IM
EL
PR
Y
AR
IN
CXT853
中央
TM
半导体公司
表面贴装
HIGH CURRENT
硅NPN晶体管
描述:
中央半导体CXT853类型是
大电流,高电压型硅NPN晶体管。
包装在SOT- 89表面贴装的情况下,
CXT853适用于工业和消费类
需要高能源效率的一个小应用
封装。
标识代码:全型号
SOT- 89 CASE
产品特点:
低饱和电压:
VCE ( SAT ) = 0.340V最大@ IC = 5.0A
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
PNP补充: CXT953
应用范围:
电源管理
DC / DC转换
电机驱动
开关
符号
VCBO
VCEO
VEBO
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
民
ICBO
ICBO
ICER
IEBO
BVCBO
BVcer
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VCB=150V
VCB = 150V , TA = 100℃
VCE = 150V , RBE ≤ 1kΩ的
VEB=6.0V
IC=100μA
IC = 10毫安, RBE ≤ 1kΩ的
IC=10mA
IE=100μA
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 2.0A , IB =百毫安
IC=5.0A,
IC=5.0A,
IB=500mA
IB=500mA
200
200
100
6.0
P
E
R
IM
L
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
Y
R
A
IN
200
100
6.0
6.0
1.2
-65到+150
104
典型值
最大
10
1.0
10
10
220
210
110
8.0
22
135
50
170
340
1.25
单位
V
V
V
A
W
°C
° C / W
单位
nA
μA
nA
nA
V
V
V
V
mV
mV
mV
V
R0 (2006年1月)
中央
TM
半导体公司
E
PR
N
MI
LI
RY
A
CXT853
表面贴装
HIGH CURRENT
硅NPN晶体管
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
民
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
VCE = 2.0V , IC = 10毫安
VCE = 2.0V , IC = 2.0A
VCE = 2.0V , IC = 4.0A
VCE = 2.0V , IC = 10A
VCE = 10V , IC = 100mA时F = 50MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
100
100
50
20
典型值
最大
单位
200
100
30
190
38
300
兆赫
pF
SOT- 89案例 - 机械外形
前导码:
1 )发射
2 )集电极
3 )基
标识代码:
CXT853
R0 (2006年1月)