【CXT5401E增强规范表面贴装PNP硅晶体管中央TM半导体公司描述：中央半导体CXT5401E是P】,IC型号CXT5401E,CXT5401E PDF资料,CXT5401E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CXT5401E

增强规范

表面贴装

PNP硅晶体管

中央

TM

半导体公司

描述：

中央半导体

CXT5401E

是PNP硅晶体管，封装在一个

SOT- 89的情况下，专为通用

放大器应用需要高击穿

电压。

标识代码：全型号

SOT- 89 CASE

应用范围：

通用开关和放大

电话应用程序

产品特点：

高集电极击穿电压250V

低漏电流50nA最大

低饱和电压为150mV最大@ 50毫安

互补器件CXT5551E

SOT- 89表面贴装封装

最大额定值：

(TA=25°C)

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储

结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PD

TJ ， TSTG

Θ

JA

250

220

7.0

600

1.2

-65到+150

104

单位

V

V

V

mA

W

°C

° C / W

电气特性：

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

ICBO

ICBO

VCB=120V

VCB = 120V ， TA = 100℃

VEB=3.0V

μ

IC=100μA

IC=1.0mA

μ

IE=10μA

IC = 10毫安， IB = 1.0毫安

IC = 50mA时IB = 5.0毫安

IC=10mA,

IC=50mA,

IB=1.0mA

IB=5.0mA

250

220

7.0

最大

50

50

50

单位

nA

μA

nA

V

V

V

BVCEO

BVEBO

VCE （ SAT ）

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

IEBO

BVCBO

100

150

1.00

1.00

mV

mV

V

V

增强规范

R0 （2006年10月）

中央

TM

CXT5401E

增强规范

表面贴装

PNP硅晶体管

半导体公司

电气特性：

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

最大

单位

的hFE

的hFE

的hFE

的hFE

fT

COB

的hFE

NF

VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安

VCE = 5.0V ， IC = 10毫安

VCE = 5.0V ， IC = 50毫安

VCE = 10V ， IC = 150毫安

VCE = 10V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz

VCE = 5.0V ， IC = 200μA ， RS = 10Ω

F = 10Hz到15.7kHz

100

100

75

25

100

40

300

6.0

200

8.0

dB

兆赫

pF

300

增强规范

SOT- 89案例 - 机械外形

前导码：

1 ）发射

2 ）集电极

3 ）基

标识代码：

全部型号

R0 （2006年10月）

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