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CXK77B1810AGB
-5/6
高速双CMOS同步静态RAM
描述
该CXK77B1810AGB - 5/6是一个高速1M位
BI -CMOS同步的组织为静态RAM
65536字由18位。该SRAM集成输入
寄存器,高速SRAM和写缓冲到
单片IC ,采用了延迟写入
系统,以减少死循环。
特点
快速的周期时间
CXK77B1810AGB-5
-6
(循环)
5ns
6ns
(频率)
200MHz
167MHz
初步
对于这款产品的供货情况,请联系销售办事处。
119引脚BGA (塑胶)
输入和输出都是GTL / HSTL兼容
受控阻抗驱动器
3.3V单电源供电: 3.3V ± 0.15V
字节写的可能
OE异步
JTAG测试电路
包装119TBGA
4种同步运转模式
寄存器 - 寄存器模式(R -R模式)
注册流量直通模式( R- F模式)
寄存器锁存模式( R- L模式)
双时钟模式(D -C模式)
功能
65536字x 18位的高速双CMOS同步SRAM
结构
硅栅双CMOS IC
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE96811
CXK77B1810AGB
框图
16
A0 15
输入
注册。
2:1
MUX
添加。
DOUT
2:1
MUX
商店
注册。
64K
×
18
DIN
脉冲
产量
LATCH
DQ
注册。
比较。
S
注册。
W
注册。
时间
逻辑
2
BW
A到B
注册。
K/K
C/C
产量
时钟
M1
M2
模式
控制
G
–2–
CXK77B1810AGB
引脚配置
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DD
Q
NC
NC
DQB
NC
V
DD
Q
NC
DQB
V
DD
Q
NC
DQB
V
DD
Q
DQB
NC
NC
NC
V
DD
Q
2
A
NC
A
NC
DQB
NC
DQB
NC
V
DD
DQB
NC
DQB
NC
DQB
A
A
TMS
3
A
NC
A
V
SS
V
SS
V
SS
BWB
V
SS
VREF
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
M1
A
TDI
4
NC
NC
V
DD
ZQ
S
G
C
C
V
DD
K
K
W
A
A
V
DD
NC
TCK
5
A
NC
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
VREF
V
SS
BWA
V
SS
V
SS
V
SS
M2
A
TDO
6
A
NC
A
DQA
NC
DQA
NC
DQA
V
DD
NC
DQA
NC
DQA
NC
A
A
NC
7
V
DD
Q
NC
NC
NC
DQA
V
DD
Q
DQA
NC
V
DD
Q
DQA
NC
V
DD
Q
NC
DQA
NC
ZZ
V
DD
Q
引脚说明
符号
A
DQX
K
K
C
C
VREF
描述
地址输入
数据I / O字节
( A到B )
正时钟
负时钟
符号
BWX
S
G
ZZ
描述
字节写使能
( A到B )
芯片选择
ASYN输出使能
睡眠模式选择
JTAG时钟
JTAG模式选择
在JTAG数据
符号
V
DD
V
DD
Q
V
SS
M1, M2
ZQ
NC
描述
+ 3.3V电源
输出电源
模式选择
输出阻抗
控制
无连接
输出正时钟(
) TCK
输出负
时钟(
)
输入参考
TMS
TDI
写使能
JTAG数据输出
TDO
W
(
)这些引脚应连接到V
DD
或V
SS
除了D-C模式。
–3–
CXK77B1810AGB
包装外形
单位:mm
119 TER M I AL BG A(
N
PLASTI )
C
14.
0
11.
5
B
A
X
0. 0. 1
6}
C
3.
19
U
T
R
P
N
M
L
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
7.
62
1.
27
84
0.
5
19.
1.
0
3-
C
~4
0.
10
1 2 3 4 5 6 7
0. 0. 1
6}
1.
5
0. 75}0. 15
0. 3
0. 1
C
A
B
0.
15 C
ETAI X
L
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N
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N
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119P-
01
BO AR D M我ATER
AL
TER M I AL M我ATER
N
AL
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G
–4–
32
20.
0
22.
0.
35 C
27
1.
C
4-
6
0.
C
5
1.
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