CY7C133
CY7C143
2K ×16双口静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许
同时读取相同的内存位置
2K ×16组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 25/35/55 NS
低工作功耗：我
CC
= 150 mA（典型值）
完全异步操作
主CY7C133扩展数据总线宽度为32位或
更多的使用从CY7C143
对CY7C133 BUSY输入标志;在繁忙的输出标志
CY7C143
提供68引脚PLCC
引脚兼容和功能上等同于IDT7133
和IDT7143
功能说明
该CY7C133和CY7C143是高速CMOS 2K 16
双口静态RAM 。两个端口的可允许不知疲倦
悬垂在内存中存取的任何位置。该CY7C133可以
可以用作任一个独立的16位双端口静态RAM
或者作为主设备的双端口RAM中结合CY7C143
需要32位或更高的从双端口器件系统
字宽。这是解决应用于需要共享
或缓冲的数据，如高速缓冲存储器的DSP ，位片，或
多处理器设计。
每个端口都有独立的控制引脚;片选（ CE ） ，
写使能（ R / W
UB
中，R / W的
LB
）和输出使能（ OE ） 。忙
信号，该端口正试图访问同一位置电流
rently正在由其他端口进行访问。自动pow-
ER-断特性是通过独立控制每个端口上
芯片使能（ CE）引脚。
该CY7C133和CY7C143是68引脚PLCC可用。
逻辑框图
CE
L
读/写
LUB
CE
R
读/写
RUB
读/写
LLB
OE
L
读/写
RLB
OE
R
I / O
8L
- I / O
15L
I / O
0L
- I / O
7L
忙
L[1]
A
10L
A
0L
地址
解码器
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
- I / O
15R
I / O
0R
- I / O
7R
忙
R
[
1
]
内存
ARRAY
地址
解码器
A
10R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
LUB
读/写
LLB
ARBITRA
化
逻辑
（ CY7C133 ONLY）
CE
R
OE
R
读/写
RUB
读/写
RLB
C133-1
注意：
1. CY7C133 （硕士） ： BUSY为开漏输出，需要上拉电阻。 CY7C143 （从） ： BUSY输入。
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年10月14日
CY7C133
CY7C143
引脚配置
68引脚LCC / PLCC
顶视图
I/O3L
I/O2L
I/O1L
I/O0L
V CC
R / WLUB
R / WLLB
OEL
I/O8L
I/O7L
I/O6L
I/O5L
I/O4L
A10L
A9L
A8L
A7L
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
2728 29 30 3132 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
I/O8R
I/O9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
I / O
15R
GND
读/写
RUB
读/写
RLB
OER
A
10R
A9R
A
8R
A7R
A6R
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
忙
L
CE
L
CE
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
9 8 7 6
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
7C133
7C143
C133-2
选购指南
7C133-25
7C143-25
最大访问时间（纳秒）
典型工作电流I
CC
（MA ）
典型待机电流为我
SB1
（MA ）
25
170
40
7C133-35
7C143-35
35
160
30
7C133-55
7C143-55
55
150
20
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源的应用
.................................................. 55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
................................................. 3.5V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
2
CY7C133
CY7C143
电气特性
在整个工作范围
7C133-25
7C143-25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
当前
[3,4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
170
170
40
40
100
100
3
3
90
90
5
5
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0毫安
[2]
测试条件
分钟。
2.4
典型值。
马克斯。
单位
V
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
+5
200
250
290
60
75
140
160
15
15
120
140
V
V
V
A
A
mA
mA
V
CC
工作电源电流CE = V
IL
,
租金
输出打开，
f = f
MAX[5]
待机电流两个端口， CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
, f = f
MAX[5]
TTL输入
I
SB1
I
SB2
I
SB3
mA
mA
mA
待机电流的一个端口， CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
IH
，主动端口输出Com'l
TTL输入
把开放式中，f = F
MAX[5]
IND 。
待机电流两个端口，这两个端口CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
CC
- Com'l
CMOS输入
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
IND 。
f=0
待机电流的一个端口，一个端口CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ， Com'l
CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，有效输出端口打开，
IND 。
f = f
MAX[5]
I
SB4
mA
注意事项：
2. BUSY引脚只。
短路3.持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环以1 /吨的读周期的最大频率
RC
使用AC测试波形GND的输入电平为3V 。
3
CY7C133
CY7C143
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C133-25
7C143-25
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
[7]
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
[7]
OE低到DATA有效
[7]
OE低到低Z
[8, 9,10]
OE高到高Z
[8, 9,10]
CE低到低Z
[8, 9,10]
CE高到高阻
[8, 9,10]
CE为低电时
[10]
7C133-35
7C143-35
分钟。
35
马克斯。
7C133-55
7C143-55
分钟。
55
马克斯。
单位
ns
55
0
55
30
3
25
5
20
0
25
55
40
40
2
0
35
20
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
0
ns
ns
描述
分钟。
25
马克斯。
25
0
25
20
3
15
3
15
0
25
25
20
20
2
0
20
15
0
15
0
0
35
25
25
2
0
25
20
0
0
5
3
0
35
35
25
20
20
25
CE高到掉电
[10]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
R / W脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
[9,10]
R / W高到低Z
[9,10]
写周期
[11]
20
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V指定的输出负载
I
OL
/I
OH ，
和30 pF负载电容。
7. AC测试条件使用V
OH
= 1.6V和V
OL
= 1.4V.
8.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
LZCE
小于吨
HZCE
和T
LZOE
小于吨
HZOE
.
9. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZOE
, t
LZOE
, t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测量± 500 mV的从稳态
电压。
10.此参数是保证，但未经测试。
存储器11的内部写入时间由CS低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
可以通过去HIGH终止写。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
5
QQ：2880707522 复制
