CXT3410 NPN
CXT7410 PNP
表面贴装
互补低VCE （ SAT ）
硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CXT3410和
CXT7410低VCE （ SAT） NPN和PNP硅
晶体管封装在SOT- 89的情况下。高
集电极电流加上一个低饱和电压
使这个工业/消费的理想选择
应用运营效率和规模都
高优先级。
SOT- 89 CASE
产品特点：
VCE （ SAT ） = 275mV TYP @ IC = 1.0A
大电流（ 1.0A MAX）
低电压（ 40V MAX）
SOT- 89表面贴装封装
标识代码：全型号
应用范围：
电源管理和DC / DC转换器
便携式和电池供电产品
手机和无绳电话
掌上电脑，电脑，数码相机
磁盘和磁带驱动器
单位
V
V
V
A
A
W
°C
° C / W
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
40
25
6.0
1.0
1.5
1.2
-65到+150
104
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
测试条件
VCB=40V
VEB=6.0V
IC=100μA
IC=10mA
IE=100μA
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC=200mA,
IC=500mA,
IC=800mA,
IB=20mA
IB=50mA
IB=80mA
民
CXT3410
典型值
CXT7410
典型值
最大
100
100
40
25
6.0
20
35
75
130
200
250
25
40
80
150
220
275
50
75
150
250
400
450
单位
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
IC = 1.0A ， IB =百毫安
R1 （ 2010年23月）
CXT3410 NPN
CXT7410 PNP
表面贴装
互补低VCE （ SAT ）
硅晶体管
电气特性 - 续：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
最大
VBE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
1.1
VBE （ON）的
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
0.9
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
100
300
的hFE
的hFE
fT
COB
COB
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CXT3410 ）
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CXT7410 ）
100
50
100
10
15
单位
V
V
兆赫
pF
pF
SOT- 89案例 - 机械外形
（底视图）
前导码：
1 ）发射
2 ）集电极
3 ）基
标记：
全部型号
R1 （ 2010年23月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CXT3410 NPN
CXT7410 PNP
表面贴装
其他芯片
低VCE （ SAT ）晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CXT3410和
CXT7410低VCE （ SAT） NPN和PNP硅
晶体管封装在SOT- 89的情况下。高
集电极电流加上一个低饱和电压
使这个工业/消费的理想选择
应用运营效率和规模都
高优先级。
标记代码：
CXT3410 ：
全部型号
CXT7410 ：
全部型号
应用范围：
电源管理和DC / DC转换器
便携式和电池供电产品
手机和无绳电话
掌上电脑，电脑，数码相机
磁盘和磁带驱动器
SOT- 89 CASE
产品特点：
低饱和电压
VCE （ SAT ） = 275mV （典型值） @ IC = 1.0A
大电流（ 1.0A最大）
低电压（ 40V最大值）
SOT- 89表面贴装封装
最大额定值：
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
40
25
6.0
1.0
1.5
1.2
-65到+150
104
单位
V
V
V
A
A
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CXT3410
符号
测试条件
民
典型值
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100A
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100A
6.0
VCE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
20
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
35
VCE （ SAT ）
IC =的200mA， IB = 20mA下
75
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
130
VCE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
200
VCE （ SAT ）
IC = 1.0A ， IB =百毫安
250
CXT7410
典型值
最大
100
100
25
40
80
150
220
275
50
75
150
250
400
450
单位
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
R0 （ 24 2006年1月）
中央
TM
CXT3410 NPN
CXT7410 PNP
表面贴装
其他芯片
低VCE （ SAT ）晶体管
半导体公司
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明） （续） 。
符号
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
COB
测试条件
IC = 800毫安， IB = 80毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CXT3410 ）
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CXT7410 ）
民
最大
1.1
0.9
100
100
100
50
100
300
单位
V
V
10
15
兆赫
pF
pF
SOT- 89案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射
2 ）集电极
3 ）基
R0 （ 24 2006年1月）
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