,在85°C
40兆赫和104兆赫的高速串行外围接口
( SPI)的
40 MHz的时钟速率SPI读写零周期延迟
104 - MHz的时钟速率SPI写入和读取的SPI (特别快
阅读说明书)
支持SPI模式0 ( 0,0 )和模式3 ( 1,1)
SPI访问特殊功能
非易失性存储/调用
8字节的序列号
制造商ID和产品ID
睡眠模式
写保护
硬件保护利用写保护( WP )引脚
用写禁止指令的软件保护
1/4的软件块保护, 1/2 ,或整个阵列
低功耗
3毫安在40 MHz运行的平均工作电流
150平均待机模式电流
A
8睡眠模式电流
A
行业标准配置
工作电压:
CY14C101Q : V
CC
= 2.4 V至2.6 V
CY14B101Q : V
CC
= 2.7 V至3.6 V
CY14E101Q : V
CC
= 4.5 V至5.5 V
工业温度
8位和16引脚小外形集成电路( SOIC)封装
有害物质限制(RoHS )标准
功能概述
赛普拉斯CY14X101Q结合了1兆位的nvSRAM具有
非易失性元素与串行SPI接口的每个存储单元。
该存储器由每8位128 K字。该
嵌入式非易失性元素纳入QuantumTrap
技术,创造了世界上最可靠的非易失性
内存。该SRAM提供了无限的读写周期,而
在QuantumTrap细胞提供高度可靠的非易失性
存储的数据。从SRAM中的数据传输到非易失性
元素( STORE操作)会自动发生在
断电(除了CY14X101Q1A ) 。上电时,数据是
从非易失性存储器恢复到SRAM ( RECALL
操作)。您也可以发起STORE和RECALL
通过SPI指令操作。
CON组fi guration
特征
自动存储
软件
商店
五金
商店
CY14X101Q1A CY14X101Q2A CY14X101Q3A
No
是的
No
是的
是的
No
是的
是的
是的
逻辑框图
编号
8x8
制造商ID /
产品编号
状态寄存器
WRSR / RDSR /雷恩
SI
CS
SCK
WP
SO
V
CC
V
SPI控制逻辑
写保护
指令译码器
Quantrum陷阱
128的K× 8
SRAM
128的K× 8
商店
召回
RDSN / WRSN / RDID
读/写
存储/调用/ ASENB / ASDISB
内存
数据&地址
控制
电源控制模块
睡觉
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-54393修订版* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年5月5日
CY14C101Q
CY14B101Q , CY14E101Q
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM写................................................ ................. 4
SRAM读................................................ ................ 4
存储操作................................................ 5 .......
自动存储操作................................................ 5 ....
软件商店运营........................................ 5
五金店和HSB引脚操作................. 5
RECALL操作................................................ ...... 6
硬件RECALL (上电) ................................. 6
软件RECALL ................................................ 6 .......
禁用和启用自动存储............................... 6
串行外设接口............................................... 6
SPI概述................................................ ............... 6
SPI模式................................................ ................... 7
SPI工作特点............................................... 8 .....
上电............................................... ..................... 8
上电复位............................................... ........... 8
掉电............................................... ................. 8
有源电源和备用电源模式................... 8
SPI功能说明.............................................. 9
状态寄存器................................................ ............... 10
读状态寄存器( RDSR )指令................. 10
快读状态寄存器( FAST_RDSR )
指令................................................. ........................ 10
写状态寄存器( WRSR )指令................ 10
写保护和块保护......................... 12
写使能( WREN )指令.............................. 12
写禁止( WRDI )指令.............................. 12
块保护................................................ ........ 12
硬件写保护( WP ) ............................... 12
内存访问................................................ .............. 13
阅读顺序( READ )指令.......................... 13
快读序列( FAST_READ )指令...... 13
写操作(写)指令........................ 13
的nvSRAM特殊说明........................................ 15
软件商店( STORE )指令..................... 15
软件召回( RECALL )指令.................. 15
自动存储使能( ASENB )指令..................... 15
自动存储禁用( ASDISB )指令................... 15
特别说明................................................ ....... 16
SLEEP指令................................................ ..... 16
编号................................................ ................. 16
WRSN (序列号写)指令.................. 16
RDSN (序列号读)指令................... 17
FAST_RDSN (快速序列号读)
指令................................................. ........................ 17
设备ID ................................................ ......................... 18
RDID (设备ID读)指令........................... 18
FAST_RDID (快速设备ID读)指令........ 19
HOLD引脚工作............................................... .. 19
................................................最佳实践................. 20
最大额定值................................................ ........... 21
直流电气特性........................................ 21
数据保留和耐力..................................... 22
电容................................................. ................... 22
热阻................................................ ........ 22
AC测试条件............................................... ......... 23
AC开关特性....................................... 24
自动存储或电设置.................................. 25
软件控制的存储和调用循环...... 26
开关波形................................................ .... 26
五金店周期............................................... .. 27
订购信息................................................ ...... 28
订购代码定义......................................... 29
包图................................................ .......... 30
与缩略语................................................. ....................... 32
文档约定................................................ 32
计量单位............................................... ........ 32
文档历史记录页............................................... .. 33
销售,解决方案和法律信息...................... 34
全球销售和设计支持....................... 34
产品................................................. ................... 34
的PSoC解决方案................................................ ......... 34
文件编号: 001-54393修订版* F
第34 2
CY14C101Q
CY14B101Q , CY14E101Q
引脚配置
图1.引脚图 - 8引脚SOIC
[1, 2, 3]
CS
1
2
3
4
8
CY14X101Q1A
7
顶视图
6
不按比例
5
VCC
HOLD
SCK
SI
CS
1
2
3
4
8
CY14X101Q2A
7
顶视图
6
不按比例
5
VCC
HOLD
SCK
SI
SO
WP
VSS
SO
V
VSS
图2.引脚图 - 16引脚SOIC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
CY14X101Q3A
14
顶视图
13
不按比例
12
11
10
9
VCC
NC
VCAP
SO
SI
SCK
CS
HSB
NC
NC
NC
WP
HOLD
NC
VSS
引脚德网络nitions
引脚名称
[1, 2, 3]
CS
SCK
SI
SO
WP
HOLD
HSB
I / O类型
输入
输入
输入
产量
输入
输入
描述
片选。激活设备时拉低。驱动该引脚为高电平,器件进入低
功耗待机模式。
串行时钟。运行速度最高可达的F
SCK
。串行输入锁存在上升沿
这个时钟。串行输出被驱动为在时钟的下降沿。
串行输入。针对所有的SPI指令和数据输入。
串行输出。引脚用于数据通过SPI输出。
写保护。实现了SPI硬件写保护。
HOLD引脚。暂停串行操作。
输入/输出五金店忙:
输出:表示的nvSRAM的忙碌状态时低。每一个硬件和软件商店后
操作HSB驱动为高电平很短的时间(t
HHHD
)与标准输出大电流,然后
内部弱上拉电阻保持在这个引脚为高电平(外部上拉电阻连接可选)。
输入:五金店由外部拉动该引脚为低电平来实现。
电源自动存储电容器。供应电源的nvSRAM功率损耗,从存储数据中
SRAM到非易失性元件。如果自动存储不需要时,该引脚必须保持为无连接。它
决不能连接到地。
无连接
无连接:该引脚没有连接到芯片。
电源地
电源电源
V
NC
V
SS
V
CC
笔记
1. HSB引脚不采用8引脚SOIC封装。
2. CY14X101Q1A部分不具备V
销,不支持自动存储。
3. CY14X101Q2A部分没有WP引脚
文件编号: 001-54393修订版* F
第34 3
CY14C101Q
CY14B101Q , CY14E101Q
设备操作
CY14X101Q为1兆位串行(SPI)的nvSRAM存储器用
非易失性元件中的每个存储单元。所有的读取和写入操作
到的nvSRAM发生到SRAM ,它给出的nvSRAM的
独特的功能,能处理无限写入到存储器中。该
在SRAM中的数据是通过一条STORE序列转移固定
到非易失性QuantumTrap单元上并行的数据。一个小
电容(V
)用于自动存储在SRAM中的数据在
当电源出现故障,提供掉电非易失性单元
数据的安全性。建于该QuantumTrap非易失性元素
可靠的SONOS技术进行的nvSRAM的理想选择
安全地存储数据。
在1兆位的存储器阵列被组织为128 K字×8位。
该存储器可通过一个标准SPI接口进行访问
能够提供非常高的时钟速率高达40 MHz的零周期
延迟读取和写入周期。这的nvSRAM芯片还支持
与读取的特殊指令104 MHz的SPI访问速度
操作。该器件支持SPI模式0和3 ( CPOL ,
CPHA = 0 , 0, 1 , 1 ),并作为SPI从机。该装置是
通过片选( CS)引脚使能,并通过访问
串行输入( SI ) ,串行输出( SO )和串行时钟( SCK )
销。
该器件提供该功能的硬件和软件写
保护分别通过WP引脚和WRDI指令
伴随着块写保护(1/4 , 1/2或全机制
阵列)采用BP0和BP1引脚的状态寄存器。此外,
HOLD引脚用于暂停任何串行通信
无需复位串行序列。
CY14X101Q使用标准的SPI操作码的记忆
访问。除了一般的SPI指令读取和
写,它提供了四个特殊的指令,允许访问
4的nvSRAM特定功能:存储,调用,自动存储
禁用( ASDISB ) ,并自动存储使能( ASENB ) 。
的nvSRAM超过串行EEPROM的主要好处是,所有
读取和写入的nvSRAM在SPI的速度执行
公交车与零周期的延时。因此,不需要等待时间
之后的任何内存的访问。在存储和调用
操作需要一定的时间才能完成,所有的内存访问
在这段时间内被抑制。虽然存储或调用
操作进行中,该装置的占线状态指示
由五金店忙( HSB )引脚,也反映在
状态寄存器的RDY位。
该设备在三个不同的引脚配置,可用的
使您能够选择哪些适合在最好的应用程序的一部分。
该功能简要列出
表1中。
表1.功能摘要
特征
WP
V
HSB
自动存储
上电
召回
五金
商店
软件
商店
CY14X101Q1A CY14X101Q2A CY14X101Q3A
是的
No
No
No
是的
No
是的
No
是的
No
是的
是的
No
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
SRAM写
所有写入的nvSRAM是开展了对SRAM和不
使用最多的非易失性存储器中的任何的读写周期。这
使您可以执行无限的写入操作。写周期
通过WRITE指令执行。在写
指令通过的nvSRAM的SI引脚发出
由写操作码, 3字节的地址,以及一个
数据字节。写的nvSRAM是做在SPI总线速度为零
周期的延时。
该设备允许突发模式写入到通过执行
SPI 。这使得在连续的地址写操作
而不会发出新的写指令。当最后一个地址
在内存达到在连拍模式下,地址翻转到
0x00000和设备继续写。
SPI的写周期序列,在记忆中明确定义
的SPI协议说明访问部分。
SRAM读
读周期在SPI总线速度执行。该数据被读
用零个周期的延迟之后执行READ指令。
READ指令可用于高达40 MHz的时钟速度。该
READ指令通过的nvSRAM的SI引脚发出
由READ操作码和3个字节的地址的。该
数据在SO引脚读出。
一个速度高于40兆赫(高达104 MHz)的要求
FAST_READ指令。该FAST_READ指令被发出
通过的nvSRAM的SI引脚,由该
FAST_READ操作码, 3字节的地址,以及一个虚设
字节。该数据通过SO引脚读出。
该设备允许连拍模式读取,通过执行
SPI 。这使得在读取连续的地址不
发出新的READ指令。当在最后一个地址
达到在突发模式读取内存地址翻转到
0x00000和设备继续阅读。
在SPI读周期序列,在记忆中明确定义
的SPI协议说明访问部分。
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第34 4
CY14C101Q
CY14B101Q , CY14E101Q
存储操作
STORE操作从SRAM到传输数据
非易失性QuantumTrap细胞。该设备将数据存储到
使用三种存储操作的一个非易失性单元:
自动存储,在设备断电激活;软件商店,
由STORE指令激活;和五金店,
由HSB激活。在商店周期,的擦除
首先执行先前的非易失性数据,接着是
非易失性元素的节目。经过STORE周期
开始,读/写CY14X101Q被禁止,直到循环
完成。
该HSB信号或状态的RDY位寄存器可
由系统监控,如果检测到商店或软件
RECALL周期正在进行中。的nvSRAM的繁忙状态
通过HSB表示被拉低或RDY位被设置为“1” 。
为了避免不必要的非易失性存储,自动存储和
五金店操作被忽略,除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。然而,启动软件商店周期
的写操作是否已完成而不管
的地方。
图3.自动存储模式
V
CC
0.1 uF的
10千欧
V
CC
CS
V
V
V
SS
软件商店运营
软件商店使得用户能够触发STORE操作
通过一个特殊的SPI指令。启动STORE操作
由不论执行STORE指令是否写
自从上次的NV操作已完成。
商店周期需要吨
商店
的时间来完成,在此期间所有
内存存取的nvSRAM被禁止。的RDY位
状态寄存器或HSB引脚可被查询,找到
该NVSRAM的就绪或忙状态。之后的T
商店
周期
完成时, SRAM被用于读取和写入再次激活
操作。
自动存储操作
该自动存储操作的nvSRAM的独特功能,
自动存储在SRAM中的数据QuantumTrap细胞
在断电期间。这家店是利用外部的
电容(V
) ,使设备安全地存储
在非易失性存储器中的数据时的功率下降。
在正常操作期间,该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
引脚。当
电压在V
CC
引脚低于V
开关
在掉电模式下,
该设备禁止所有内存存取的nvSRAM和
自动执行使用条件STORE操作
从V充电
电容。所述自动存储操作不
如果开始没有写周期已经从去年RECALL执行。
如果电容器没有连接到V
针,自动存储必备
通过发出自动存储禁用指令被禁用
(自动存储
禁用15页( ASDISB )指令) 。
If
自动存储而不在V的电容器使
引脚上,
设备尝试没有足够电量的自动存储操作
完成存储。存储在数据这将损坏
的nvSRAM ,状态寄存器,以及序列号,它会
解锁SNL位。要恢复正常的功能,在WRSR
指令必须发出更新的非易失性位BP0 ,
BP1和WPEN状态寄存器。
科幻gure 3
示出了存储电容器的正确连接
(V
)的自动存储操作。请参阅
直流电气
第21页上的特点
对于V的大小
.
CY14X101Q1A不支持自动存储操作。您
必须使用SPI进行软件商店运营
STORE指令,以确保数据的安全。
五金店和HSB引脚操作
HSB的销在CY14X101Q3A用于控制和
确认存储操作。如果没有存储或调用是
进度,该引脚可用于请求五金店
周期。当HSB引脚被有条件地驱动为低电平,的nvSRAM
发起吨后STORE操作
延迟
持续时间。商店
周期开始仅当自已经执行一个写入到SRAM
最后存储或调用周期。读取和写入的
记忆被抑制在t
商店
持续时间或者只要HSB销
为LOW 。在HSB引脚还充当开漏驱动器(内部
100 k弱上拉电阻),其内部驱动为低电平
表明处于忙碌状态时, STORE (任何启动
装置)正在进行中。
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短(叔
HHHD
)与标准输出高
目前,然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
对于成功的最后一个数据字节商店,五金店
应开始的至少一个时钟周期之后的最后一个数据位
D0被接收。
经STORE操作完成时,存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
在HSB引脚必须悬空,如果不使用。
CY14X101Q1A / CY14X101Q2A不具有HSB引脚。 RDY
的SPI状态寄存器的位可以被探测,以确定
的nvSRAM的就绪或忙状态。
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第34 5
CY14C101Q
CY14B101Q
CY14E101Q
1兆位( 128千× 8 )串行( SPI )的nvSRAM
1兆位( 128千× 8 )串行( SPI )的nvSRAM
特点
1兆位非易失性静态随机存取存储器(的nvSRAM )
内部组织为128千× 8
商店到QuantumTrap发起非易失性元素
在自动断电(自动存储)或使用SPI
指令(软件商店)或HSB引脚(硬件
店)
召回SRAM上电启动(上电
RECALL )或SPI指令(软件RECALL )
支持掉电自动存储与小
电容器(除了CY14X101Q1A )
高可靠性
无限的读,写和召回周期
100万STORE周期来QuantumTrap
数据保存期:20年,在85°C
40兆赫和104兆赫的高速串行外围接口
( SPI)的
40 MHz的时钟速率SPI读写零周期延迟
104 - MHz的时钟速率SPI写入和读取的SPI (特别快
阅读说明书)
支持SPI模式0 ( 0,0 )和模式3 ( 1,1)
SPI访问特殊功能
非易失性存储/调用
8字节的序列号
制造商ID和产品ID
睡眠模式
写保护
硬件保护利用写保护( WP )引脚
用写禁止指令的软件保护
1/4的软件块保护, 1/2 ,或整个阵列
低功耗
3毫安在40 MHz运行的平均工作电流
150平均待机模式电流
A
8睡眠模式电流
A
行业标准配置
工作电压:
CY14C101Q : V
CC
= 2.4 V至2.6 V
CY14B101Q : V
CC
= 2.7 V至3.6 V
CY14E101Q : V
CC
= 4.5 V至5.5 V
工业温度
8位和16引脚小外形集成电路( SOIC)封装
有害物质限制(RoHS )标准
功能概述
赛普拉斯CY14X101Q结合了1兆位的nvSRAM具有
非易失性元素与串行SPI接口的每个存储单元。
该存储器由每8位128 K字。该
嵌入式非易失性元素纳入QuantumTrap
技术,创造了世界上最可靠的非易失性
内存。该SRAM提供了无限的读写周期,而
在QuantumTrap细胞提供高度可靠的非易失性
存储的数据。从SRAM中的数据传输到非易失性
元素( STORE操作)会自动发生在
断电(除了CY14X101Q1A ) 。上电时,数据是
从非易失性存储器恢复到SRAM ( RECALL
操作)。您也可以发起STORE和RECALL
通过SPI指令操作。
CON组fi guration
特征
自动存储
软件
商店
五金
商店
CY14X101Q1A CY14X101Q2A CY14X101Q3A
No
是的
No
是的
是的
No
是的
是的
是的
逻辑框图
编号
8x8
制造商ID /
产品编号
状态寄存器
WRSR / RDSR /雷恩
SI
CS
SCK
WP
SO
V
CC
V
SPI控制逻辑
写保护
指令译码器
QuantumTrap
128的K× 8
商店
内存
数据&地址
控制
SRAM
128的K× 8
召回
RDSN / WRSN / RDID
读/写
存储/调用/ ASENB / ASDISB
电源控制模块
睡觉
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-54393修订版* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年9月21日
CY14C101Q
CY14B101Q
CY14E101Q
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM写................................................ ................. 4
SRAM读................................................ ................ 4
存储操作................................................ 5 .......
自动存储操作................................................ 5 ....
软件商店运营........................................ 5
五金店和HSB引脚操作................. 5
RECALL操作................................................ ...... 6
硬件RECALL (上电) ................................. 6
软件RECALL ................................................ 6 .......
禁用和启用自动存储............................... 6
串行外设接口............................................... 6
SPI概述................................................ ............... 6
SPI模式................................................ ................... 7
SPI工作特点............................................... 8 .....
上电............................................... ..................... 8
掉电............................................... ................. 8
有源电源和备用电源模式................... 8
SPI功能说明.............................................. 9
状态寄存器................................................ ............... 10
读状态寄存器( RDSR )指令................. 10
快读状态寄存器
( FAST_RDSR )指令.............................................. .. 10
写状态寄存器( WRSR )指令................ 10
写保护和块保护......................... 12
写使能( WREN )指令.............................. 12
写禁止( WRDI )指令.............................. 12
块保护................................................ ........ 12
硬件写保护( WP ) ............................... 12
内存访问................................................ .............. 13
阅读顺序( READ )指令.......................... 13
快读序列( FAST_READ )指令...... 13
写操作(写)指令........................ 13
的nvSRAM特殊说明........................................ 15
软件商店( STORE )指令..................... 15
软件召回( RECALL )指令.................. 15
自动存储使能( ASENB )指令..................... 15
自动存储禁用( ASDISB )指令................... 15
特别说明................................................ ....... 16
SLEEP指令................................................ ..... 16
编号................................................ ................. 16
WRSN (序列号写)指令.................. 16
RDSN (序列号读)指令................... 17
FAST_RDSN
(快速序列号读)指令............................. 17
设备ID ................................................ ......................... 18
RDID (设备ID读)指令........................... 18
FAST_RDID (快速设备ID读)指令........ 19
HOLD引脚工作............................................... .. 19
最大额定值................................................ ........... 20
经营范围................................................ ............. 20
直流电气特性........................................ 20
数据保留和耐力..................................... 21
电容................................................. ................... 21
热阻................................................ ........ 22
交流测试负载和波形..................................... 22
AC测试条件............................................... ......... 22
AC开关特性....................................... 23
开关波形................................................ .... 23
自动存储或电设置.................................. 24
开关波形................................................ .... 24
软件控制的存储和调用循环...... 25
开关波形................................................ .... 25
五金店周期............................................... .. 26
开关波形................................................ .... 26
订购信息................................................ ...... 27
订购代码定义......................................... 27
包图................................................ .......... 28
与缩略语................................................. ....................... 30
文档约定................................................ 。 30
计量单位............................................... ........ 30
文档历史记录页............................................... .. 31
销售,解决方案和法律信息...................... 33
全球销售和设计支持....................... 33
产品................................................. ................... 33
的PSoC解决方案................................................ ......... 33
文件编号: 001-54393修订版* I
第33 2
CY14C101Q
CY14B101Q
CY14E101Q
引脚配置
图1.采用8引脚SOIC引脚排列
[1, 2, 3]
CS
1
2
3
4
8
CY14X101Q1A
7
顶视图
6
不按比例
5
VCC
HOLD
SCK
SI
CS
1
2
3
4
8
CY14X101Q2A
7
顶视图
6
不按比例
5
VCC
HOLD
SCK
SI
SO
WP
VSS
SO
V
VSS
图2. 16引脚SOIC封装的引脚排列
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
CY14X101Q3A
14
顶视图
13
不按比例
12
11
10
9
VCC
NC
VCAP
SO
SI
SCK
CS
HSB
NC
NC
NC
WP
HOLD
NC
VSS
引脚德网络nitions
引脚名称
[1, 2, 3]
CS
SCK
SI
SO
WP
HOLD
HSB
I / O类型
输入
输入
输入
产量
输入
输入
描述
片选。激活设备时拉低。驱动该引脚为高电平,器件进入低
功耗待机模式。
串行时钟。运行速度最高可达的F
SCK
。串行输入锁存在上升沿
这个时钟。串行输出被驱动为在时钟的下降沿。
串行输入。针对所有的SPI指令和数据输入。
串行输出。引脚用于数据通过SPI输出。
写保护。实现了SPI硬件写保护。
HOLD引脚。暂停串行操作。
输入/输出五金店忙:
输出:表示的nvSRAM的忙碌状态时低。每一个硬件和软件商店后
操作HSB驱动为高电平很短的时间(t
HHHD
)与标准输出大电流,然后
内部弱上拉电阻保持在这个引脚为高电平(外部上拉电阻连接可选)。
输入:五金店由外部拉动该引脚为低电平来实现。
电源自动存储电容器。供应电源的nvSRAM功率损耗,从存储数据中
SRAM到非易失性元件。如果自动存储不需要时,该引脚必须保持为无连接。它
决不能连接到地。
无连接
无连接:该引脚没有连接到芯片。
电源地
电源电源
V
NC
V
SS
V
CC
笔记
1. HSB引脚不采用8引脚SOIC封装。
2. CY14X101Q1A部分不具备V
销,不支持自动存储。
3. CY14X101Q2A部分没有WP引脚。
文件编号: 001-54393修订版* I
第33 3
CY14C101Q
CY14B101Q
CY14E101Q
设备操作
CY14X101Q为1兆位串行(SPI)的nvSRAM存储器用
非易失性元件中的每个存储单元。所有的读取和写入操作
到的nvSRAM发生到SRAM ,它给出的nvSRAM的
独特的功能,能处理无限写入到存储器中。该
在SRAM中的数据是通过一条STORE序列转移固定
到非易失性QuantumTrap单元上并行的数据。一个小
电容(V
)用于自动存储在SRAM中的数据在
当电源出现故障,提供掉电非易失性单元
数据的安全性。建于该QuantumTrap非易失性元素
可靠的SONOS技术进行的nvSRAM的理想选择
安全地存储数据。
在1兆位的存储器阵列被组织为128 K字×8位。
该存储器可通过一个标准SPI接口进行访问
能够提供非常高的时钟速率高达40 MHz的零周期
延迟读取和写入周期。这的nvSRAM芯片还支持
与读取的特殊指令104 MHz的SPI访问速度
操作。该器件支持SPI模式0和3 ( CPOL ,
CPHA = 0 , 0, 1 , 1 ),并作为SPI从机。该装置是
通过片选( CS)引脚使能,并通过访问
串行输入( SI ) ,串行输出( SO )和串行时钟( SCK )
销。
该器件提供该功能的硬件和软件写
保护分别通过WP引脚和WRDI指令
伴随着块写保护(1/4 , 1/2或全机制
阵列)采用BP0和BP1引脚的状态寄存器。此外,
HOLD引脚用于暂停任何串行通信
无需复位串行序列。
CY14X101Q使用标准的SPI操作码的记忆
访问。除了一般的SPI指令读取和
写,它提供了四个特殊的指令,允许访问
4的nvSRAM特定功能:存储,调用,自动存储
禁用( ASDISB ) ,并自动存储使能( ASENB ) 。
的nvSRAM超过串行EEPROM的主要好处是,所有
读取和写入的nvSRAM在SPI的速度执行
公交车与零周期的延时。因此,不需要等待时间
之后的任何内存的访问。在存储和调用
操作需要一定的时间才能完成,所有的内存访问
在这段时间内被抑制。虽然存储或调用
操作进行中,该装置的占线状态指示
由五金店忙( HSB )引脚,也反映在
状态寄存器的RDY位。
该设备在三个不同的引脚配置,可用的
使您能够选择哪些适合在最好的应用程序的一部分。
该功能简要列出
表1中。
表1.功能摘要
特征
WP
V
HSB
自动存储
上电
召回
五金
商店
软件
商店
CY14X101Q1A CY14X101Q2A CY14X101Q3A
是的
No
No
No
是的
No
是的
No
是的
No
是的
是的
No
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
SRAM写
所有写入的nvSRAM是开展了对SRAM和不
使用最多的非易失性存储器中的任何的读写周期。这
使您可以执行无限的写入操作。写周期
通过WRITE指令执行。在写
指令通过的nvSRAM的SI引脚发出
由写操作码, 3字节的地址,以及一个
数据字节。写的nvSRAM是做在SPI总线速度为零
周期的延时。
该设备允许突发模式写入到通过执行
SPI 。这使得在连续的地址写操作
而不会发出新的写指令。当最后一个地址
在内存达到在连拍模式下,地址翻转到
0x00000和设备继续写。
SPI的写周期序列,在记忆中明确定义
的SPI协议说明访问部分。
SRAM读
读周期在SPI总线速度执行。该数据被读
用零个周期的延迟之后执行READ指令。
READ指令可用于高达40 MHz的时钟速度。该
READ指令通过的nvSRAM的SI引脚发出
由READ操作码和3个字节的地址的。该
数据在SO引脚读出。
一个速度高于40兆赫(高达104 MHz)的要求
FAST_READ指令。该FAST_READ指令被发出
通过的nvSRAM的SI引脚,由该
FAST_READ操作码, 3字节的地址,以及一个虚设
字节。该数据通过SO引脚读出。
该设备允许连拍模式读取,通过执行
SPI 。这使得在读取连续的地址不
发出新的READ指令。当在最后一个地址
达到在突发模式读取内存地址翻转到
0x00000和设备继续阅读。
在SPI读周期序列,在记忆中明确定义
的SPI协议说明访问部分。
文件编号: 001-54393修订版* I
第33 4
CY14C101Q
CY14B101Q
CY14E101Q
存储操作
STORE操作从SRAM到传输数据
非易失性QuantumTrap细胞。该设备将数据存储到
使用三种存储操作的一个非易失性单元:
自动存储,在设备断电激活;软件商店,
由STORE指令激活;和五金店,
由HSB激活。在商店周期,的擦除
首先执行先前的非易失性数据,接着是
非易失性元素的节目。经过STORE周期
开始,读/写CY14X101Q被禁止,直到循环
完成。
该HSB信号或状态的RDY位寄存器可
由系统监控,如果检测到商店或软件
RECALL周期正在进行中。的nvSRAM的繁忙状态
通过HSB表示被拉低或RDY位被设置为“1” 。
为了避免不必要的非易失性存储,自动存储和
五金店操作被忽略,除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。然而,启动软件商店周期
的写操作是否已完成而不管
的地方。
图3.自动存储模式
V
CC
0.1 uF的
10千欧
V
CC
CS
V
V
V
SS
软件商店运营
软件商店使得用户能够触发STORE操作
通过一个特殊的SPI指令。启动STORE操作
由不论执行STORE指令是否写
自从上次的NV操作已完成。
商店周期需要吨
商店
的时间来完成,在此期间所有
内存存取的nvSRAM被禁止。的RDY位
状态寄存器或HSB引脚可被查询,找到
该NVSRAM的就绪或忙状态。之后的T
商店
周期
完成时, SRAM被用于读取和写入再次激活
操作。
自动存储操作
该自动存储操作的nvSRAM的独特功能,
自动存储在SRAM中的数据QuantumTrap细胞
在断电期间。这家店是利用外部的
电容(V
) ,使设备安全地存储
在非易失性存储器中的数据时的功率下降。
在正常操作期间,该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
引脚。当
电压在V
CC
引脚低于V
开关
在掉电模式下,
该设备禁止所有内存存取的nvSRAM和
自动执行使用条件STORE操作
从V充电
电容。所述自动存储操作不
如果开始没有写周期已经从去年RECALL执行。
如果电容器没有连接到V
针,自动存储必备
通过发出自动存储禁用指令被禁用
(自动存储
禁用15页( ASDISB )指令) 。
If
自动存储而不在V的电容器使
引脚上,
设备尝试没有足够电量的自动存储操作
完成存储。存储在数据这将损坏
的nvSRAM ,状态寄存器,以及序列号,它会
解锁SNL位。要恢复正常的功能,在WRSR
指令必须发出更新的非易失性位BP0 ,
BP1和WPEN状态寄存器。
科幻gure 3
示出了存储电容器的正确连接
(V
)的自动存储操作。请参阅
直流电气
第20页上的特点
对于V的大小
.
CY14X101Q1A不支持自动存储操作。您
必须使用SPI进行软件商店运营
STORE指令,以确保数据的安全。
五金店和HSB引脚操作
HSB的销在CY14X101Q3A用于控制和
确认存储操作。如果没有存储或调用是
进度,该引脚可用于请求五金店
周期。当HSB引脚被有条件地驱动为低电平,的nvSRAM
发起吨后STORE操作
延迟
持续时间。商店
周期开始仅当自已经执行一个写入到SRAM
最后存储或调用周期。读取和写入的
记忆被抑制在t
商店
持续时间或者只要HSB销
为LOW 。在HSB引脚还充当开漏驱动器(内部
100 k弱上拉电阻),其内部驱动为低电平
表明处于忙碌状态时, STORE (任何启动
装置)正在进行中。
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短(叔
HHHD
)与标准输出高
目前,然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
对于成功的最后一个数据字节商店,五金店
应开始的至少一个时钟周期之后的最后一个数据位
D0被接收。
经STORE操作完成时,存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
在HSB引脚必须悬空,如果不使用。
CY14X101Q1A / CY14X101Q2A不具有HSB引脚。 RDY
的SPI状态寄存器的位可以被探测,以确定
的nvSRAM的就绪或忙状态。
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第33 5
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