SONY
描述
CXK77K18R320GB
3/33/4
初步
32MB LW RR HSTL高速同步SRAM （2MB ×18 ）
该CXK77K18R320GB是一个高速CMOS同步静态RAM与通用I / O引脚，组织为2,097,152字
由18位。这个同步SRAM集成输入寄存器，高速RAM中，输出寄存器，和一深的写入缓冲器
在一个单片IC上。寄存器 - 寄存器（ RR）读操作和写晚期（ LW ）写操作的支持，亲
人们提供一个高性能的用户界面。
所有地址和控制输入信号除G（输出使能）和ZZ （睡眠模式）被登记在K的上升沿
差分输入时钟信号。
在读操作期间，输出数据被选自K的上升沿驱动有效，该地址后一个完整的时钟周期被登记。
在写操作中，输入数据被登记K上的上升沿，该地址后一个完整的时钟周期被登记。
睡眠（断电）功能则通过ZZ输入信号提供。
输出驱动器系列的终止，输出阻抗为通过ZQ输入引脚进行编程。通过连接一个外部
ZQ和V之间的控制电阻RQ
SS
时，输出驱动器的阻抗可被精确地控制。
采用1.8V单电源供电，得到333 MHz的操作。使用的一个子集，提供JTAG边界扫描接口
IEEE 1149.1标准的协议。
特点
3速箱
-3
-33
-4
周期时间/访问时间
3.0ns / 1.6ns
3.3ns / 1.6ns
4.0ns / 2.0ns
1.8V单电源供电（V
DD
): 1.8V
±
0.1V
注意：
2.5V V
DD
也支持。请联系索尼记忆营销部了解更多信息。
专用输出电源电压（V
DDQ
） ： 1.5V至1.8V的典型
使用专用的输入参考电压HSTL兼容的I / O接口（V
REF
): V
DDQ
/ 2的典型
寄存器 - 寄存器（R -R ）读协议
延迟写（ LW ）写入协议
完整的读/写一致性
字节写能力
差分输入时钟（K / K）
异步输出使能（ G）
通过专用的模式引脚休眠（低功耗模式） （ ZZ ）
可编程输出驱动器阻抗
JTAG边界扫描（ IEEE子集标准1149.1 ）
119引脚（ 7x17 ） ， 1.27mm间距， 14毫米X 22毫米球栅阵列（ BGA ）封装
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CXK77K18R320GB
2MB ×18引脚分配（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQB
NC
V
DDQ
NC
DQB
V
DDQ
NC
DQB
V
DDQ
DQB
NC
NC
NC
V
DDQ
2
SA
SA
SA
NC
DQB
NC
DQB
NC
V
DD
DQB
NC
DQB
NC
DQB
SA
SA
(x18)
TMS
3
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
SBWb
V
SS
V
REF
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
M1
(1)
SA
TDI
4
NC
SA
(32M)
V
DD
ZQ
SS
G
NC
NC
V
DD
K
K
SW
SA
SA
V
DD
NC
(x36)
TCK
5
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
REF
V
SS
SBWa
V
SS
V
SS
V
SS
M2
(2)
SA
TDO
6
SA
SA
SA
DQA
NC
DQA
NC
DQA
V
DD
NC
DQA
NC
DQA
NC
SA
SA
(x18)
RSVD
(3)
初步
7
V
DDQ
NC
NC
NC
DQA
V
DDQ
DQA
NC
V
DDQ
DQA
NC
V
DDQ
NC
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
注意事项：
1.垫位置3R被定义为M1模式引脚LW的SRAM 。但是，它必须在将器件连接“低” 。
2.垫位置5R被定义为M2的模销在LW的SRAM 。但是，它必须在将器件连接的“高” 。
3.垫位置6U必须悬空。它是用于内部测试目的而使用索尼。
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CXK77K18R320GB
引脚说明
初步
符号
SA
DQA ， DQB
TYPE
输入
I / O
描述
同步地址输入 - 注册于K的上升沿
同步数据输入/输出 - 写操作期间登记日K的上升沿。
在读操作期间选自K的上升沿驱动。
DQA - 表示数据字节一个
DQB - 表示数据字节B
差分输入时钟
同步选择输入 - 注册于K的上升沿
SS = 0
使设备能够接受读写命令
SS = 1
禁用设备
同步写使能输入 - 注册于K的上升沿
SW = 0
指定一个写操作时，该设备使能
SW = 1
指定读出操作时，该设备使能
同步字节写使能输入 - 注册于K的上升沿
SBWa = 0指定在写入操作期间将数据写入一个字节
SBWb = 0指定写操作过程中写入数据字节B
异步输出使能输入 - 拉高（高）禁用数据输出驱动器。
异步睡眠模式输入 - 断言（高）强制器件进入低功耗模式。
读操作协议选择 - 这些模式引脚必须连接“低”和“高”分别
选择寄存器 - 寄存器读操作。
输出驱动器阻抗控制电阻输入 - 该引脚必须连接到V
SS
通过
外部电阻RQ编程数据输出驱动器阻抗。见可编程输出
驱动器阻抗节以获取更多信息。
1.8V内核电源 - 核心供电电压。
输出电源 - 输出缓冲器的电源电压。
输入参考电压 - 输入缓冲区阈值电压。
地
K, K
SS
输入
输入
SW
输入
SBWa ， SBWb
输入
G
ZZ
M1, M2
ZQ
输入
输入
输入
输入
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
SS
TCK
TMS
TDI
TDO
RSVD
NC
输入
输入
输入
产量
JTAG时钟
JTAG模式选择 - 弱上拉“高”在内部。
JTAG数据输入 - 弱上拉“高”在内部。
JTAG数据输出
保留 - 该引脚为索尼测试的目的保留。必须悬空。
无连接 - 这些引脚是真正的无连接时，即没有内部芯片连接到这些
销。他们可以悬空或者直接连接到V
DD
, V
DDQ
或V
SS
.
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初步
时钟真值表
K
X
↑
↑
↑
↑
↑
↑
注意事项：
1，“ 1”=输入“高” ; “ 0 ” =输入“低” ; “X” =输入“不关心” 。
2. “***”表示输入条件或输出状态由前面的操作来确定。
3.部门宿舍是三态响应和写入命令取消，一个周期的指令进行采样后。
ZZ
1
0
0
0
0
0
0
SS
(t
n
)
X
1
0
0
0
0
0
SW
(t
n
)
X
X
1
1
0
0
0
SBWx
(t
n
)
X
X
X
X
0
X
1
G
X
X
1
0
X
X
X
手术
休眠（低功耗模式）
DESELECT
读
读
写的所有字节
写字节， SBWx = 0
中止写
DQ
(t
n
)
嗨 - z
***
嗨 - z
***
***
***
***
DQ
(t
n+1
)
嗨 - z
嗨 - z
嗨 - z
Q （T
n
)
（T
n
)
（T
n
)
嗨 - z
休眠（低功耗模式）
睡眠（省电）模式，通过异步输入信号ZZ提供。当ZZ是断言（高） ，输出
司机被禁止， SRAM开始绘制的待机电流。存储器阵列的内容被保存下来。使能
时间（t
ZZE
）必须满足的SRAM被保证是处于睡眠模式之前，并且恢复时间（t
ZZR
）之前必须满足
该SRAM可以恢复正常运行。
可编程阻抗输出驱动器
这些器件具有可编程阻抗输出驱动器。的输出阻抗是由一个外部电阻器RQ的控制
连接之间的SRAM的ZQ引脚和V
SS
和等于五分之一此电阻的值，名义上。看到DC
有关详细信息，电气特性部分。
输出驱动器阻抗电要求
输出驱动器阻抗将在上电后8192次循环达到设定值。因此，它是中建议
谁料那读操作不会启动初期8192周期过去之后。
输出驱动器阻抗更新
当输出驱动器被禁用写入和取消操作过程中的输出驱动器阻抗被更新。
上电顺序
对于可靠性的目的， Sony建议的电源开机按以下顺序： V
SS
, V
DD
, V
DDQ
, V
REF
,
和投入。 V
DDQ
不应该超过V
DD
。如果该电源序列不能被满足时，一个大的旁路二极管可以是重新
V之间quired
DD
和V
DDQ
。请联系索尼记忆应用部门以获取更多信息。
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初步
绝对最大额定值
参数
电源电压
输出电源电压
输入电压（地址，控制，数据，时钟）
输入电压（ M1，M2）
输入电压（ TCK，TMS， TDI）的
工作温度
结温
储存温度
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
V
民
V
TIN
T
A
T
J
T
英镑
等级
-0.5到+2.5
-0.5到+2.3
-0.5到V
DDQ
+0.5 （ 2.3V最大）
-0.5到V
DD
+0.5 （2.5V最大）
-0.5到V
DD
+0.5 （2.5V最大）
0到85
0到110
-55到150
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
注意事项：
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个压力只有等级，并且该设备的这些功能操作或任何其他条件比表示其他
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
BGA封装热特性
参数
结到外壳温度
符号
Θ
JC
等级
3.6
单位
° C / W
I / O容量
参数
地址
输入电容
控制
时钟
输出电容
数据
符号
C
IN
C
IN
C
KIN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
KIN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
---
---
---
---
(T
A
= 25
o
C，F = 1兆赫）
最大
4.0
4.0
4.5
5.0
单位
pF
pF
pF
pF
注意：
这些参数进行采样和不是100 ％测试。
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