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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第538页 > CY14B101KA-SP25XIT
初步
CY14B101KA/CY14B101MA
1兆位（ 128K ×8 / 64K ×16 ）用的nvSRAM
实时时钟
特点
■
■
1兆位的nvSRAM
20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为128K ×8 （ CY14B101KA ）或64K ×16
(CY14B101MA)
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，硬件，或掉电自动存储
召回SRAM启动的电或通过软件
■
高可靠性
无限的读，写和召回周期
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
■
实时时钟
全功能的实时时钟
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
300 nA的备用电流
行业标准配置
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
商用和工业温度
44引脚和54引脚TSOP II和48引脚SSOP封装
无铅并符合RoHS标准
功能说明
赛普拉斯CY14B101KA / CY14B101MA结合了1兆
非易失性静态RAM，带有一个全功能的实时时钟在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
写入次数无限多的，而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
实时时钟功能，提供了一个精确的时钟
闰年跟踪和可编程，高精度振荡器。
报警功能是可编程的，周期性的几分钟，几小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
Quatrum
陷阱
1024 X 1024
商店
召回
V
CC
V
CA
P
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
A
14
- A
2
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
CE
BLE
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
16
- A
0
OE
WE
COLUMN DEC
BHE
笔记
1.地址
0
- A
16
对于X8的配置和地址
0
- A
15
对于X16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
对于X8的配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于X16的配置。
3. BHE和BLE适用于只有X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-42880修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年7月9日
[+ ]反馈
初步
CY14B101KA/CY14B101MA
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚， 54引脚TSOP II ，以及48引脚SSOP
INT
[7
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[6]
NC
[5]
NC
[4]
NC
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
INT
[7]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[6]
NC
[5]
NC
[4]
NC
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
44 - TSOP II
(x8)
48 - SSOP
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
XOUT
XIN
V
RTCcap
V
RTCbat
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
– A
16
A
0
– A
15
DQ
0
？ DQ
7
DQ
0
–
DQ
15
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
输入/输出
I / O类型
输入
描述
地址输入用于选择X8配置了131,072字节中的nvSRAM之一。
地址输入用于选择65,536字的的nvSRAM对于X16的配置之一。
双向数据I / O线为X8配置。
用作输入或输出线视
操作。
双向数据I / O的X16配置行。
用作输入或输出线视
操作。
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低电平时，在I数据输入/输出管脚是
写入到特定地址的位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。
控制DQ15 - DQ8 。
低字节使能，低电平有效。
控制DQ7 - DQ0 。
水晶连接。
驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。
对于32.768 kHz晶振。
无连接
未连接。
该管脚没有连接到模具上。
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电容器提供备份的RTC电源电压。
悬空若V
RTCbat
被使用。
电源
电池供应的备份的RTC电源电压。
悬空若V
RTCcap
被使用。
笔记
4.地址扩展为2兆。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
6.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
7.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-42880修订版* C
第29页2
[+ ]反馈
初步
CY14B101KA/CY14B101MA
引脚德网络nitions
（续）
引脚名称
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
产量
地
描述
中断输出。
可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。
必须连接到该系统的地面。
电源
电源输入到该设备。
3.0V +20%, –10%
输入/输出
五金店忙（ HSB ） 。
当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部的芯片，它发起的非易失性存储操作。内部弱上拉
电阻保持在该引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。每家商店的操作后，
HSB被驱动为高电平为短时间标准输出大电流。
电源
自动存储电容。
供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B101KA / CY14B101MA的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B101KA / CY14B101MA支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达200K的存储操作
操作。介
真值表的SRAM操作
在页
23，用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
该CY14B101KA / CY14B101MA将数据存储到所述的nvSRAM
使用三个存储操作之一。这三个操作
分别是：五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，在器件上电
下来。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B101KA/CY14B101MA.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第5页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
可能会损坏存储的nvSRAM中的数据。
图2.自动存储模式
VCC
SRAM读
该CY14B101KA / CY14B101MA执行一个读周期
每当CE和OE低， WE和HSB是HIGH 。
在针脚上指定的地址
0-16
OR A
0-15
确定哪些
的131,072个数据字节或16位65536字，每个都
访问。字节使能（ BHE ， BLE）确定哪些字节
使能输出，在16位字的情况。当读出的
由地址转换启动的，则输出是后一个有效
吨的延迟
AA
（读周期＃1） 。如果读通过CE或OE启动，
的输出是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读
周期＃2）。该数据输出反复进行响应，以解决
内T改变
AA
无需跃迁存取时间
系统蒸发散在任何控制输入引脚。这仍然有效，直到另一个
地址变更或直到CE或OE变为高电平，否则我们还是
HSB被拉低。
0.1uF
10kOhm
VCC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚IO
0-7
是
写入到存储器，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制的写，或CE控制写入结束前。
字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
写的，在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平，在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
文件编号： 001-42880修订版* C
WE
V
帽
V
SS
V
帽
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的尺寸15页
帽
。电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。地方
第29页3
[+ ]反馈
初步
CY14B101KA/CY14B101MA
一拉就WE持有上电时它处于非活动状态。这种拉涨
如果是WE信号是在上电时三态才有效。许多
MPU的三态上电时的控制。这必须得到验证
使用拉涨的时候。当的nvSRAM出来的
电源接通召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持无效
直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。
HSB的信号，由系统监控，如果一个检测
自动存储周期正在进行中。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B101KA / CY14B101MA提供了HSB引脚来
控制并确认存储操作。在HSB引脚
用于请求五金店周期。当HSB引脚
驱动为低电平时， CY14B101KA / CY14B101MA条件
发起吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期
开始仅当写入到SRAM自上次已经发生
存储或调用周期。 HSB的销也作为一个开放
漏极驱动程序是一种内部驱动到低电平，表示忙碌
当存储（通过任何方式发起）是在状态
进展情况。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B101KA / CY14B101MA 。但是，任何SRAM读
和写周期被禁止，直到HSB返回HIGH由MPU
或其它外部源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B101KA / CY14B101MA继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
竣工
of
该
商店
操作时，
该
CY14B101KA / CY14B101MA仍然禁止，直到HSB引脚
返回高电平。离开HSB未连接，如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器由一个传送到SRAM
软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
的CE或OE控制的读操作按照以下顺序
必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除。接着，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
软件商店
数据从SRAM的一个传送到所述非易失性存储器
软件地址序列。该CY14B101KA / CY14B101MA
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
文件编号： 001-42880修订版* C
第29页4
[+ ]反馈
初步
CY14B101KA/CY14B101MA
表1.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE ， BHE ， BLE
[3]
X
L
X
L
A
15
- A
0
[8]
X
X
X
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8B45
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4B46
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8FC0
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4C63
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[9]
L
H
L
活跃
[9]
L
H
L
我主动
CC2[9]
L
H
L
活跃
[9]
防止自动存储
所述自动存储功能是通过启动一个自动存储禁用
禁用序列。执行读操作的序列
以类似于软件商店发起相关的方式。要启动
在自动存储禁用序列，行政长官按以下顺序
或OE控制的读操作必须被执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8B45自动存储禁用
该自动存储是通过启动一个自动存储允许重新启用
序列。在执行读操作的序列
方式类似软件RECALL启动。
以引发自动存储使能序列，下面
CE或OE的控制顺序读操作必须是
执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4B46自动存储启用
如果自动存储功能被禁用或重新启用，手动
STORE操作（硬件或软件）发出以保存
自动存储状态，通过以后的掉电周期。该
一部分来自于工厂自动存储功能。
笔记
8.虽然有关于CY14B101KA （在CY14B101MA 16条地址线） 17的地址线中，只有13个地址线（甲
14
- A
2
）被用于控制软件
模式。其余的地址线是不在乎。
9. 6个连续地址单元必须按列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
文件编号： 001-42880修订版* C
第29页5
[+ ]反馈
CY14B101KA
CY14B101MA
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）用的nvSRAM
实时时钟
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM与实时时钟
特点
1兆位非易失性静态随机存取存储器（的nvSRAM ）
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为128千× 8 （ CY14B101KA ）或
一个64 K × 16 （ CY14B101MA ）
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，硬件，或在掉电自动存储
召回SRAM上电或通过软件初始化
■
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
■
实时时钟（RTC）
全功能的实时时钟
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
0.35 μA备用电流（典型值）
■
■
行业标准配置
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
工业温度
套餐
44- / 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）II型
48引脚紧缩小型封装（ SSOP ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
■
■
功能说明
赛普拉斯CY14B101KA / CY14B101MA集成了1 - Mbit的
NVSRAM有一个全功能的实时时钟在一个单片
集成电路。嵌入式非挥发性元素
合并QuantumTrap技术生产世界上
最可靠的非易失性存储器。 SRAM被读出和写入
一个无限的次数，而独立的非易失性数据
驻留在非易失性元件。
实时时钟功能提供了跨越准确的时钟
一年的跟踪和一个可编程的，高精度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
V
CC
V
CA
P
逻辑框图
[1, 2, 3]
Quatrum
陷阱
1024 X 1024
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
商店
召回
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
HSB
软件
检测
A
14
- A
2
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
CE
BLE
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
16
- A
0
OE
COLUMN DEC
WE
BHE
笔记
1.地址
0
–A
16
为× 8配置和地址
0
–A
15
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-42880修订版* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年7月22日
[+ ]反馈
CY14B101KA
CY14B101MA
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 4
设备操作................................................ .............. 5
SRAM读................................................ ....................... 5
SRAM写................................................ ....................... 5
自动存储操作................................................ 5 ........
五金店（ HSB ）操作................................. 5
硬件RECALL （上电） ....................................... 6
软件商店................................................ ............... 6
软件RECALL ................................................ ............. 6
防止自动存储................................................ ....... 7
数据保护................................................ ................. 8
噪声考虑................................................ 8 .......
实时时钟运行.............................................. 8
nvTIME操作................................................ 8 .......
时钟操作................................................ ......... 8
读时钟............................................... 8 ........
设置时钟............................................... .......... 8
备用电源................................................ ............. 8
停止和启动振荡器............................ 9
校准时钟............................................... 9 ....
报警................................................. .......................... 9
看门狗定时器................................................ .......... 9
电源监视器................................................ ........... 10
中断................................................. .................. 10
标志登记................................................ ........... 11
................................................最佳实践................. 16
最大额定值................................................ ........... 17
经营范围................................................ ............. 17
直流电气特性........................................ 17
数据保留和耐力..................................... 18
电容................................................. ................... 18
热阻................................................ ........ 18
AC测试负载............................................... ................. 18
AC测试条件............................................... ......... 18
RTC特征................................................ ....... 19
AC开关特性....................................... 20
SRAM读周期............................................... ..... 20
SRAM写周期............................................... ...... 20
开关波形................................................ .... 20
自动存储/上电RECALL ....................................... 23
开关波形................................................ .... 23
软件控制的存储/调用循环................ 24
开关波形................................................ .... 24
五金店周期............................................... 25 ..
开关波形................................................ .... 25
真值表SRAM操作................................ 26
订购信息................................................ ...... 27
包图................................................ .......... 28
与缩略语................................................. ....................... 30
文档约定............................................. 30
计量单位............................................... ........ 30
文档历史记录页............................................... .. 31
销售，解决方案和法律信息...................... 34
全球销售和设计支持....................... 34
产品................................................. ................... 34
的PSoC解决方案................................................ ......... 34
文件编号： 001-42880修订版* I
第34 2
[+ ]反馈
CY14B101KA
CY14B101MA
引脚配置
图1.引脚图 - 44针， 54针TSOP II ，以及48引脚SSOP
INT 1
[7]
NC
2
A
0
3
A
1
4
A
2
5
A
3
6
A
4
7
CE 8
DQ
0
9
DQ
1
10
V
CC
11
12
V
SS
DQ
2
13
DQ
3
14
WE 15
A
5
16
A
6
17
A
7
18
A
8
19
A
9
20
XOUT
21
XIN
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[6]
NC
[5]
NC
[4]
NC
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
INT
[7]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[6]
NC
[5]
NC
[4]
NC
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
44引脚TSOP II
(× 8)
48-
针
SSOP
(
×
8)
54-
针
TSOP II
(
×
16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
XOUT
XIN
V
RTCcap
V
RTCbat
笔记
4.地址扩展的2 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
6.地址扩展为8兆。 NC引脚未连接到死。
7.地址扩展16 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-42880修订版* I
第34 3
[+ ]反馈
CY14B101KA
CY14B101MA
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
16
A
0
–A
15
DQ
0
-DQ
7
DQ
0
-DQ
15
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
输入
输入/输出
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
描述
地址输入。用于选择的131,072字节的nvSRAM为× 8配置之一。
地址输入。用于选择65536字的nvSRAM为×16配置的一个。
双向数据I /为× 8配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据I / O线× 16的配置。作为根据操作的输入或输出线路。
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当芯片被使能和WE为低电平时，在I / O引脚的数据被写入
到特定的地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
-DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
-DQ
0
.
水晶连接。驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
产量
地
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营HSB驱动为高电平的时间短（T
HHHD
）与标准输出高
目前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
文件编号： 001-42880修订版* I
第34 4
[+ ]反馈
CY14B101KA
CY14B101MA
设备操作
该CY14B101KA / CY14B101MA的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B101KA / CY14B101MA支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达百万店铺运营
操作。参考
真值表SRAM操作第26页
用于读取和写入模式的完整描述。
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储第7页。
如果自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM读
该CY14B101KA / CY14B101MA执行一个读周期
每当CE和OE低， WE和HSB是HIGH 。
在针脚上指定的地址
0–16
OR A
0–15
确定哪些
的131,072个数据字节或16位65536字，每个都
访问。字节使能（ BHE ， BLE）确定哪些字节
使能输出，在16位字的情况。当读出的
由地址转换启动的，则输出是后一个有效
吨的延迟
AA
（读周期＃1） 。如果读通过CE或OE启动，
的输出是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读
周期＃2）。该数据输出反复进行响应，以解决
内T改变
AA
而不需要访问时间
转换任何控制输入引脚。这仍然有效，直至
另一个地址变更，或直到CE或OE变为高电平，或
WE或HSB变为低电平。
WE
V
帽
V
帽
V
SS
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚IO
0–7
是
写入到存储器，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制的写，或CE控制写入结束前。
字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
写的，在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平，在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
第17页上的特点
对于V的大小
帽
。电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。一
拉起来应该放在我们在拿着它不活跃
电。如果WE信号为三态这种上拉才有效
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时， MPU必须
主动或保持无效，直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。
HSB的信号，由系统监控，如果一个检测
自动存储周期正在进行中。
自动存储操作
该CY14B101KA / CY14B101MA将数据存储到所述的nvSRAM
使用三个存储操作之一。这三个操作
分别是：五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B101KA/CY14B101MA.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
五金店（ HSB ）操作
该CY14B101KA / CY14B101MA提供了HSB引脚来
控制并确认存储操作。在HSB引脚
用于请求五金店周期。当HSB引脚
驱动为低电平时， CY14B101KA / CY14B101MA条件
发起吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期
开始仅当写入到SRAM自上次已经发生
存储或调用周期。 HSB的销也作为一个开放
漏驱动器（内部100 k弱上拉电阻器），它是跨
应受驱动为低电平，表示处于忙碌状态时STORE
（通过任何方式发起）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
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第34 5
[+ ]反馈
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