【CXT2907A表面贴装PNP硅晶体管中央TM半导体公司描述：中央半导体CXT2907A类型是PNP】,IC型号CXT2907A,CXT2907A PDF资料,CXT2907A经销商,ic,电子元器件-51电子网

CXT2907A

表面贴装

PNP硅晶体管

中央

TM

半导体公司

描述：

中央半导体CXT2907A

类型是PNP硅晶体管制造

外延平面工艺，环氧树脂模制在一个

表面贴装封装，专为小信号

通用和开关应用。

SOT- 89 CASE

最大额定值

(TA=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储

结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PD

TJ ， TSTG

Θ

JA

60

5.0

600

1.2

-65到+150

104

单位

V

mA

W

°C

° C / W

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

ICBO

ICEV

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

的hFE

测试条件

VCB=50V

VCB = 50V ， TA = 125°C

VCE = 30V ， VBE = 0.5V

IC=10mA

IE=10mA

IC=150mA,

IC=500mA,

IC=150mA,

IC=500mA,

IB=15mA

IB=50mA

IB=15mA

IB=50mA

75

100

300

R3 （ 2001年19月）

60

5.0

0.4

1.6

1.3

2.6

民

最大

10

50

单位

nA

A

nA

V

VCE = 10V ， IC = 0.1毫安

VCE = 10V ， IC = 1.0毫安

VCE = 10V ， IC = 10毫安

VCE = 10V ， IC = 150毫安

中央

TM

CXT2907A

表面贴装

PNP硅晶体管

半导体公司

电气特性

（续）

符号

的hFE

fT

COB

兴业银行

吨

td

tr

花花公子

ts

tf

测试条件

VCE=10V,

VCE=20V,

IC=500mA

IC = 50mA时F = 100MHz的

民

50

200

8.0

30

IB1=15mA

45

10

40

100

80

30

兆赫

pF

ns

最大

单位

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

VBE = 2.0V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的

VCC=30V,

VBE=0.5,

IC=150mA,

VCC = 30V ， VBE = 0.5 ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安

VCC = 6.0V ， IC = 150毫安， IB1 = IB2 = 15毫安

VCC = 6.0V ， IC = 150毫安，

IB1=IB2=15mA

SOT- 89案例 - 机械外形

A

B

E

F

G

H

1

C

J

L

M

2

K

R3

3

底部视图

前导码：

1 ）发射

2 ）集电极

3 ）基

R3 （ 2001年19月）

SMD型

晶体管

表面贴装PNP开关晶体管

CXT2907A

特点

高电流（ max.600mA ）

低电压（ max.60V ）

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

功耗

结温

储存温度

热阻

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

è

JA

等级

-60

-5

-600

1.2

150

-65到+150

104

/W

单位

V

mA

W

www.kexin.com.cn

1

SMD型

CXT2907A

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极截止电流

符号Testconditons

I

CBO

I

EBO

I

E

= 0; V

CB

= -50 V

I

E

= 0; V

CB

= -50 V ;牛逼

j

= 125

I

C

= 0; V

EB

= -5 V

I

C

= -0.1毫安; V

CE

= -10 V

I

C

= -1毫安; V

CE

= -10 V

直流电流增益

h

FE

I

C

= -10毫安; V

CE

= -10 V

I

C

= -150毫安; V

CE

= -10 V

I

C

= -500毫安; V

CE

= -10 V

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

I

C

= -150毫安;我

B

=-15mA

I

C

= -500毫安;我

B

= -50毫安

基射极饱和电压

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

跃迁频率

V

BESAT

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

T

I

C

= -50毫安; V

CE

= -20 V ; F = 100 MHz的

200

V

CC

=-6.0V,I

C

= -150mA ，我

B1

= I

B2

= -15mA

I

C

= -150毫安;我

B

= -15毫安

I

C

= -500毫安;我

B

= -50毫安

V

CC

=30V, V

BE

= -0.5V ，我

C

=-150mA,

I

B1

=-15mA

75

100

50

民

晶体管

典型值

最大

-10

-50

单位

nA

A

nA

300

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

45

10

40

100

80

30

V

ns

兆赫

2

www.kexin.com.cn

SMD型

CXT2907A

典型特征

V

CESAT

- 集电极EMITTE 电压（ V）

晶体管

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

500

V

CE

= 5V

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.5

β

= 10

0.4

0.3

0.2

0.1

0

125

°C

- 40

°C

400

300

200

100

0

0.1

125 °C

25 °C

- 40 °C

0.3

1

3

10

30

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

300

1

10

100

I

C

- 集电极CURRE新台币（毫安）

500

V

BE （ON）的

- BAS ê发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（ V）

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

- 40

°C

基极发射极电压ON VS

集电极电流

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.1

- 40

°C

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25 °C

125

°C

β

= 10

125

°C

V

CE

= 5V

1

10

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

500

1

10

I

C

- 集电极CURRE新台币（毫安）

25

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- COLLE CTOR电流（ NA）

100

V

CB

= 35V

10

输入和输出电容

VS反向偏置电压

20

电容（pF）

16

12

IB

1

8

4

0

0.1

OB

0.1

0.01

25

50

75

100

T

A

- AMBIE NT TEMP ERATURE （

°

C)

125

1

10

反向偏置电压（V）的

50

www.kexin.com.cn

3

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

CXT2907A

特点

高电流（ max.600mA ）

低电压（ max.60V ）

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

功耗

结温

储存温度

热阻

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

è

JA

等级

-60

-5

-600

1.2

150

-65到+150

104

/W

单位

V

mA

W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1第3

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

CXT2907A

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极截止电流

符号Testconditons

I

CBO

I

EBO

I

E

= 0; V

CB

= -50 V

I

E

= 0; V

CB

= -50 V ;牛逼

j

= 125

I

C

= 0; V

EB

= -5 V

I

C

= -0.1毫安; V

CE

= -10 V

I

C

= -1毫安; V

CE

= -10 V

直流电流增益

h

FE

I

C

= -10毫安; V

CE

= -10 V

I

C

= -150毫安; V

CE

= -10 V

I

C

= -500毫安; V

CE

= -10 V

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

I

C

= -150毫安;我

B

=-15mA

I

C

= -500毫安;我

B

= -50毫安

基射极饱和电压

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

跃迁频率

V

BESAT

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

T

I

C

= -50毫安; V

CE

= -20 V ; F = 100 MHz的

200

V

CC

=-6.0V,I

C

= -150mA ，我

B1

= I

B2

= -15mA

I

C

= -150毫安;我

B

= -15毫安

I

C

= -500毫安;我

B

= -50毫安

V

CC

=30V, V

BE

= -0.5V ，我

C

=-150mA,

I

B1

=-15mA

75

100

50

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

45

10

40

100

80

30

V

ns

兆赫

300

民

典型值

最大

-10

-50

单位

nA

A

nA

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 3

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

晶体管

CXT2907A

典型特征

V

CESAT

- 集电极EMITTE 电压（ V）

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

500

V

CE

= 5V

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.5

β

= 10

0.4

0.3

0.2

0.1

0

125

°C

- 40

°C

400

300

200

100

0

0.1

125 °C

25 °C

- 40 °C

0.3

1

3

10

30

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

300

1

10

100

I

C

- 集电极CURRE新台币（毫安）

500

V

BE （ON）的

- BAS ê发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（ V）

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

- 40

°C

基极发射极电压ON VS

集电极电流

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.1

- 40

°C

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25 °C

125

°C

β

= 10

125

°C

V

CE

= 5V

1

10

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

500

1

10

I

C

- 集电极CURRE新台币（毫安）

25

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- COLLE CTOR电流（ NA）

100

V

CB

= 35V

10

输入和输出电容

VS反向偏置电压

20

电容（pF）

16

12

IB

1

8

4

0

0.1

OB

0.1

0.01

25

50

75

100

T

A

- AMBIE NT TEMP ERATURE （

°

C)

125

1

10

反向偏置电压（V）的

50

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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