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CXK77B3610GB
-6/7
高速双CMOS同步静态RAM
描述
该CXK77B3610GB - 6/7是一个高速1M位
BI -CMOS同步统计的RAM组织为
32768字由36位。该SRAM集成输入
寄存器，高速SRAM和写缓冲到
单片IC ，采用了延迟写入
系统，以减少死循环。
特点
快速的周期时间
CXK77B3610GB-6
CXK77B3610GB-7
（循环）
6ns
7ns
（频率）
166MHz
142MHz
119引脚BGA （塑胶）
初步
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
输入和输出是LVTTL / LVCMOS兼容
3.3V单电源供电： 3.3V ± 0.15V
字节写的可能
OE异步
JTAG测试电路
包装119TBGA
3种同步运转模式
寄存器 - 寄存器模式（R -R模式）
注册流量直通模式（ R- F模式）
寄存器锁存模式（ R- L模式）
功能
32768字
×
36位高速双CMOS同步SRAM
结构
硅栅双CMOS IC
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE95128-PS
CXK77B3610GB
框图
15
A0至14
输入
注册。
2:1
MUX
添加。
DOUT
写
商店
注册。
32K
×
36
DIN
写
脉冲
2:1
MUX
产量
LATCH
DQ
注册。
读
比较。
S
注册。
W
注册。
材料类型
时间
写
逻辑
4
BW
A至D
注册。
K/K
产量
时钟
M1
M2
模式
控制
G
–2–
CXK77B3610GB
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DD
Q
NC
NC
DQC
DQC
V
DD
Q
DQC
DQC
V
DD
Q
DQD
DQD
V
DD
Q
DQD
DQD
NC
NC
V
DD
Q
2
A
NC
A
DQC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQD
A
NC
TME
3
A
NC
A
V
SS
V
SS
V
SS
BWC
V
SS
NC
V
SS
BWD
V
SS
V
SS
V
SS
M1
A
TDI
4
NC
NC
V
DD
NC
S
G
NC
NC
V
DD
K
K
W
A
A
V
DD
A
TCK
5
A
NC
A
V
SS
V
SS
V
SS
BWB
V
SS
NC
V
SS
BWA
V
SS
V
SS
V
SS
M2
A
TDO
6
A
NC
A
DQB
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQA
A
NC
NC
7
V
DD
Q
NC
NC
DQB
DQB
V
DD
Q
DQB
DQB
V
DD
Q
DQA
DQA
V
DD
Q
DQA
DQA
NC
ZZ
V
DD
Q
引脚说明
符号
A
DQX
K
K
W
BWX
S
描述
地址输入
数据I / O字节
A至D
正时钟
负时钟
写使能
字节写使能
（ A至D ）
芯片选择
符号
G
ZZ
TCK
TMS
TDI
TDO
V
DD
描述
ASYN输出使能
睡眠模式选择
JTAG时钟
JTAG模式选择
在JTAG数据
JTAG数据输出
+ 3.3V电源
符号
V
DD
Q
V
SS
M1, M2
NC
描述
输出电源
地
模式选择
无连接
–3–
CXK77B3610GB
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
工作温度
Strorage温度
焊接温度·时间
符号
V
CC
V
IN
V
O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
等级
-0.5到+4.6
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
单位
V
V
V
W
°C
°C
° C秒
-0.5到V
CC
+0.5 （ 4.6V最大值）
-0.5到V
CC
+0.5 （ 4.6V最大值）
待定
0到70
-55到+150
235 · 10
真值表
ZZ
H
L
L
L
L
L
L
S（ TN ）
X
H
L
L
L
L
L
W（ TN ） BWX （ TN ）
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
X
L
X
H
G
X
X
H
L
X
X
X
模式
睡眠模式，省电
DESELECT
读
读
写的所有字节（位0到35 ）
写出来与BWX = L字节
中止写
DQ0 35 DQ0 35 V
DD
（田纳西州）
（ TN + 1 ）电流
高阻
X
高阻
X
X
X
X
高阻
高阻
高阻
Q（ TN ）
D（ TN ）
D（ TN ）
X
I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
DC推荐工作条件
项
电源电压
输出电源电压
输入高电压
输入低电压
差分时钟输入信号
差分时钟输入
共模
符号
V
DD
V
DD
Q
V
IH
V
IL
V
K
V
K
， COM
分钟。
3.15
3.15
2.0
–0.3
0.4
1.2
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
典型值。
3.3
3.3
—
—
0.8
2.0
马克斯。
3.45
3.45
V
DD
+0.3
0.8
—
2.2
单位
V
V
V
V
V
V
–4–
CXK77B3610GB
模式选择真值表
项
注册-反抗者模式
注册流量直通模式
寄存器锁存模式
M1
L
L
H
M2
H
L
L
电气特性
DC和经营特色
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
当前
待机电流
输出高电压
输出低电压
V
CC
= 3.3V ， TA = 25℃
符号
I
LI
I
LO
(V
CC
= 3.3V ± 10％ ，GND = 0V ，钽= 0 70℃ ）
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
V
O
= GND到V
CC
G = V
IH
周期=分钟。
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
ZZ
≥
V
IH
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
2.4
—
—
—
分钟。
–1
–10
典型值。
—
—
马克斯。
1
10
单位
A
A
I
CC
I
SB
V
OH
V
OL
—
—
待定
20
—
0.4
mA
mA
V
V
- I / O容量
项
输入电容
时钟输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
CLK
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
分钟。
—
—
—
马克斯。
5
8
8
单位
pF
pF
pF
注）
这些参数进行采样和不是100 ％测试。
–5–
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